脉冲多弧离子源所镀膜层均匀性的实验研究

为了解决脉冲多弧离子源镀制膜层的均匀性问题，文中首先分析了不同阴极尺寸、不同辅助阳极尺寸、不同引弧方法以及不同基片距阴极的距离引起所镀膜层透过率曲线的改变，进而讨论了脉冲多弧离子源电极几何尺寸对膜厚均匀性的影响．采用在基片下加一个圆筒形负电位电极实现了脉冲多弧离子源镀膜的均匀性．实验结果表明，在直径７０ｍｍ范围内透过率相对误差为±６．７％，小于所要求的±１０％．

脉冲多弧离子源引弧效率的定量检测与过程控制

介绍了一种应用于脉冲多弧离子源镀膜过程控制的电子监控装置．用该装置定量检测脉冲多弧离子源的引弧效率，克服了因停弧带来的膜厚误差的缺点．本文主要叙述了该装置的工作原理及有关电路．

热处理与表面处理工艺

Y98-61429-192 9907417用高功率离子束改进基于 Al、Fe 和 Ti 的金属的特性的表面处理和合金=Surface treatment and alloyingwith high-power ion beams to improve properties in Al-,Fe-,and Ti-based metals[会,英]/Renk,T.J.&Buchheit,R.G.//1997 IEEE 11th International PulsedPower Conferenee,Vol.1.—192～197(AG)Y98-61442-377 9907418微电子器件生产用的激光化学汽相淀积=Laser chem-ical vapor deposition for microelectronics production[会,