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脉冲中子测量中的准直器设计 被引量:2
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作者 张忠兵 张显鹏 +2 位作者 陈亮 刘金良 阮金陆 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期820-824,共5页
为满足脉冲中子探测系统对辐射屏蔽的要求,在利用MCNP程序模拟计算准直孔分别为圆柱形直孔和锥形孔的屏蔽效果基础上,设计了圆柱形直孔+锥形孔的准直器结构,准直器采用铁35cm厚+聚乙烯20 cm厚+铅15 cm厚的组合材料。理论计算表明:该准... 为满足脉冲中子探测系统对辐射屏蔽的要求,在利用MCNP程序模拟计算准直孔分别为圆柱形直孔和锥形孔的屏蔽效果基础上,设计了圆柱形直孔+锥形孔的准直器结构,准直器采用铁35cm厚+聚乙烯20 cm厚+铅15 cm厚的组合材料。理论计算表明:该准直器用于反冲质子探测系统时,探测系统输出信号与干扰信号的比值大于10。 展开更多
关键词 辐射屏蔽 准直器 脉冲中子测量 MCNP
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强辐射本底下的DT脉冲中子测量技术 被引量:1
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作者 唐章奎 杨高照 +1 位作者 王栋 李波均 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1383-1384,1431,共3页
介绍了在低产额的DT脉冲中子源上,考虑源本身发射比中子产额高3~4个量级的低能X射线,为了提高脉冲中子测量的信噪比,实验中采用了对中子灵敏的塑料闪烁体探测器,在光路中,采用铅衰减低能X射线的测量方法,获得了高信噪比的脉冲中子产额... 介绍了在低产额的DT脉冲中子源上,考虑源本身发射比中子产额高3~4个量级的低能X射线,为了提高脉冲中子测量的信噪比,实验中采用了对中子灵敏的塑料闪烁体探测器,在光路中,采用铅衰减低能X射线的测量方法,获得了高信噪比的脉冲中子产额测量数据,为堆物理参数测量提供了准确可靠的点火中子数据。 展开更多
关键词 脉冲DT中子测量 X射线屏蔽 闪烁探测器
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用于脉冲中子测量的“裂变γ射线探测器”的设计技术
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作者 张建华 《中国工程物理研究院科技年报》 2010年第1期9-11,共3页
强脉冲辐射场测量是获取辐射场重要的物理特征参数,研究核装置性能的必要手段,其中脉冲中子辐射场测量是其中最为重要和最为活跃的研究内容,而对脉冲中子测量技术的研究又以适用于特定测量场景的脉冲中子探测器设计和研制为其技术核... 强脉冲辐射场测量是获取辐射场重要的物理特征参数,研究核装置性能的必要手段,其中脉冲中子辐射场测量是其中最为重要和最为活跃的研究内容,而对脉冲中子测量技术的研究又以适用于特定测量场景的脉冲中子探测器设计和研制为其技术核心[1-2]。 展开更多
关键词 脉冲中子测量 测量技术 裂变中子 Γ射线探测器 设计 辐射场测量 中子探测器 特征参数
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长硼计数器测量脉冲中子的漏计数问题探讨
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作者 唐章奎 李波均 +2 位作者 王栋 胡孟春 杨高照 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B09期480-482,共3页
根据BF3的探测原理,中子在聚乙烯的输运过程及管内10B(n,α)7Li反应机理,通过大量的测量实验,模拟出脉冲测量中BF3漏计数概率很小的边界条件,该测量方法适合目前脉冲中子装置中的中子产额测量。
关键词 BF3计数器 脉冲中子测量 漏计数
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光电倍增管中子直照灵敏度响应 被引量:9
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作者 张忠兵 马彦良 +4 位作者 欧阳晓平 张国光 张显鹏 张建福 张小东 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1427-1430,共4页
光电倍增管的中子直照响应对脉冲中子探测器的设计和实际应用具有重要影响.分析了中子束直接照射光电倍增管产生直照响应的过程和机理.中子与光电倍增管入射窗硼硅玻璃中的硼和硅发生(n,α)和(n,p)反应,导致窗玻璃产生荧光,从而使光阴... 光电倍增管的中子直照响应对脉冲中子探测器的设计和实际应用具有重要影响.分析了中子束直接照射光电倍增管产生直照响应的过程和机理.中子与光电倍增管入射窗硼硅玻璃中的硼和硅发生(n,α)和(n,p)反应,导致窗玻璃产生荧光,从而使光阴极发射光电子.在5SDH-2小串列加速器上,选用9815B和9850B两种光电倍增管进行实验,得到了光电倍增管的中子直照灵敏度能谱响应曲线.结果表明:中子能量由低到高变化时,光电倍增管的中子直照灵敏度也随之增大;两种光电倍增管的中子直照灵敏度比值为1.9×102~2.74×102,该值与其相应的增益比量级一致. 展开更多
关键词 灵敏度 能谱响应 光电倍增管 脉冲中子测量
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对γ不灵敏的PIN脉冲中子探测器 被引量:3
