腐蚀液温度对铝箔发孔的研究

采用单因素试验法,研究了腐蚀液的温度对腐蚀箔孔的萌生和生长的影响。通过使用SEM电镜对不同条件下腐蚀箔表面、截面进行电镜分析,同时使用恒流极化曲线测试不同温度铝箔极化曲线,对比不同温度下孔腐蚀箔孔的萌生及孔的生长情况。结果表面,温度在66.5-71.5℃条件下对蚀孔萌生的影响较小,但是不同温度条件在蚀孔生长阶段呈现出明显规律,在65.5-68.5℃范围内,蚀孔长度呈逐渐增长的状态;在69.5-71.5℃范围内,蚀孔长度达到最大。在72.5-74.5℃范围内,大部分蚀孔出现生长终止。

木质素磺酸钙对模拟混凝土孔隙腐蚀液中碳钢阻锈作用

钢筋混凝土结构常因钢筋锈蚀而导致过早破坏,加入阻锈剂可以有效抑制钢筋锈蚀,提高钢筋混凝土结构耐久性。在模拟混凝土孔隙腐蚀液中加入不同浓度的木质素磺酸钙,通过开路电位、交流阻抗谱和动电位极化曲线研究其对碳钢的阻锈作用与机理。结果表明:在3.5%Na Cl、p H为12.5的腐蚀液中,木质素磺酸钙可提高开路电位、增大电荷转移电阻以及减小腐蚀电流密度,从而起到阻锈作用。同时,木质素磺酸钙在碳钢表面能够与氯离子竞争吸附,保护钝化膜,抑制腐蚀发展。

火焰原子吸收光谱法间接测定铝箔腐蚀液中氯含量

近年来，随着电子工业的飞速发展，铝电解电容器的应用更为广泛，对其性能要求也越来越高。小型化、长寿命、高可靠是目前电容器的主要特征，这就迫切要求腐蚀铝箔的比容不断提高，而以盐酸溶液取代食盐溶液作为腐蚀电解液可使腐蚀铝箔的比容大幅度提高，但氯离子含量过高对金属的腐蚀有很大的影响，可引起晶问裂纹与脆性破裂、铝箔寿命变短，因此为保证电路板的安全、经济地运行，

NaOH-NaClO腐蚀液制备太阳电池用多晶硅绒面的研究

介绍了一种采用NaOH-NaClO混合腐蚀液制备多晶硅绒面的新方法。研究结果表明,当VNaOH:VNaClO=1:3,NaOH浓度为17%,腐蚀温度为80℃,腐蚀时间为20min时,能够得到均匀的沟壑状凹坑多晶硅绒面,腐蚀后硅片表面的反射率与未腐蚀的硅片表面的反射率相比,降低近30%。另外,与传统的HF:HNO3酸腐蚀工艺相比,这种新型腐蚀工艺不仅可以获得反射率更低的多晶硅绒面结构,而且反应过程中产生的具有高度活性的氯离子可以作为很好的吸杂剂,降低一些有害的金属杂质的活性以提高太阳电池的开路电压,同时也省去了在产业化生产过程中的盐酸处理,从而改善了生产环境。

利用废铜腐蚀液制取饲料添加剂碱式氯化铜

用碱性蚀刻废液经中和沉淀法,制取了纳米级的新型饲料添加剂碱式氯化铜,其组成为Cu2(OH)3Cl,产品中铜的含量为59.2%,纯度大于99.0%。XRD图谱表明产物是具有六方晶系的单一物相;扫描电子显微镜表征表明:获得的碱式氯化铜产品为直径约60nm,长度约600nm纳米棒。

TMAH腐蚀液的研究

TMAH是一种新型的、性能优异的各向异性腐蚀液。文章通过大量对比实验,对该腐蚀液用于<100>、<111>单晶Si片不同电阻率、不同晶向的样品研究了粗糙度和腐蚀速率,得出重要结论。此研究对正确使用TMAH腐蚀液有重要指导意义。

腐蚀液回收制取纳米二氧化钛转变过程

本文采用投加氨水沉淀法,利用含硫酸钛的废液制备出纳米二氧化钛。涉及的反应过程包括:硫酸钛与水的反应生成硫酸氧钛;硫酸氧钛水解形成偏钛酸;偏钛酸的热处理和脱水产生二氧化钛。二氧化钛的进一步热处理转变过程包括:非晶态二氧化钛的晶化转变;锐钛矿向金红石的高温相变。所制备的二氧化钛在350℃至700℃热处理可以获得单相锐钛矿相。锐钛矿颗粒尺度从350℃的9 nm增长到700℃的68 nm左右。在700～800℃之间处理,可获得锐钛矿相和金红石相双相组织。金红石颗粒尺度从800℃的83 nm增长到900℃的109 nm左右。900℃以上温度热处理可以获得单相金红石相。

EPW腐蚀液中制作近似圆形硅膜研究

研究了〈100〉单晶硅在EPW腐蚀液中制作近似圆形硅膜,在EPW腐蚀液中因〈100〉单晶硅腐蚀速率各向异性,在圆形掩膜下很难实现圆形单晶硅膜.基于EPW腐蚀液中〈100〉单晶硅存在严重凸角削角,采用带锯齿(9个、20个、36个)结构的齿轮掩膜图形腐蚀制作近似圆形硅膜,通过采用SEM观察,随腐蚀时间增加,圆形掩膜EPW腐蚀后硅膜为近似方形,而带有36个锯齿结构的齿轮掩膜腐蚀后硅膜近似圆形.结果表明,利用掩膜锯齿结构在EPW腐蚀液中存在凸角削角现象,能够实现近似圆形硅膜的制作.

