脉冲中子-中子测井技术在大港油田的应用

脉冲中子-中子(PNN)测井是利用直接测量热中子通量进而计算剩余油饱和度的测井技术。该项技术通过测量地层中热中子数量随不同时间的变化关系,用特有的处理手段和解释方法求取含油饱和度等多种地层参数。介绍了该项测试技术的测试原理及仪器的技术参数。通过在大港油田70多口井次的应用实例.阐述了该测试技术对含油饱和度的测试、寻找潜力层、低电阻率油层的识别等方法及应用,为油田的后期开发及剩余油开采提供了一种监测手段。

台南气田脉冲中子-中子测井解释方法及应用

为评价水侵后台南气田的储层水淹状况,在套管井中规模应用脉冲中子-中子测井技术。研究井筒内积液、水淹层放射性增强、套管尺寸变化等影响因素对脉冲中子-中子测井曲线的影响及其校正方法,形成基于逐步剥离法和SIGMA—RATGN交会图法的储层饱和度定量解释方法。依据驱油效率、含水饱和度、校正后的热中子俘获截面值,建立台南气田气层水淹级别评价标准。新方法有效提高气层识别准确性和储层饱和度解释精度,水淹层评价符合率达92.3%,为台南气田稳产提供技术支持。

脉冲中子-中子(PNN)测井技术

脉冲中子中子(PNN)测井技术在不洗井、不关井条件下,可实现过套管或过油管的储层监测,即通过测量地层中热中子数量随时间的变化关系,用特有的处理手段和解释方法,求取含油饱和度等多种地层参数。PNN测井系统由井下仪器部分(包括中子发生器短节、中子探测器短节、自然γ短节和通讯短节)、地面数据采集部分及解释软件包部分组成。胜利油田某高含水油井的应用表明,PNN测井技术有助于分析高含水低矿化度油层水淹情况,指导油井采取挖潜措施,措施后该井日增油4t,水的质量分数下降6.2%。

脉冲中子氧活化测井技术及其在大港油田的应用

脉冲氧活化测井技术是近年来监测井下流体的新的测井方法。它不受岩性孔渗参数、射孔孔道大小以及流体粘度的影响,同时由于不使用任何放射示踪剂,因此不存在沾污、沉降、污染等问题,适用于监测聚合物吸液剖面、分层配注、低吸水量注水井及注水井找漏。

我国脉冲中子测井技术发展综述

脉冲中子测井是以脉冲中子源产生快中子,与井眼和地层物质元素原子核发生作用,通过记录γ射线或热中子,从而进行含油饱和度、孔隙度及水流量等地质和工程参数确定的测井技术。概述了国外几种饱和度测井和氧活化水流测井技术及国内对仪器的引进和应用情况,总结了国内中子寿命和碳氧比能谱测井仪的研发历程,并对我国脉冲中子测井技术的发展前景和突破口进行了阐述。

脉冲中子-中子测井及解释技术在青海油田的研究与应用

脉冲中子-中子(PNN)测井是一种通过记录发生俘获反应后地层中的剩余热中子数量,进而来获取储层剩余油饱和度的测井技术。它的测量原理、数据采集和处理方式与常规中子寿命测井相比均有独特之处。通过其在青海油田大量的测井实践以及资料解释方法的研究,认为该项测井技术可在水淹层评价,寻找潜力层和未动用层,有效识别气层,识别低阻油层,低孔低渗储层评价,复杂岩性识别等地质应用方面发挥出重要作用。

脉冲中子-中子测井及解释技术在青海油田的研究与应用

脉冲中子-中子（PNN）测井是一种通过记录发生俘获反应后地层中的剩余热中子数量，进而来获取储层剩余油饱和度的测井技术。它的测量原理、数据采集和处理方式与常规中子寿命测井相比均有独特之处。通过其在青海油田大量的测井实践以及资料解释方法的研究，认为该项测井技术可在水淹层评价，寻找潜力层和未动用层，有效识别气层，识别低阻油层，低孔低渗储层评价，复杂岩性识别，有效判断干层等地质应用方面发挥出重要作用。