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作者 杨洪琼 朱学彬 +5 位作者 彭太平 唐正元 杨高照 李林波 宋献才 胡孟春 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 2004年第7期744-748,共5页
将PIN半导体制作成特殊组合结构的PIN脉冲中子探测器 ,利用三通道装置产生的γ脉冲和中子发生器DT反应产生的 14MeV中子脉冲对探测器进行了研究 .结果表明 :PIN脉冲中子探测器对脉冲γ辐射不灵敏 ,对脉冲中子辐射的灵敏程度依赖于中子... 将PIN半导体制作成特殊组合结构的PIN脉冲中子探测器 ,利用三通道装置产生的γ脉冲和中子发生器DT反应产生的 14MeV中子脉冲对探测器进行了研究 .结果表明 :PIN脉冲中子探测器对脉冲γ辐射不灵敏 ,对脉冲中子辐射的灵敏程度依赖于中子辐射转换靶 ,探测器的信噪比达到30∶1,是一种在中子。 展开更多
关键词 PIN探测器 脉冲中子测量 γ脉冲 中子辐射 信噪比 高能物理实验
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组合PIN脉冲中子探测器灵敏度研究 被引量:2
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作者 朱学彬 杨洪琼 +4 位作者 杨健伦 李波均 杨高照 李林波 宋献才 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 2004年第9期991-993,共3页
对新型组合PIN脉冲中子探测器的灵敏度进行了研究 ,实验测量探测器的DT中子灵敏度和γ相对灵敏度 ,用Monte Carlo方法计算了探测器的中子灵敏度 .实验测量和计算表明 :通过转换靶的选取 ,组合PIN探测器的中子灵敏度在一定范围内连续可... 对新型组合PIN脉冲中子探测器的灵敏度进行了研究 ,实验测量探测器的DT中子灵敏度和γ相对灵敏度 ,用Monte Carlo方法计算了探测器的中子灵敏度 .实验测量和计算表明 :通过转换靶的选取 ,组合PIN探测器的中子灵敏度在一定范围内连续可调 ,组合PIN探测器对γ的灵敏度比普通PIN探测器低 2个量级 ,是一种对γ不灵敏的新型脉冲中子探测器 . 展开更多
关键词 灵敏度 PIN探测器 脉冲中子测量 聚乙烯靶 MONTE-CARLO法 中子物理学
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过套管电阻率测井在加拿大阿尔伯塔的现场试验 被引量:1
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作者 Ingo M.Geldmacher 许桂艳 《国外测井技术》 2008年第4期44-46,共3页
通过金属套管测量地层电阻率可以确定储层(已开发)的含水饱和度,即使是低孔隙地层也同样可以适用。但是在低孔隙条件下,进行脉冲中子测量却存在一定的问题。 为了测试新设计的过套管电阻率测井仪器的性能,2005年夏季,在加拿大的... 通过金属套管测量地层电阻率可以确定储层(已开发)的含水饱和度,即使是低孔隙地层也同样可以适用。但是在低孔隙条件下,进行脉冲中子测量却存在一定的问题。 为了测试新设计的过套管电阻率测井仪器的性能,2005年夏季,在加拿大的阿尔伯塔对该仪器进行了现场试验。该试验是在不同的储层条件进行的,贯穿了整个阿尔伯塔不同的现场条件,试验井包括新井到50多年的生产井,地层电阻率也覆盖了很宽的范围,从小于1ΩM的地层到大于100ΩM的生产层位。 在整个试验期间,仪器运行的非常好。测井结果与裸眼井测井曲线比较,具有良好的一致性。 展开更多
关键词 过套管电阻率测井 现场试验 阿尔伯塔 加拿大 脉冲中子测量 地层电阻率 测井仪器 孔隙地层
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过套管电阻率测井在加拿大阿尔伯塔的现场试验
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作者 Ingo M.Geldmacher(著) 许桂艳(译) 《测井与射孔》 2008年第3期13-16,共4页
通过金属套管测量地层电阻率可以确定储层(已开发)的含水饱和度,即使是低孔隙地层也同样可以适用。但是在低孔隙条件下,进行脉冲中子测量却存在一定的问题。 为了测试新设计的过套管电阻率测井仪器的性能,2005年夏季。在加拿大的... 通过金属套管测量地层电阻率可以确定储层(已开发)的含水饱和度,即使是低孔隙地层也同样可以适用。但是在低孔隙条件下,进行脉冲中子测量却存在一定的问题。 为了测试新设计的过套管电阻率测井仪器的性能,2005年夏季。在加拿大的阿尔伯塔对该仪器进行了现场试验。该试验是在不同的储层条件进行的,贯穿了整个阿尔伯塔不同的现场条件,试验井包括新井和50多年的生产井,地层电阻率也覆盖了很宽的范围,从小于1Ω·m的地层到大于100Ω·m的生产层位。 试验采用点测法,测量间隔为1m(39.4in)。每个测量点的数据采集时间取决于套管条件。但是时间差别并不大。即使遇到最差的套管条件,采集时间也仅限于数分钟的范围。测量时,地面计算机屏幕上生成一个数据表,测量的数据显示在该表格中,操作员可以立即对该数据进行分析评价。表格中包含(每个测量段)深度、该深度的测量点数、电阻率、上部和底部电极间的电位、一阶和二阶电位差,以及套管电阻率。 在整个试验期间,仪器运行的非常好。采集的电阻率与裸眼井测井结果比较,具有极好的一致性。本文论述了这次现场试验的结果,以及与裸眼井的数据比较,并讨论了仪器的设计及性能等细节。 展开更多
关键词 过套管电阻率测量 加拿大 含水饱和度 脉冲中子测量
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