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利用反向脉冲电镀技术电铸无应力镍
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作者 范宏义 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2002年第9期67-67,共1页
关键词 反向脉冲电镀技术 电铸 无应力镍 镀层
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脉冲电镀技术在印制电路板制造中应用
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作者 李学明 《印制电路与贴装》 2001年第7期28-32,共5页
关键词 脉冲电镀技术 印刷电路板 制造工艺
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浅谈脉冲电镀电源 被引量:9
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作者 侯进 《电镀与环保》 CAS CSCD 2005年第3期28-31,共4页
关键词 电镀电源 脉冲电镀技术 物理化学性能 金属电沉积 功能性镀层 脉冲参数 电子电镀 脉冲电源 质量要求 电子器件 电子工业 推广应用 贵金属 相比
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贫铀表面脉冲电镀镍的组织结构与抗腐蚀性能
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作者 王庆富 张鹏程 +5 位作者 王晓红 郎定木 任大鹏 申亮 张延志 王嘉勇 《中国工程物理研究院科技年报》 2004年第1期402-403,共2页
在氨基磺酸盐镀液中采用脉冲电镀技术以不同的电镀参数进行镍镀层制备,采用X射线衍射仪、扫描电镜、透射电镜、金相显微镜对镀层的组织结构进行分析,用电化学综合测试系统及重量法在50μg/gCl^-的氯化钾溶液对镀层的孔隙率和电化学腐... 在氨基磺酸盐镀液中采用脉冲电镀技术以不同的电镀参数进行镍镀层制备,采用X射线衍射仪、扫描电镜、透射电镜、金相显微镜对镀层的组织结构进行分析,用电化学综合测试系统及重量法在50μg/gCl^-的氯化钾溶液对镀层的孔隙率和电化学腐蚀性能以及腐蚀动力学曲线进行测试。 展开更多
关键词 脉冲电镀技术 抗腐蚀性能 组织结构 电镀 综合测试系统 表面 贫铀 X射线衍射仪
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微盲孔填充及通孔金属化:技术选择及解决方案
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作者 J.Rasmussen H.Verbunt D.lsik 《印制电路资讯》 2007年第4期9-12,共4页
电子产品向轻、薄、短、微型化的发展趋势要求印制线路板及包装材料的空间体积向更小型化发展,高密度互连(HDI)技术已经成为发展的必然趋势。线路板的功能可靠性很大程度上取决于直接金属化、微盲孔填充及通孔金属化的品质。 为改... 电子产品向轻、薄、短、微型化的发展趋势要求印制线路板及包装材料的空间体积向更小型化发展,高密度互连(HDI)技术已经成为发展的必然趋势。线路板的功能可靠性很大程度上取决于直接金属化、微盲孔填充及通孔金属化的品质。 为改善流程的性能,人们往往会提高工艺流程的复杂程度,使用不同类型的添加剂,这使流程更加难以控制。另外,PPR脉冲电镀技术作为一种解决方案已被应用,最终还是要通过功能性化学品的氧化还原保护作用来维持添加剂的稳定性。 一项新的技术已经问世,此技术简单而又能有效地控制流程,可实现微孔填充与通孔金属化同步进行,已经在整板电镀和图形电镀的应用中得到了证实与认可。该技术可应用于传统垂直起落的浸入式直流电镀生产线。另外,此项新技术添加剂的使用量少,从而延长了镀液使用寿命,流程品质也易于管理与控制。 展开更多
关键词 技术选择 孔金属化 微盲孔 填充 脉冲电镀技术 印制线路板 控制流程 高密度互连
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在脉冲电镀过程中控制金属沉积的一种新方法
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《国际表面处理》 2004年第1期42-45,共4页
脉冲电镀技术已被广泛地使用,并已被看作是改善分布特性,镀层质量以及提高溶液效率和电镀速度的一种方法。
关键词 脉冲电镀技术 金属沉积 镀层 电镀速度 电流密度 电流效率值
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CuInSe_2 thin films obtained by pulse-plating electrodeposition technique with novel pulse wave 被引量:2
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作者 WANG XiaoLi WANG GuangJun TIAN BaoLi WAN ShaoMing DU ZuLiang 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2010年第18期1854-1858,共5页
CuInSe2 films were electrodeposited onto indium tin oxide(ITO) substrate in constant current mode using bell-like wave modulated square wave in aqueous solution.The films obtained at different pulse frequencies were c... CuInSe2 films were electrodeposited onto indium tin oxide(ITO) substrate in constant current mode using bell-like wave modulated square wave in aqueous solution.The films obtained at different pulse frequencies were characterized by scanning electron microscopy(SEM),X-ray energy dispersive spectroscopy(EDS) and X-ray diffraction(XRD).UV-Vis-NIR absorption spectro scopy was used to study the optical properties of these films.The results showed that the chalcopyrite phase CuInSe2 films with a smooth surface and stoichiometric composition could be obtained at appropriate pulse frequency.The crystallinity of CuInSe2 films could be further improved after annealing treatment.Despite this,we also found that the films obtained using the pulse-plating electrodeposition technique had a faster deposition rate and better film adhesion ability than that using the traditional CIS electrodeposition technique,which is significant to the low-cost CIS thin film solar cell production. 展开更多
关键词 CuInSe2薄膜 脉冲电镀技术 CulnSe2 脉冲 扫描电子显微镜 近红外吸收光谱 脉冲频率 铟锡氧化物
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