微量Ga对高压阳极铝箔腐蚀发孔性能的影响

采用金相显微镜和扫描电镜观察腐蚀形貌,结合动电位极化曲线测试点蚀电位,研究微量Ga对高压阳极铝箔腐蚀发孔性能的影响。结果表明,含Ga铝箔经退火后,点蚀电位约为-0.85V,比退火态不含Ga铝箔的点蚀电位负移约80 mV;退火后Ga在铝箔表面发生富集,增强了铝箔在含氯离子溶液中的点蚀倾向。当Ga含量20×10-6时,铝箔腐蚀区面积比约98%,腐蚀区内蚀坑数量众多、分布均匀,扩面效果显著;Ga含量达到80×10-6时,虽然腐蚀区面积比高,但腐蚀区内局部区域形成粗大蚀坑,腐蚀均匀性有所降低。因此,添加适量Ga可显著改善铝箔在HCl-H2SO4溶液中的腐蚀发孔性能。

痕量Ga及退火工艺对高压阳极铝箔电化学性能的影响

通过开路电位-时间曲线、极化曲线和恒电位电流密度暂态曲线研究痕量 Ga 及退火工艺对高压阳极铝箔电化学性能的影响，在此基础上，结合光学显微镜和扫描电镜研究痕量 Ga 对阳极铝箔腐蚀发孔性能的影响。结果表明，退火工艺可以改变Al-44×10-6 Ga在含氯离子溶液中的电化学活性。提高退火温度（200～600℃）可促使Al-44×10-6 Ga的点蚀电位负移，500℃退火、保温1 h后，延长退火保温时间（4～12 h），点蚀电位变动很小；相对无Ga高纯铝，Ga含量为44×10-6的高纯铝在中性NaCl溶液中的开路电位向负电位方向移动约0.1～0.15 V、点蚀电位负移约0.11 V，并能在更负的电位下发生活性溶解；进而使相应的含Ga铝箔的腐蚀区面积比显著提高至96.5%，且蚀孔密度、分布均匀性提高，即痕量Ga改善了阳极铝箔在环保型盐酸-硫酸体系中的腐蚀发孔性能。