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GaAs PHEMT栅选择腐蚀工艺研究
1
作者
王静辉
张力江
吴益竹
《微纳电子技术》
CAS
2008年第8期476-479,共4页
基于GaAs PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)材料结构的设计,材料生长过程中增加了一层腐蚀终止层。经过大量的实验和腐蚀液体系的选取,完成了GaAs PHEMT工艺中能用于大批量生产的栅加工工艺。利用选择腐蚀终止层可以很容易地达到夹断电压...
基于GaAs PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)材料结构的设计,材料生长过程中增加了一层腐蚀终止层。经过大量的实验和腐蚀液体系的选取,完成了GaAs PHEMT工艺中能用于大批量生产的栅加工工艺。利用选择腐蚀终止层可以很容易地达到夹断电压和漏极电流的批量生产的一致性。本研究利用磷酸腐蚀液体系,在材料的设计中增加了InxGa1-xP腐蚀终止层,结果达到了预期目的,并已用于GaAs 0.25μm PHEMT标准工艺的生产中,获得了良好的经济效益。
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关键词
选择
腐蚀
赝配高电子迁移率晶体管
腐蚀终止层
砷化镓
凹槽
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职称材料
题名
GaAs PHEMT栅选择腐蚀工艺研究
1
作者
王静辉
张力江
吴益竹
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2008年第8期476-479,共4页
文摘
基于GaAs PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)材料结构的设计,材料生长过程中增加了一层腐蚀终止层。经过大量的实验和腐蚀液体系的选取,完成了GaAs PHEMT工艺中能用于大批量生产的栅加工工艺。利用选择腐蚀终止层可以很容易地达到夹断电压和漏极电流的批量生产的一致性。本研究利用磷酸腐蚀液体系,在材料的设计中增加了InxGa1-xP腐蚀终止层,结果达到了预期目的,并已用于GaAs 0.25μm PHEMT标准工艺的生产中,获得了良好的经济效益。
关键词
选择
腐蚀
赝配高电子迁移率晶体管
腐蚀终止层
砷化镓
凹槽
Keywords
selective etch
pseudo high electron mobility transistor (PHEMT)
etch stop layer
GaAs
recess
分类号
TN386.3 [电子电信—物理电子学]
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs PHEMT栅选择腐蚀工艺研究
王静辉
张力江
吴益竹
《微纳电子技术》
CAS
2008
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