一个一维半导体简化能量输运模型的稳态解

在一维空间中分析带有Dirichlet边界条件的半导体简化能量输运稳态方程组,在某些条件下证明了其古典解的存在性.证明基于对电子密度的漂移扩散型方程的仔细变形和Schauder不动点定理.

一维半导体量子能量输运模型稳态解的唯一性

本文研究了一维半导体稳态量子能量输运模型的古典解.利用一些不等式技巧证明了当晶格温度充分大且电流密度较小时其解是唯一的,这在文献[3]中没有得到.

半导体材料科学中的能量输运模型(英文)

这是一篇关于半导体材料科学中能量输运模型的综述性文章 .该文在两个方面讨论了具有绝缘边值的两种典型能量输运模型的初边值问题 .一方面得到了一种强解的存在性 。

一维稳态量子能量输运模型的古典解

在一维有界区域上研究一个半导体量子能量输运稳态模型,在热导率依赖于电子密度和电子温度的情形下,证明了其古典解的存在性。另外,当晶格温度充分大且电子密度相对较小时证明了其解的唯一性。证明利用指数变换、Leray-Schauder不动点定理和一些不等式技巧。

一个半导体简化能量输运模型稳态解的唯一性

在一维有界区域上研究一个半导体简化能量输运稳态模型,在某些条件下利用一些不等式技巧证明了该模型解的唯一性。

一维双极量子能量输运稳态模型弱解的存在性

在一维有界区域上研究一个半导体双极量子能量输运稳态模型.将此模型变形为由2个四阶椭圆方程和1个二阶退化椭圆方程组成的耦合方程组.利用截断方法和Leray-Schauder不动点定理证明了其变形后方程组弱解的存在性.

一个能量输运稳态模型弱解的存在性

考虑一个简化的半导体能量输运稳态模型.在Dirichlet-Neumann混合边界条件下,利用截断方法和Leray-Schauder不动点定理得到了其模型弱解的存在性.研究结果表明,即使热导率与电子温度有关,如果欧姆联结部分的电子密度是正的,则半导体器件内部的电子密度也是正的.

双极能量输运稳态模型弱解的存在性

考虑一个半导体双极能量输运稳态模型,在Dirichlet-Neumann混合边界条件下,利用截断方法和Leray-Schauder不动点定理得到了其模型弱解的存在性.研究结果表明,如果电子密度、空穴密度和粒子温度在Dirichlet边界处有正的上、下界,则它们在区域内部也有正的上、下界.

一维双极量子能量输运稳态模型弱解的唯一性

利用一些不等式技巧,在一维有界区域上证明一个半导体双极量子能量输运稳态模型弱解的唯一性.即当晶格温度较大,且Planck常数、电子电流密度和空穴电流密度较小时,该模型的弱解是唯一的.结果表明,该器件模型的解是适定的.