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脉冲离子源所镀膜层厚度分布曲线的测量 被引量:2
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作者 蔡长龙 王季梅 +3 位作者 李 刚 杭凌侠 徐均琪 严一心 《真空电子技术》 2002年第2期25-27,共3页
为了解决大面积类金刚石薄膜的均匀性,首先要研究脉冲离子源所镀制的类金刚石薄膜的厚度分布曲线。针对这一目的,做了大量工艺实验,在不同的脉冲离子源电源参数(主回路电压,脉冲频率)、基片高度以及磁场等工艺参数下制备了样品,并选择... 为了解决大面积类金刚石薄膜的均匀性,首先要研究脉冲离子源所镀制的类金刚石薄膜的厚度分布曲线。针对这一目的,做了大量工艺实验,在不同的脉冲离子源电源参数(主回路电压,脉冲频率)、基片高度以及磁场等工艺参数下制备了样品,并选择了一种合适的膜厚测量仪器进行了膜厚分布测量,获得了在各种工艺参数下脉冲离子源所镀膜层厚度的分布曲线。 展开更多
关键词 脉冲离子源 薄膜沉积 厚度分布曲线 膜厚测量
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2.5MV静电加速器ns脉冲离子源的研制
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作者 袁其清 代云方 李宗培 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期537-539,共3页
2.5MV静电加速器ns脉冲离子源的研制袁其清代云方李宗培(原子核科学技术研究所)利用毫微秒脉冲束进行中子物理实验,可使测量本底显著降低,能提高测量精度[1~3].我们为使2.5MV质子静电加速器能提供能量为1~2.... 2.5MV静电加速器ns脉冲离子源的研制袁其清代云方李宗培(原子核科学技术研究所)利用毫微秒脉冲束进行中子物理实验,可使测量本底显著降低,能提高测量精度[1~3].我们为使2.5MV质子静电加速器能提供能量为1~2.5MeV毫微秒脉冲束流的要求,在对... 展开更多
关键词 静电加速器 脉冲离子源 中子物理实验
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增强型脉冲离子源镀制DLC薄膜拉曼光谱研究 被引量:2
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作者 陈朝平 朱昌 郭芮 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期228-231,共4页
本文利用增强型脉冲电弧离子源在硅基底上沉积类金刚石薄膜,拉曼光谱分析表明DLC薄膜中sp3键含量比不加磁过滤装置时脉冲离子源所镀的类金刚石薄膜高,折射率更接近金刚石折射率2.4并且光学带隙也增大,证明用增强型脉冲离子源镀制的类金... 本文利用增强型脉冲电弧离子源在硅基底上沉积类金刚石薄膜,拉曼光谱分析表明DLC薄膜中sp3键含量比不加磁过滤装置时脉冲离子源所镀的类金刚石薄膜高,折射率更接近金刚石折射率2.4并且光学带隙也增大,证明用增强型脉冲离子源镀制的类金刚石薄膜sp3键含量提高,性能得到了很大改善。 展开更多
关键词 增强型脉冲离子源 磁过滤装置 类金刚石薄膜 拉曼光谱 折射率 光学带隙
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大功率长脉冲离子源引出系统的热应力计算与分析
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作者 邹桂清 《核工业西南物理研究院年报》 2006年第1期102-104,共3页
1引言 大功率长脉冲离子源技术研究是当今托卡马克装置上中性束注入器技术研究领域的前沿课题之一。离子源技术向大功率、长脉冲和高可靠性方向发展的趋势对大面积多孔(或多缝)引出系统的设计提出了更高的要求。当大功率离子源长脉... 1引言 大功率长脉冲离子源技术研究是当今托卡马克装置上中性束注入器技术研究领域的前沿课题之一。离子源技术向大功率、长脉冲和高可靠性方向发展的趋势对大面积多孔(或多缝)引出系统的设计提出了更高的要求。当大功率离子源长脉冲运行时,引出系统较长时间一作在接近击穿的高场强区,在离子被引出和加速的过程中,由于粒子间的相互作用。 展开更多
关键词 脉冲离子源 引出系统 大功率 热应力计算 脉冲运行 中性束注入器 托卡马克装置 高可靠性
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脉冲多弧离子源所镀膜层均匀性的实验研究 被引量:3
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作者 蔡长龙 朱昌 +2 位作者 杭凌侠 刘卫国 严一心 《西安工业学院学报》 1998年第4期270-274,共5页
为了解决脉冲多弧离子源镀制膜层的均匀性问题,文中首先分析了不同阴极尺寸、不同辅助阳极尺寸、不同引弧方法以及不同基片距阴极的距离引起所镀膜层透过率曲线的改变,进而讨论了脉冲多弧离子源电极几何尺寸对膜厚均匀性的影响.采用... 为了解决脉冲多弧离子源镀制膜层的均匀性问题,文中首先分析了不同阴极尺寸、不同辅助阳极尺寸、不同引弧方法以及不同基片距阴极的距离引起所镀膜层透过率曲线的改变,进而讨论了脉冲多弧离子源电极几何尺寸对膜厚均匀性的影响.采用在基片下加一个圆筒形负电位电极实现了脉冲多弧离子源镀膜的均匀性.实验结果表明,在直径70mm范围内透过率相对误差为±6.7%,小于所要求的±10%. 展开更多
关键词 离子 均匀性 镀膜层 膜厚 脉冲多弧离子源
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脉冲多弧离子源引弧效率的定量检测与过程控制
6
作者 弥谦 杭凌侠 朱昌 《西安工业学院学报》 1997年第3期189-191,共3页
介绍了一种应用于脉冲多弧离子源镀膜过程控制的电子监控装置.用该装置定量检测脉冲多弧离子源的引弧效率,克服了因停弧带来的膜厚误差的缺点.本文主要叙述了该装置的工作原理及有关电路.
