氦、氖、氩气体压力对氖光谱和能级填充的影响

以２３８Ｐｕ为激发源，测量了不同压力下Ｎｅ、Ｈｅ－Ｎｅ、Ｈｅ－Ｎｅ－Ａｒ体系的氛光谱，并以此为基础计算了Ｎｅ的２ｐ５３ｐ的１０个２Ｐ能级的辐射率Ｉ、相对集居数Ｎ、填充率Ｗ，总结出相应的Ｎｅ压力、Ｈｅ压力和Ａｒ压力对Ｎｅ的５８５．２ｎｍ谱线强度和１０个２Ｐ能级填充的影响规律。

原子核结团假说填充能级的分裂与简并

以自然界有天然丰度核素的实验数据为依据,我们用质子数(Z)与中子数(N)的关系分析核素,引入两参量S=2Z-N,H=N-Z,绘制出正方形核素图如图1所示.图中稳定区核素的坐标上界S=44,H=44.又由核分布事实与两新参量对应确定核。

GaN HFET偏置转换中的亚稳态能带

从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,编制成计算不同应力偏置和测试偏置下亚稳态能带的计算软件。运用新编软件计算了不同能带峰和填充能级下的亚稳态能带。详细描述了偏置转换中产生的能带谷充电过程及外沟道堵塞,由此建立起应力偏置与测试偏置下动态电流间的关联。从场效应管射频工作中栅、漏电压的变化条件出发提出新的电流崩塌动态模型。运用应力偏置和测试偏置下的定态能带和亚稳态能带解释了瞬态电流谱随应力偏置和测试偏置的变化行为。最后讨论亚稳态能带在GaN HFET研究中的重要意义。

GaN HFET偏置转换中的亚稳态能带(续)

从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,编制成计算不同应力偏置和测试偏置下亚稳态能带的计算软件。运用新编软件计算了不同能带峰和填充能级下的亚稳态能带。详细描述了偏置转换中产生的能带谷充电过程及外沟道堵塞,由此建立起应力偏置与测试偏置下动态电流间的关联。从场效应管射频工作中栅、漏电压的变化条件出发提出新的电流崩塌动态模型。运用应力偏置和测试偏置下的定态能带和亚稳态能带解释了瞬态电流谱随应力偏置和测试偏置的变化行为。最后讨论亚稳态能带在GaN HFET研究中的重要意义。