Nd-Sr-Mn-O钙态矿锰氧化物的低场磁电阻效应

采用固相烧结法和脉冲激光沉积法分别制备了钙态矿型锰氧化物Nd1-xSrxMnO3(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)大块多晶和Nd0.7Sr0.3MnO3在(100)LaAlO3基片上的单取向薄膜样品,分别研究了这些样品的磁电阻效应。研究表明,在多晶样品中,x=0.3时具有最大的磁电阻比,其值在240K和1T磁场下可达24.2%。对于同一成分的外延薄膜,发现磁电阻随着沉积时基片温度Ts的升高而下降,当Ts=500℃时的制备态薄膜在同样条件下的磁电阻可达84%,随着外加磁场增大到5T,磁电阻将线性增大到275%。并讨论了造成单取向膜和块材磁电阻不同的原因。