双极晶体管不同脉宽γ剂量率效应研究

介绍了晶体管在脉冲γ辐射源辐照下光电流的产生机理、测量方法，以及二次光电流与晶体管结构、γ剂量率和γ波形宽度的关系。在现有的实验条件下（四种γ脉冲辐射源，宽度分别为：～２ｎｓ，～２０ｎｓ，～６０ｎｓ，～１００ｎｓ，剂量率为１０５～１０６Ｇｙ／ｓ），对三种晶体管进行了辐照，对其等效关系进行了分析，得到了二次光电流与总剂量基本成线性关系的结论。

无机闪烁体CeF_3的时间特性

本文用脉冲 γ源方法实验测量了北京玻璃研究院生产的新型无机闪烁体 Ce F3 的发光衰减常数 ,得出了该种闪烁体的两种发光成分 :对于直径为 4 5 mm,厚度分别为 14 .5、10、4 .5和 3mm的 4个闪烁体 ,其发光衰减时间的快成分在 12 .1～ 9.9ns,慢成分在 34.0～ 30 .7ns,等效衰减时间常数在 2 6 .2～2 0 .8ns。