新型多功能脉冲中子测井技术在华北油田的应用

脉冲中子氧活化测井和中子寿命测井是新型多功能脉冲中子测井技术的两个重要分支。利用该仪器不仅能完成氧活化和中子寿命测井,测量上、下水流量,还可获得井温、压力、自然伽玛、磁定位等多种参数,便于综合施工、综合解释,避免了多解性,大大提高了测井时效和测量精度。介绍了该仪器在华北油田的应用情况。

我国脉冲中子测井技术发展综述

随着我国经济的不断发展,石油行业也在不断的推进中,人们对石油开采的质量有了更高的要求,各个石油企业的采油量在逐步增加。在石油企业进行采油时,最重要的环节之一就是石油的测井技术。因此,有效合理的提高石油的测井技术有非常重大的意义,本文阐述了当今石油测井技术的发展趋势,并主要论述了我国脉冲中子测井技术的发展。

基于脉冲中子源的密度测井技术研发背景及国内外发展现状

伽马-伽马测井探测深度浅受套管影响大,人们做了很多尝试来改变这种局限:增加探测器的数量会使仪器变的复杂且昂贵,用孔隙度推导密度受岩性影响。一种新的可以解决上述问题的技术--脉冲中子密度测井技术应运而生:高能中子在地层中衰减,伽马射线在伽马源和探头之间的地层中衰减,这就是基于脉冲中子源的密度测井的基础;本文还介绍了此项技术的国内外发展现状。

脉冲中子-中子测井影响因素的数值模拟

利用蒙特卡罗方法建立各种条件下的套管井计算模型,模拟相应的热中子时间谱,进而计算地层宏观吸收截面。模拟结果表明:地层的宏观吸收截面随着孔隙度和含水饱和度的增加而增加,且源距越小、地层水的矿化度和泥质含量越高、套管的尺寸越大、仪器越居中、俘获截面越高的岩性地层条件下,地层的宏观吸收截面值也越大;套管壁厚和水泥环对地层宏观吸收截面没有影响,但套管壁越厚、水泥环厚度越小,热中子总计数越低。利用脉冲中子测井数据确定地层含水饱和度时应对各种影响因素作相应的校正。

Am-Be中子源用于脉冲中子测井的初步探索

研究了Am-Be中子源两个中子间时间间隔的方法在脉冲中子测井中应用的可能性。

适用于脉冲中子-中子测井仪的采集电路设计

依据脉冲中子-中子测井原理设计了合理的电路工作时序,采用MPU+CPLD技术优化设计了数控采集电路,实现了对3He探测器输出信号的能谱及时间谱的精确分析。经实验室验证,仪器性能可靠,工作稳定。

脉冲中子氧活化测井技术在低渗透油田的应用

本文介绍了脉冲中子氧活化测井技术的原理,以及在XX低渗透油田上的应用情况和存在的一些问题。

PSSL脉冲中子全谱测井技术及其应用的探讨

从测井仪器、现场施工、数据处理解释及现场应用效果几个方面介绍一种全新的剩余油评价测井技术,为采油厂提供一套完整解决方案。PSSL脉冲中子全谱测井仪采用新型探测器及独特的谱数据处理技术,使得碳氧比的测量动态范围(在35%孔隙度的油砂、水砂中)由原来的14%提高到34%,大大提高了空隙流体中油水的识别能力,也使得在低孔隙度条件下测量评价剩余油成为可能。PSSL脉冲中子全谱测井技术制定了一套全新现场施工方案,测井时无需洗井、刮蜡、尽量不压井,减少了各种施工把射孔层可动油推走的风险,从而更加客观真实反映各个储层状态。井温、自然伽玛、活化氧等参数动态反映高压出水层,为堵水补孔提供科学的依据。现场应用表明综合解释符合率在85%以上,得到了采油企业的高度评价。