从碱性腐蚀液中回收锗的实验探究

用沉淀法将碱性腐蚀液中的锗进行沉淀富集回收,对锗回收的适宜的实验条件进行实验探究。讨论了沉淀剂种类及用量,实验温度,碱性腐蚀液的pH值,沉淀时间等因素对锗的回收率的影响。结果表明:在常温下,以FeCl3为沉淀剂,碱性腐蚀液的起始pH值为6.5,沉淀时间为90 min时,锗的回收率达到了80%以上。

ICP法测定超临界水氧化设备腐蚀液中铜、铬、铝、镍、钛

采用光谱法研究了超临界水氧化设备腐蚀液中Cu ,Cr,Al,Ni和Ti元素的含量 ,分析判断不锈钢设备腐蚀状况及其因素。结果表明 ,超临界设备不锈钢材料主要成分元素Cr在超临界水中有不同程度的溶解 。

铝箔腐蚀液中硫酸根离子的测定

在阳离子表面活性剂——十六烷基三甲基溴化铵（ＣＴＭＡＢ）的存在下，用比浊法对铝箔蚀腐液中微量硫酸根离子进行测定。硫酸根离子含量在３．０×１０－４～２．

印刷电路板腐蚀液的再生和铜回收的新方法

本文提出了印刷电路板腐蚀液再生和铜回收的新方法 ,该法的特点是利用铁和氯气分别作为还原剂和氧化剂 ,在整个再生和回收过程中不引入其它杂质离子 ,同时还考察了对工艺过程的影响因素。

印制电路板实训室腐蚀液及废液处理方法

本文介绍了印制电路板实训室蚀刻工序常用的几种腐蚀液,讨论了各种腐蚀液废液的处理方法,并指出了废液处理的意义。

用废腐蚀液制取氧化铁系产品

针对含氯化铁废腐蚀液的高值化利用和无害化排放问题，开展了用湿法冶金方法制取氧化铁系产品的应用研究．考察了中和剂种类、加入速度、反应温度及洗涤水用量对Ｆｅ２＋氧化、铁黄ＦｅＯＯＨ晶型及产品铁黄和铁红纯度的影响．通过扩大实验估算了该工艺压缩空气和洗涤水用量，提出了处理该类含铁废液的原则流程．

印刷制版和电路板腐蚀液的再生及金属铜的回收

本文阐述了从印刷制版和电路板腐蚀液中回收金属铜的原理和方法,论述了废腐蚀液再生的原理及方法。推荐一个合理的工艺流程,此流程具有简单、不引入干扰杂离子、不造成第二次污染等特点。

优化金属辅助法腐蚀液组分制备多孔硅

金属辅助化学腐蚀法可以在无外加电路的条件下,在40%HF/30%H2O2/乙醇的混合溶液中完成多孔硅的制备,该方法简单快速。本文研究了金属辅助法腐蚀液体系各组分(HF、H2O2、乙醇)含量对多孔硅表面的SiHx成分和多孔层结构的影响,根据Si-H和Si-O的红外吸收峰强度的变化曲线优化了腐蚀液体系中各组分含量。在腐蚀液各组分体积比为V40%HF∶V30%H2O2∶V乙醇=2∶2∶1和腐蚀时间为4 min的条件下制备了形貌均匀、化学活性(SiHx成分)和多孔结构稳定性较好的多孔硅,并对金属辅助法与阳极蚀刻法制得的两种多孔硅进行比较,结果显示金属辅助法制备的多孔硅的化学活性和稳定性在后续的生物技术应用中具有明显的优越性。

无Cr腐蚀液显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错

Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件。介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无Cr腐蚀液能很好地显示氧化诱生层错,比较了无Cr腐蚀液和其他常用腐蚀液的缺陷腐蚀形貌,探讨了无Cr腐蚀液的腐蚀机理及腐蚀条件。实验发现环保的无Cr腐蚀液能很好地显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错,能应用于生产。

太阳电池中新腐蚀液实现纳米黑硅表面的一步腐蚀制备

通过引入添加剂，调节腐蚀溶液的pH值，实现了一步法制各黑硅表面．在取得低表面反射率的同时，减小了黑硅层的腐蚀深度，对于16rain腐蚀的黑硅层，其表面加权平均反射率可达5％（300-1200nm），但腐蚀深仅约为200nm．减小腐蚀深度能够降低黑硅太阳电池的表面复合速率，从而提高太阳电池性能，尤其是开路电压及填充因子．以新腐蚀液制各的黑硅为衬底，在常规太阳电池产线上制备大面积P-Si黑硅太阳电池，实现了15．63％的转换效率，具有高的开路电压（62432mv）和填充因子（77．88％），改进了大面积黑硅太阳电池的性能．

硅腐蚀液中加入醋酸作用机理的研究

本文用实验证实了化学反应计量比的HNO_3—HF腐蚀液可用作硅器件的深槽腐蚀,而在此腐蚀液中加入醋酸,用于硅器件的浅槽腐蚀比用HNO_3—HF—NH_4F体系的效果更好,并对醋酸在腐蚀液中的作用机理提出了新的见解。