垂面取向硅基液晶(VA-LCOS)电光特性与脐缺陷弹性能的近似描述

基于光学Jones方法,计算模拟垂面排列(VA)LCOS的电光特性。在VA-LCOS工艺中,由于垂面锚泊的无限度简并,会出现"脐"缺陷,并且是成对的。在这里,"脐"缺陷可以近似描述成线缺陷,进而介绍了单个"脐"缺陷的弹性能量,以及"脐"缺陷间的相互作用。

负性向列相液晶电致缺陷的产生与湮灭过程

取向有序的液晶材料具有丰富的物理各向异性、外场响应性、物理效应,催生了新一代的光电应用.利用电场可在液晶中产生拓扑缺陷.缺陷动态过程受材料自身特性和外界条件的影响尚未明晰.本文选用介电各向异性△ε在-1.1到-11.5之间的7种向列相液晶材料,通过施加线性增加的交流电场,研究了负性向列相液晶电致脐点缺陷产生到湮灭过程中材料特性(△ε)和外界条件(温度、外加电场参数)对脐点缺陷的标度规律及湮灭快慢的影响.结果表明:在不同的△ε、温度和电场频率下,缺陷产生过程均满足Kibble-Zurek机制,即缺陷密度与电场变化率之间存在标度关系,且标度指数约为1/2;温度越高,产生缺陷密度越大;△ε越强或电场变化越快,缺陷湮灭速度越快.本文的研究厘清了拓扑缺陷产生湮灭与材料特性和外界条件的依赖关系,有利于对软物质中拓扑缺陷动态过程的认识和理解.

垂面排列(VA)中的“脐”缺陷

文章从实验上进行了非简并垂面排列下的电光特性的研究,以及在简并垂面排列下所导致的脐缺陷的观察,并从理论上对这种简并的情况进行了讨论。