关键词 脉冲多弧离子源 控制电路 监控装置 镀膜
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脉冲激光离子源飞行时间质谱计的设计与研制
7
作者 易有根 姚德成 +4 位作者 李邵辉 陈志坚 金树衡 李琼如 肖桂里 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期274-278,共5页
目前国内外的飞行时间质谱计,大多采用双电场加速的方式改善其质谱分辨率。通过较详尽的计算,讨论了双电场飞行时间质谱计中各参数对质谱分辨率和灵敏度的影响及其选择的方向,并在此基础上选定了仪器的主要参量,为飞行时间质谱计的... 目前国内外的飞行时间质谱计,大多采用双电场加速的方式改善其质谱分辨率。通过较详尽的计算,讨论了双电场飞行时间质谱计中各参数对质谱分辨率和灵敏度的影响及其选择的方向,并在此基础上选定了仪器的主要参量,为飞行时间质谱计的设计与改进提供了依据。还介绍了在此基础上设计与建立的脉冲激光离子源飞行时间质谱计。 展开更多
关键词 飞行时间质谱计 分辨率 脉冲激光离子源
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脉冲强流离子束加工装置
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作者 张正模 《等离子体应用技术快报》 1997年第12期11-12,共2页
关键词 脉冲强流离子束加工装置 脉冲高压离子源
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脉冲源所镀DLC膜成份的分析 被引量:1
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作者 弥谦 蔡长龙 《应用光学》 CAS CSCD 2003年第5期44-46,共3页
 类金刚石薄膜(DLC膜)的成份(主要指sp3键和sp2键)是影响薄膜性能如薄膜的机械特性和电阻特性等的重要因素。因此,研究DLC膜的成份是非常必要的。本文介绍用X射线光电子能谱仪(XPS)测量薄膜成份的方法。通过采用脉冲真空电弧离子源研...  类金刚石薄膜(DLC膜)的成份(主要指sp3键和sp2键)是影响薄膜性能如薄膜的机械特性和电阻特性等的重要因素。因此,研究DLC膜的成份是非常必要的。本文介绍用X射线光电子能谱仪(XPS)测量薄膜成份的方法。通过采用脉冲真空电弧离子源研究在各种工艺条件下镀制的DLC膜,发现了影响DLC膜成份的主要因素。 展开更多
关键词 DLC膜 类金刚石薄膜 成份分析 机械特性 电阻特性 X射线光电子能谱仪 脉冲真空电弧离子源
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Helium Droplets: An Apparatus to Study Ultra Cold Chemistry
10
作者 张翠梅 张志国 +2 位作者 黄存顺 张群 陈旸 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2013年第3期270-276,I0003,共8页
A new pulsed helium nano droplets machine has been constructed. The droplets were gener- ated by expansion of the pure helium through the cryogenic valve attached to a closed-cycle cryostat. The mean size of helium dr... A new pulsed helium nano droplets machine has been constructed. The droplets were gener- ated by expansion of the pure helium through the cryogenic valve attached to a closed-cycle cryostat. The mean size of helium droplets can be controlled between 103 and 105 helium atoms by tuning the backing pressure (10-40 bar) and temperature (10-30 K). Compared with the continuous-flow beam source, the density of droplet is at least one order of magni- tude higher, which offers the opportunity to combine the system with the commercial pulsed laser to study chemical reactions inside of the superfluid helium at ultra-low temperature. The performance for the system has been checked by studying the photodissociation of CH3I doped droplets at 252 nm with the velocity map imaging technique. The photofragments, CH3, were detected by (2+1) resonance enhanced multiphoton ionization. The speed and angular distributions derived from resulting images show clear evidence of the relaxation effect by the surrounding helium atoms. The pulsed helium droplets depletion spectroscopy was also demonstrated. The depletion spectrum of benzene doped helium droplets indicates that less than 3% depletion can be observed with the newly constructed apparatus. 展开更多
