高温D—^3He等离子体聚变产物的即时能谱展宽计算

从动量守恒和能量守恒关系式出发，通过反应前后坐标系之间的转换，利用Ｓ．Ｐｅｒｋｉｎｓ计算反应粒子带入反应的平均能量的方法，引入一个等效动力学温度，得到的质子和α粒子即时能谱最大展宽与Ｇ．Ｌｅｈｎｅｒ用其它方法算得的即时能谱半宽度合理地接近。结果对开端位形的高能带电粒子直接能量收集器设计有参考价值。

高密度平面靶等离子体中激光驱动冲击波加速离子的能谱展宽

本文对超短超强激光脉冲辐照高密度等离子体产生的静电冲击波加速离子的能谱展宽机理进行了数值研究.着重讨论了三种冲击波加速离子的能谱展宽机理:能量沉积到离子中使得冲击波前沿不断减速,被加速离子与背景粒子的碰撞,以及高能离子到达靶背面时受到鞘层场进一步加速.还研究了驱动激光脉冲宽度对冲击波加速离子能谱宽度的影响.

X射线强度关联干涉测量能谱展宽校正

X射线强度关联干涉测量为实现高分辨率脉冲星信息获取提供一条可行的技术途径,但现有的X射线探测器能量分辨率有限,探测到的X射线信号有一定能谱展宽,从而导致测量精度降低。为解决这一问题,基于不同能量相干曲线之间的缩放关系,提出一种强度关联干涉测量能谱展宽校正方法。通过仿真分析了校正前后的测量误差,探讨噪声对该校正方法的影响,并进行了可见光波段的模拟干涉测量实验,结果表明校正后的测量值与理论值相符,从而验证了该方法的有效性。

马氏体相变过程中的Doppler展宽能谱线形参数

测量了马氏体(Fe-Ni)相变过程和热弹马氏体(Ti-Ni、Cu-Zn-Al)相变过程中的正电子湮没Doppler展宽能谱线形参数,其数据对于认识马氏体和热弹马氏体相变的本质,相变过程中的缺陷变化和相变前驱效应,对于解释形状记忆效应是有用的。

不同硫压退火对溅射沉积ZnS薄膜性能的影响

ZnS作为一种宽带隙半导体,以其优异的光电性能近年来受到广泛关注,在太阳能电池、光催化剂以及传感器方面有着广阔的应用前景.本文首先以射频磁控溅射方法沉积了ZnS薄膜,然后在600℃温度和不同硫压下进行退火,通过X射线衍射、扫描电子显微镜、能量散射X射线谱、紫外-可见透射光谱以及慢正电子多普勒展宽谱对ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌、晶粒尺寸、成分、透光率以及缺陷进行分析.结果表明:硫气氛后退火能够改善ZnS薄膜结晶性,退火后ZnS薄膜光学带隙为3.43—3.58 eV.当硫压高于0.49 atm(1 atm=1.01×10^(5)Pa)时,ZnS内部硫间隙原子以及表面单质硫降低了薄膜在可见光区的透光率.慢正电子多普勒展宽谱结果还表明,ZnS薄膜的缺陷浓度由表层到内层逐渐降低,薄膜缺陷随着硫压增加而降低.同时,3γ湮没证明了薄膜内部较为致密,硫化会导致薄膜开孔率增加.吸附硫通过内扩散占据了晶体中硫空位缺陷的位置,导致缺陷浓度降低,进而改善了薄膜质量.

Doppler程序对金红石型TiO_2的空位缺陷研究

金红石型Ti O2是一种非常好的稀磁半导体材料,其自身的本征缺陷与室温铁磁性起源密切相关.本文利用Doppler程序在广义梯度理论(GGA)的基础上,计算了正电子在金红石型Ti O2块材中不同缺陷处的湮没寿命.主要包括自由态正电子的湮没寿命,单空位和双空位处束缚态正电子的湮没寿命.并从理论上给出了含有空位缺陷时金红石型Ti O2的符合多普勒展宽能谱.

Doppler程序对Cu-C共掺杂金红石型TiO_2的理论研究

论文在密度泛函理论和局域密度近似(LDA)的基础上,应用Doppler程序计算了Cu掺杂、C掺杂、Cu-C共掺杂TiO_2体系的正电子湮没寿命,并从理论上给出TiO_2体系不同缺陷处的符合多普勒展宽能谱。

Doppler程序对C、N掺杂金红石型TiO_2的理论研究

本文在密度泛函理论和广义梯度近似(GGA)的基础上,应用Doppler程序计算了C掺杂、N掺杂、C-N共掺杂TiO_2体系的正电子湮没寿命,并且从理论上给出TiO_2体系不同缺陷处的符合多普勒展宽能谱.