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脉冲电阳极腐蚀纳米多孔硅的蓝光发射
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作者 张亚增 彭德应 《四川师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1996年第5期70-72,共3页
用直流叠加方波脉冲电流阳极腐蚀法制得了多孔硅（ＰＳ），样品经ＸｅＣｌ准分子激光器的３０８ｎｍ激光的激发，获得了中心波长为４６２ｎｍ、半高宽为１２６ｎｍ的蓝色光致发光（ＰＬ）谱．ＰＳ断面的透射电镜（ＴＥＭ）分析发现有ｎ... 用直流叠加方波脉冲电流阳极腐蚀法制得了多孔硅（ＰＳ），样品经ＸｅＣｌ准分子激光器的３０８ｎｍ激光的激发，获得了中心波长为４６２ｎｍ、半高宽为１２６ｎｍ的蓝色光致发光（ＰＬ）谱．ＰＳ断面的透射电镜（ＴＥＭ）分析发现有ｎｍ量级的Ｓｉ原子团组成的一维量子线（柱）阵列和三维量子海棉结构． 展开更多
关键词 脉冲电阳极腐蚀 多孔硅 光致发光 半导体 硅
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