GaAs量子阱半导体微腔中腔极化激元的动态行为(英文)

GaAs量子阱半导体微腔中, 光子同时与重空穴激子、轻空穴激子耦合形成腔极化激元 本文采用三谐振子耦合模型,计算了腔极化激元的三支的色散关系、线宽、有效质量及其群速度;结果表明,由于腔极化激元的三支中光子、重空穴激子、轻空穴激子所占的权重随着平面波矢(或入射角度)变化,腔极化激元三支的线宽、有效质量及其群速度呈现出不同的动态行为。

三维半导体GaAs量子阱微腔中的腔极化激元

半导体微腔中腔模和激子模耦合形成腔极化激元 ,三维微腔中由于横向限定腔模和激子模形成离散化的本征模式 .本文计算了远离截止近似下 ,三维半导体微腔中空腔腔模的能量与微腔半径的关系 ;及腔模和激子模耦合后 ,三维半导体柱型微腔中具有相同角量子数和径向量子数的两个低阶腔模、重空穴激子模、轻空穴激子模耦合形成的腔极化激元能量随微腔半径变化的情况 .结果表明随着微腔半径的减小腔模能量蓝移 ,腔模与相应的重空穴激子模、轻空穴激子模耦合形成的腔极化激元的三支随着微腔半径的减小存在明显的反交叉行为 .随着微腔半径的变化 。

腔自旋波混合系统的研究进展

近年来腔自旋波混合系统引起人们的研究兴趣.基于自旋波体系的优点,有望建立一个以自旋波量子为核心的、实现不同物理系统之间信息传递的平台.本文简要介绍了腔自旋波混合系统的发展进程,阐明自旋波量子与微波腔光子的耦合机制;着重介绍了近期在腔自旋波混合系统中关于非线性和赝厄米性方面的研究进展,其中包括非线性效应引起的腔自旋波量子极化激元的双稳,宇称-时间(PT)对称哈密顿量的实现和PT对称自发破缺相变二阶奇点的观测,以及如何构造非PT对称的赝厄米哈密顿量来实现三阶奇点等.

半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合

采用传输矩阵方法利用半经典的线性色散模型 ,计算半导体微腔内同时存在重空穴激子、轻空穴激子时 ,在不同入射角度下的反射谱 ,同时 ,利用三简谐振子耦合模型计算了在不同入射角度下 ,腔模同时和重空穴激子模、轻空穴激子模耦合所形成的三支腔极化激元的能量 ,以及腔模、重空穴激子模、轻空穴激子模分别在三支腔极化激元中所占的权重 ,结果表明随着入射角的增加腔极化激元的高能支和两个低能支之间存在明显的反交叉现象 ,同时 ,腔模和重空穴激子模。

光电功能材料

O471.3 2003064436半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合=Coupling between cavity mode and heavy-hole exciton andlight-hole exciton in semiconductor microcavity[刊,中]/刘文楷(中科院半导体研究所集成光电子国家重点实验室.北京(100083)),林世鸣…∥物理学报.-2002,51(9).-2052-2056采用传输矩阵方法利用半经典的线性色散模型,计算半导体微腔内同时存在重空穴激子、轻空穴激子时,在不同入射角度下的反射谱,同时。