期刊文献+
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
基于DSP脉冲精确控制的蓄电池充放电装置 被引量:1
1
作者 寇薇 石新春 魏德冰 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2013年第5期59-61,共3页
随着对蓄电池脉冲快速充放电研究的深入,对精确脉冲发生装置及控制算法的研究显得越来越重要。提出一种基于DSP的蓄电池充放电脉冲发生电路,可对充放电脉冲的发生时间、幅值和宽度进行精确控制。并针对短时间脉冲的控制需要,提出一种改... 随着对蓄电池脉冲快速充放电研究的深入,对精确脉冲发生装置及控制算法的研究显得越来越重要。提出一种基于DSP的蓄电池充放电脉冲发生电路,可对充放电脉冲的发生时间、幅值和宽度进行精确控制。并针对短时间脉冲的控制需要,提出一种改进型PI控制算法,可使充电电流尽快稳定在参考值附近。在此基础上研制了一台基于TMS28336型DSP,容量为20 kVA的脉冲充放电装置,并对其进行了脉冲充电电流为500 A,脉冲放电电流为1 500 A的脉冲发生实验,结果验证了所提出的脉冲发生电路和控制算法的可行性,其放电电流平均值精度可达99.5%,纹波误差为1%。 展开更多
关键词 蓄电池 脉冲充放电 比例积分控制
下载PDF
储能电池组充放电电压特性研究
2
作者 庞凯歌 牛哲荟 +3 位作者 董燕飞 刘晓芳 庞彩燕 朱可欣 《河南科技》 2023年第14期87-90,共4页
【目的】大容量集装箱式锂离子电池储能系统通常由成百上千只电池单体串并联而成,由于木桶效应,储能系统中任一电池单体出现故障会导致系统容量衰减,严重时还会引发安全事故,及时甄别储能系统中的故障电池尤为重要。【方法】本研究以电... 【目的】大容量集装箱式锂离子电池储能系统通常由成百上千只电池单体串并联而成,由于木桶效应,储能系统中任一电池单体出现故障会导致系统容量衰减,严重时还会引发安全事故,及时甄别储能系统中的故障电池尤为重要。【方法】本研究以电力储能用磷酸铁锂电池组为对象,研究全充全放及脉冲充放电过程中电池组动态电压特性,通过分析故障电池在全充全放及脉冲充放电过程中电压变化特征,提出储能电池组故障电池快速识别方法。【结果】储能电池组全充全放过程中,故障电池仅在放电末端电压出现大幅下降,脉冲充放电过程中,故障电池电压随充放电功率的增大快速降低。【结论】通过脉冲充放电方式,能够快速识别并定位储能电池组中的故障电池。 展开更多
关键词 储能电池组 脉冲充放电 动态电压
下载PDF
单片机控制的蓄电池快速充电系统 被引量:3
3
作者 雷卫军 张良兵 《自动化与仪表》 2004年第3期91-93,共3页
介绍了单片机控制的蓄电池快速充电系统的主电路及控制电路的组成。采用脉冲充放电方式,通过检测充电参数从而实现了对蓄电池的快速智能充电。
关键词 蓄电池 快速充电系统 单片机 控制电路 脉冲充放电
下载PDF
ZnO掺杂对钛酸锶基陶瓷储能性能的影响
4
作者 王佳蕊 刘洋 +4 位作者 刘璐璐 王娣 王超 郝继功 李伟 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期1183-1191,共9页
采用传统固相合成工艺制备了(Sr_(0.42)Na_(0.15)Bi_(0.29)Ca_(0.07)□_(0.07))TiO_(3)-x%ZnO(□表示空位,化学式简写为SNBCT-x%ZnO,质量分数)储能陶瓷,并研究了ZnO掺杂对SNBCT陶瓷结构和储能性能的影响。结果表明:所用组分样品均具有... 采用传统固相合成工艺制备了(Sr_(0.42)Na_(0.15)Bi_(0.29)Ca_(0.07)□_(0.07))TiO_(3)-x%ZnO(□表示空位,化学式简写为SNBCT-x%ZnO,质量分数)储能陶瓷,并研究了ZnO掺杂对SNBCT陶瓷结构和储能性能的影响。结果表明:所用组分样品均具有以立方相为主相的钙钛矿结构,并表现出细长的电滞回线。ZnO掺杂有效提高了SNBCT陶瓷的击穿强度,并促进了其储能性能的提升。当ZnO掺杂量为0.5%时,样品在468 kV/cm电场下的有效储能密度(W_(rec))达5.16 J/cm^(3),储能效率(η)为88.2%。通过有限元分析建立了该组分陶瓷的晶粒/晶界模型,模拟了电场作用下样品击穿裂纹的扩展,分析了样品高耐击穿行为的内在机理。此外,样品还具有良好的充放电性能,放电能量密度(Wd)和放电速率(t_(0.9))在280 kV/cm电场下分别为2.61 J/cm^(3)和227 ns,同时样品表现出良好的温度稳定性,在脉冲功率系统中展示出良好的应用潜力。 展开更多
关键词 电介质陶瓷 钛酸锶 储能性能 脉冲充放电
原文传递
一种基于雪崩二极管电容特性提取通讯波段单光子信号的方法
5
作者 齐兰 杨磊 +1 位作者 郭学石 李小英 《量子光学学报》 CSCD 北大核心 2013年第3期227-231,共5页
InGaAs/InP雪崩二极管(APD)可用于探测光通讯波段的单光子。APD工作于门模盖革模式时,单个光子引起的雪崩电流信号通常淹没在电容瞬时充放电脉冲中,光电流信号提取困难。本文通过调整实验参数和APD的寄生电容,使雪崩信号与放电脉冲在时... InGaAs/InP雪崩二极管(APD)可用于探测光通讯波段的单光子。APD工作于门模盖革模式时,单个光子引起的雪崩电流信号通常淹没在电容瞬时充放电脉冲中,光电流信号提取困难。本文通过调整实验参数和APD的寄生电容,使雪崩信号与放电脉冲在时域上有效叠加,并由高速比较器将光电流信号直接甄别出来。本文设计的基于InGaAs/InP APD的单光子探测系统,运行稳定,方法简单可靠,说明这种利用APD的电容特性提取单光子信号是一种有效的方法。 展开更多
关键词 光通讯波段 单光子探测 雪崩二极管 充放电脉冲
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部