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大功率670nm半导体激光器的研制 被引量：1
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作者 林涛 江李 +5 位作者 王俊 谭满清 刘素平 韦欣 王国宏 马骁宇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期176-179,共4页
采用低压金属有机化学气相沉积生长了670nm激光器外延片,有源区采用单量子阱结构,阱区、垒区分别为InGaAsP和AlGaInP.利用该外延片制作了带无电流注入区的氧化物条形激光器.激光器腔长为900μm,电流注入区条宽为100μm,两端的无注入区... 采用低压金属有机化学气相沉积生长了670nm激光器外延片,有源区采用单量子阱结构,阱区、垒区分别为InGaAsP和AlGaInP.利用该外延片制作了带无电流注入区的氧化物条形激光器.激光器腔长为900μm,电流注入区条宽为100μm,两端的无注入区宽度均为25μm.镀膜后器件的阈值电流为0.4A,输出波长670士2nm,最大输出功率为1100mW,水平、垂直发散角分别为8°,40°.表明该种结构可以提高器件的腔面光灾变功率. 展开更多
关键词 670nm 半导体激光器 金属有机化学气相沉积 腔面光灾变
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