一种输出可调CMOS能隙基准源电路的设计

从分析典型的能隙基准电路的一般原理入手,重点讨论了一种输出可调节的CMOS能隙基准电路的设计。通过增加一些辅助电路,提高了电路的电源抑制比。简单介绍了电路中双极晶体管在CMOS工艺中的实现方法。所设计的电路具有输出可调的功能和良好的温度特性。

典型双极能隙基准源的瞬时电离辐射效应分析

分析了典型双极型二管和三管能隙基准源受瞬时电离辐射后的输出响应,以及以双极能隙基准源为基本电路的集成稳压器的瞬时辐射效应,并对含典型三管能隙基准源的集成稳压器L7805芯片进行了瞬时电离辐射实验验证。实验结果表明,基准源受辐射后输出电平降至零电平附近,致使稳压器输出降低,并且电平恢复时间与剂量率成对数关系,与理论分析结果一致。

一种双极型低压低温漂能隙基准源

本文详细介绍了一种双极型低压低温漂能隙基准源 ,它可以应用于各种低压集成电路的基准电压部分 。

1V电源的CMOS能隙电压基准源

采用SMIC0.35μmCMOS工艺实现了一种可以工作在1V电源电压下的CMOS能隙基准源.测试表明,该电路可以工作在1～2.5V电源电压下,输出的基准电压可以稳定在约0.446V.在从室温到100℃的范围内,温度系数不超过3.6×10-5/K.

一种高电源抑制比CMOS能隙基准电压源

介绍了一个采用０．６μｍ数字ＣＭＯＳ工艺制作的能隙基准电压源电路，该电路具有小的硅片面积（０．０６ｍｍ２）、高电源抑制比和较低温度系数。在该电路应用于高精度电路的偏置系统时，还可增加改善输出偏置电流温度系数的电路。

一种高性能CMOS能隙基准电压源电路设计

文章介绍了一种0.35滋m工艺制作的能隙基准电压源电路。该电路具有高电压抑制比、低温度系数、抗失配的特点。该电路能被广泛的应用到一些精密集成电路中。

一种用于高速串行接口电路的偏置产生方法及实现

提出了一种符合USB高速模式的偏置产生方法，针对常规偏置设计方法特点，将偏置电路融合于接口电路本身．介绍了USB高速串行接口电路架构，分析了其中偏置电路的产生机理、设计方法，最后，给出了偏置电路的完整实现，电路前后仿真基于Cadence的spectre仿真软件，电路设计和流片基于TSMC的CMOS0．25um混合信号模型，前后仿真实验和流片测试结果表明：基于所设计的偏置，USB高速模式下的发送器、接收器均可正确工作；能隙基准部分在输入电压为2．5V，在-50～70℃范围内，输出电压稳定在1．2337～1.2356V，输出电压变化率为0.154％，