脉冲中子-中子测井(PNN)解释中Σ提取方法及参数的优选

脉冲中子-中子测井技术(PNN)在计算套后剩余油饱和度、确定水淹程度、判断出水层位方面有独特优势。但在高矿化度地层水条件下,地层宏观俘获截面Σ的提取存在较大的不确定性,而Σ的准确性又直接影响含水饱和度的计算结果。笔者基于Hotwell软件,通过对2种计算Σ的方法共5种模式的对比分析,总结出了适合伊朗西南部油田高矿化度地层水条件下Σ的合理计算方法。同时结合该地区常规测井资料,给出了岩石骨架、泥岩和流体的宏观俘获截面参数的优化选择方法。最后通过实例验证了地层、骨架、泥岩和流体的宏观俘获截面的可靠性,为PNN测井技术在该地区的推广应用打下了基础。

氘-氘和氘-氚随钻中子孔隙度测井探测特性对比

为考察在随钻中子孔隙度测井中用氘-氘(D-D)脉冲源替代氘-氚(D-T)源的可行性,利用蒙特卡罗模拟方法,对比分析使用两种脉冲源时测井仪器的热中子空间分布、零源距区域、地层孔隙度灵敏度以及探测深度等探测特性。研究结果表明,D-D与D-T源相比,虽然在水平或大斜度井段对地层界面的分辨能力稍低一点,但是两者的零源距区的上限值、近源距和探测深度都大致相等,且D-D源对地层孔隙度的灵敏度更高、使用时更安全,在随钻脉冲中子孔隙度测井中可以得到更好的使用。

利用脉冲中子衰减~4/能谱测井识别泥质砂岩气层方法初探

脉冲中子衰减%D能谱测井可同时测量非弹性散射伽马射线和俘获伽马射线。它一次下井可直接获得 14 4条曲线 ,其中的地层俘获截面曲线、地层比值曲线和远、近探头计数率曲线以及经过解释软件处理后的总非弹性散射伽马射线和中子、密度孔隙度曲线对气层反映最敏感。同时 ,该测井仪直径小 ,可过套管 (甚至油管 )测量。通过胜利油区八口井的应用 ,表明该技术可过套管独立识别泥质砂岩气层 ,且其方法快速、直观 ,解释符合率高 ,为在套管井中找气提供了可靠的技术方法。

脉冲中子孔隙度测井屏蔽体的蒙特卡罗研究

为了提高随钻脉冲中子孔隙度测井的测量精度,分别针对氘-氚(D-T)和氘-氘(D-D)脉冲中子源,利用蒙特卡罗模拟方法,分层计算了多种屏蔽材料对不同能量中子的慢化和屏蔽效果。通过研究,得到了最佳的屏蔽结构和材料,以及屏蔽体的长度。研究结果表明:综合考虑仪器结构、重量、造价等因素,当随钻中子孔隙度测井使用D-T源时,屏蔽体结构为12 cm的钨或铜外加6 cm碳化硼时,屏蔽效果比较理想;而使用D-D源时,屏蔽体外层同样使用6 cm碳化硼,而内层应选6cm的钨或碳化硼。

脉冲中子辐照下三极管电流-时间响应曲线的试验研究

利用西安脉冲反应堆(XAPR)的脉冲中子进行辐照,在固定发射极电流下,测量了9种类型三极管的电流-时间响应曲线。理论分析认为,可将基极电流的时间响应分为3个阶段:第1阶段基极电流随时间增大而减小,该过程主要受光电流的影响;第2阶段基极电流随时间增大而快速增大,该过程主要受位移损伤缺陷累积作用的影响;第3阶段基极电流随时间增大而减小并趋于稳定,该过程主要受位移损伤缺陷短期退火的影响。基于测量的集电极电流和基极电流,计算了三极管的放大倍数及短期退火曲线。结果表明,9种类型三极管辐照前后放大倍数的变化率之比大于2,但短期退火曲线差别较小,最大退火因子为1.2~1.3,远小于快堆上得到的短期退火因子2~5。分析认为,该结果是因为加电辐照和XAPR脉宽较长造成的,高载流子密度和长脉宽下,脉冲中子辐照期间缺陷的产生与演化同步发生,导致有效的缺陷数量减少,短期退火因子变小。同时,研究发现,短期退火曲线呈指数衰减,这与缺陷演化的一级动力学过程相符。