脉冲准分子激光沉积纳米WO_3多晶电致变色薄膜的研究

采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术 ,在不同条件下 ,在透明导电衬底SnO2 ∶In2 O3 (ITO)及Si ( 111)单晶衬底上沉积了非晶WOx 薄膜 .采用X射线衍射 (XRD)、Raman光谱 (RS)、Fourier红外光谱 (FT -IR)及透射电镜扫描附件 (STEM )对在不同条件下沉积及不同温度退火处理的样品进行了结构分析 ,结果表明 :氧气氛和衬底温度是决定薄膜结构和成分的主要参数 .采用三斜相的WO3 靶材 ,在 10 0℃及2 0Pa氧压下沉积 ,经 30 0℃以上退火处理 ,在Si( 111)及ITO衬底上得到了三斜相的纳米晶WO3 薄膜 .随着氧压的减少 ,薄膜中氧缺位增多 .采用ITO基片 ,氧压 2 0Pa,经 30 0℃热处理的薄膜 ,呈多晶态 ,晶粒分布均匀 ,晶粒平均尺寸为 2 0～ 30nm .经 40 0℃热处理的薄膜 ,呈多晶态 ,晶界明显 ,晶粒分布呈开放型多孔结构 ,晶粒平均尺寸为 30～ 5 0nm .这一典型的结构有利于离子的注入和抽出 .

WO_3/Si纳米晶薄膜的脉冲准分子激光沉积及结构分析

采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术，在Ｓｉ（１１１）单晶衬底上沉积了 ＷＯｘ薄膜．采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、喇曼光谱（ＲＳ）、付里叶红外光谱（ＦＴ－ＩＲ）及透射电镜扫描附件（ＳＴＥＭ）对不同条件下沉积的样品进行了结构分析．结果表明，氧分压和沉积温度是决定薄膜结构和成份的主要参数．在沉积温度３００℃以上及２０Ｐａ氧压下得到了三斜相纳米晶ＷＯ３薄膜．

脉冲准分子激光扫描沉积(PLD)高c轴取向V_2O_5/Si薄膜及结构分析

采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术 ,在Si(111)单晶衬底上沉积了多晶V2 O5 薄膜 ,经 3 0 0℃以上退火处理得到了具有高c -轴取向生长的V2 O5 薄膜 .3 0 0℃以上热退火处理的薄膜表面具有正常的化学计量比 (无氧缺位 ) ,晶粒间界明显 ,晶粒呈针棒状 ,晶粒尺寸在10 0～ 2 0 0nm之间 .采用X射线衍射 (XRD)、Raman光谱 (RS)、Fourier红外光谱 (FT -IR)及透射电镜扫描附件 (STEM )对沉积及不同温度下退火处理的样品进行了结构分析 .研究结果表明 :V2 O5 /Si薄膜经 40 0℃热处理后表面部分处于低价态的钒离子已被氧化为V2 O5 .

AlN薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积

研究了采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上AlN薄膜的制备及其性质。结果表明,衬底温度从室温到800℃的范围内,所得到的AlN薄膜为(002)择优取向的纤锌矿结构。随着衬底温度的升高,AlN薄膜从纳米晶结构转为多晶结构,同时表面微粗糙度上升。AlN晶粒呈柱状生长机制。

利用脉冲准分子激光在ZnS上沉积类金刚石薄膜

利用氟化氪（KrF）脉冲准分子激光烧蚀沉积（PLD）技术，通过对激光等离子体的粒子成分以及空间分布的诊断，实现了等离子体成分的选择性沉积。在不降低光谱范围和透过率指标的前提下，解决了类金刚石（DLC）薄膜和硫化锌（ZnS）基底的牢固结合问题；通过改进基底平台的扫描方式，在激光烧蚀沉积工艺中沉积了φ80 mm的大面积均匀类金刚石薄膜。制备的类金刚石／ZnS镀膜样品，光谱范围为0．53～12μm，其中1．3～11μm波段透过率在70％以上，膜层均匀性优于95％，可耐受环境湿度95％～100％，工作温度-45～85℃，附着力达到国军标要求。研究表明，利用类金刚石薄膜可以明显提高ZnS材料的耐冲击、耐高温、耐辐射和抗沙粒、盐、雾和尘埃的磨损侵蚀等能力。

准分子脉冲激光沉积法制备的ZrO_2薄膜结构和电学性能的研究

采用准分子脉冲激光沉积法 (PLD)分别在Pt/Ti/SiO2 /Si和SiO2 /Si衬底上制备了ZrO2 薄膜 ,采用扩展电阻法 (SRP)研究了薄膜纵向电阻分布 ;采用X射线衍射法 (XRD)研究了衬底温度对ZrO2 薄膜结晶性能的影响 ;精确测试了薄膜的表面粗糙度 ;讨论了薄膜结晶性能与其电学I V特性之间的关系。

BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜的I-V特性研究

为了有效阻止锆钛酸铅镧(PLZT)与半导体界面发生反应和互扩散,根据锆钛酸铅镧和钛酸铋(BIT)各自的铁电性能,采用脉冲准分子激光淀积(PLD)方法制备了BIT/PLZT/BIT多层结构铁电薄膜,测量和分析了它的I-V特性曲线.结果表明,这种结构吸收了锆钛酸铅镧和钛酸铋的优点,提高了铁电薄膜的铁电性能,为进一步研究薄膜的存储特性提供了基础.

BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜结构设计及制备的实验研究

为了有效阻止锆钛酸铅镧(PLZT)与半导体界面发生反应和互扩散,根据锆钛酸铅镧和钛酸铋(B IT)各自的铁电性能,提出了一种新的设计思想———多层铁电薄膜.采用脉冲准分子激光淀积(PLD)方法制备了B IT/PLZT/B IT多层铁电薄膜.采用Sawyer-Tower电路测量,其剩余极化强度Pr=34μC/cm2,矫顽场Ec=40 kV/cm.这种结构吸收了锆钛酸铅镧和钛酸铋的优点,提高了铁电薄膜的铁电性能.

镀膜技术及设备

O484.1 97042545化学水浴法沉积CdS多晶薄膜=Polycrystallinethin films CdS dipped by chemical bath deposition[刊,中]/崔海宁,冯力(中科院长春应化所.吉林,长春(130022))//太阳能学报.—1996,17(2).—189-191介绍了用化学水浴法沉积CdS的方法。SEM,XRD以及透射光谱等分析表明,沉积在玻璃载片上的CdS膜,透明、均匀、密实,适合制作太阳电池窗口材料。同时简述了CdS膜生长,生成的化学过程和机理。图4参8(严寒)

功能梯度类金刚石薄膜的脉冲激光制备

长期以来 ,高质量的纯类金刚石薄膜的成功制备一直受其巨大内部压应力的阻碍 ,因为这种压应力导致严重的附着问题。厚度大于 50 0nm的类金刚石薄膜中的压应力常使薄膜与基体剥离。作者采用功能梯度的设计概念 ,应用准分子脉冲激光沉积方法 ,成功制备了厚度超过 1 0 μm的高质量类金刚石薄膜。薄膜中的SP3碳原子含量超过 6 0 %。纳米硬度测试表明 ,薄膜的弹性模量高达 50 0GPa ,纳米硬度高达 6 0GPa ,薄膜与基体间附着良好。证明功能梯度的设计概念可以用于制备较厚的超硬类金刚石薄膜。