关键词 Helium droplet Pulsed beam Ion imaging TOF mass spectrum
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Calibration of Activation Counter by a 2.48 kJ Plasma Focus Device
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作者 S.R. Moghadam F.A. Davani B.S. Bidabadi 《Journal of Energy and Power Engineering》 2011年第12期1163-1167,共5页
In many experiments, plastic scintillators are used as a counter instead of Geiger Muller counter, because they are so fast and they are used for pulsed neutron sources. So a silver activation counter has been constru... In many experiments, plastic scintillators are used as a counter instead of Geiger Muller counter, because they are so fast and they are used for pulsed neutron sources. So a silver activation counter has been constructed by plastic scintillator plates along with silver foils for determination the neutron yield of a 2.48 kJ plasma focus device, SBUPF1. This counter was calibrated by source removal method with an Am-Be 5 Ci neutron source which was placed above the anode of plasma focus device. Deuterium gas up to 8 mbar pressure was injected to this device, and the neutron yield produced by pulsed D-D fusion of plasma focus device was measured by the counter. The neutron yield of SBUPF1 in 8 mbar pressure was obtained (3.71± 0.32)×10^7 neutrons per shot. This result has relatively agreed with the neutron yield measured by silver activation Geiger counters. 展开更多
关键词 Activation counter plasma focus device neutron yield.
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HL-1M中性束注入器加速极电源的调试和初步运行
12
作者 王德泰 吴志格 《电源世界》 2003年第3期34-37,共4页
本文介绍了HL-1M中性束注入器加速极电源的调试方法和初步运行。
关键词 中性束注入器 强流脉冲离子源 加速极高压电源
原文传递
热处理与表面处理工艺
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《电子科技文摘》 1999年第6期41-42,共2页
Y98-61429-192 9907417用高功率离子束改进基于 Al、Fe 和 Ti 的金属的特性的表面处理和合金=Surface treatment and alloyingwith high-power ion beams to improve properties in Al-,Fe-,and Ti-based metals[会,英]/Renk,T.J.&B... Y98-61429-192 9907417用高功率离子束改进基于 Al、Fe 和 Ti 的金属的特性的表面处理和合金=Surface treatment and alloyingwith high-power ion beams to improve properties in Al-,Fe-,and Ti-based metals[会,英]/Renk,T.J.&Buchheit,R.G.//1997 IEEE 11th International PulsedPower Conferenee,Vol.1.—192~197(AG)Y98-61442-377 9907418微电子器件生产用的激光化学汽相淀积=Laser chem-ical vapor deposition for microelectronics production[会, 展开更多
关键词 表面处理工艺 高功率离子 热处理 化学汽相淀积 微电子器件 脉冲多弧离子源 激光辅助 实验研究 金属的 实验结果
原文传递
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