降膜介质阻挡放电等离子体降解甲基橙研究

为有效解决印染废水造成的环境难题,采用新型降膜介质阻挡反应器研究了在不同的输入功率、溶液初始浓度、初始电导率、溶液处理量和初始pH等条件下对甲基橙溶液的连续降解,并对降解效果进行了比对。结果表明:最佳的工艺参数分别是输入功率为72.5 W,初始浓度为150 mg?L-1,处理量为150 mL,放电气体流量为300 mL?min-1;较低的初始电导率和初始pH值对甲基橙溶液的降解有促进作用;150 mL浓度为150 mg?L-1的甲基橙溶液在介质阻挡放电等离子体作用下处理30 min,甲基橙降解率达到93.7%。利用液相色谱-质谱联用仪及紫外分光光度计对甲基橙降解过程的中间体及产物进行了分析,提出了甲基橙在降膜介质阻挡放电作用下的降解机理。

厚膜介质用CaO-Al_2O_3-SiO_2微晶玻璃的研究

以CaO-Al_2O_3-SiO_2(CAS)系微晶玻璃作为厚膜介质,研究CAS系微晶玻璃中形核剂的选择,以及形核剂对CAS玻璃的软化温度与析晶温度的影响规律,使其烧成温度与析晶温度满足厚膜电路850℃标准烧成工艺的要求;并简单分析形核剂的作用机理。

氮气中烧结的厚膜介质浆料

厚膜铜导体的烧结通常是在惰性气氛中进行的,与其配套的多层布线介质材料也应适合在惰性气氛中烧结。研制的ZnO-Al_2O_3-SiO_2-ZrO_2系介质材料介电常数小(ε<6),损耗角正切低(tgδ<10×10^(-4)),绝缘电阻高(R≥10^(13)Ω),材料烧结后主晶相是立方ZrO_2,适于惰性气氛(如N_2)烧结,可用作铜导体多层布线系统介质材料。

500kV干式SF_6─全膜介质断路器电容器研究

５００ｋＶ干式ＳＦ_６─全膜介质断路器电容器研究西容厂吴本诚，黄瑄１前言本研究课题是“七五”国家重大装备科技攻关项目（编号７５—５０—０５—０５—０２Ａ），经数年艰苦攻关终于在１９９３年完成。本研究产品采用完全新型的ＳＦ６气体浸渍聚丙烯薄膜介质系统，...

厚膜介质电致发光显示器件

厚膜介质电致发光显示器件是一种基于厚膜印刷技术和薄膜荧光粉技术相结合的新型固态显示技术。目前．采用这一技术的高清晰度彩色平板显示器件已研制成功。该技术在亮度、对比度、颜色、图像质量、寿命和成本方面一直在持续不断地进行改进。厚膜介质电致发光显示器件已从研发阶段过渡为商品化生产阶段。本文将介绍TDEL的发展历史和现状。

电容器用金属化高温电介质薄膜的自愈性能研究

现代电力电子系统的高温应用迫切需要耐高温的金属化膜电容器(MFC)。虽然已有大量研究表明高温电介质膜具有令人满意的储能性能,但其自愈性能尚不清楚,而该性能是决定高温电介质膜能否应用到MFC中的关键。本文主要研究了聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚醚酮(PEEK)和聚酰亚胺(PI)三种金属化高温电介质膜在直流高电压下的自愈性能,具体分析了层间压强、卷绕张力和温度等外部因素对自愈性能的影响。结果表明,PI由于碳含量高,在实验中很容易击穿短路导致自愈失败,不适合应用到MFC中。PEEK的自愈性能受层间压强和卷绕张力的影响较大,应用到MFC后需重点考虑卷绕张力和卷绕层数。PEN具有较低的碳含量和优异的脂肪族-芳香族交替结构,且在各项研究中均表现出较为优异的自愈性能。从自愈角度来看,PEN适合成为高温强电场MFC用的绝缘电介质材料。

多孔介质布膜元件对水膜除尘器除尘性能的影响

通过实验,研究了多孔介质布膜元件对水膜除尘器除尘效率的影响,讨论了进气量、用水量、气水比对除尘效率的作用效果。在此基础上,采用计算流体力学DPM模型,研究了进气量和颗粒粒径对除尘效率的影响。研究表明,在除尘实验中,采用多孔介质布膜元件可有效提高除尘效率,用水量越低,提高效果越明显;进气量和进水量对除尘效率具有显著的正向影响,但进气量的影响要大于进水量;不论是否存在多孔介质,除尘效率在气水比为21 m 3/kg达到最大值。模拟结果显示,在实验最大风量的条件下,对粒径94.55μm及以上的颗粒,具有100%的除尘效果;对于粒径68.58μm及以上的颗粒,能具有良好的除尘效率,数值可以在90%以上。

本体聚合PMMA基复合介质膜的储能特性研究

目前有机薄膜电容器中的介质材料多为线性电介质,这类聚合物的介电常数通常较低,造成电容器储能密度普遍偏低,而新型高储能聚合物介质材料一般又存在介质损耗高的问题。聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)与高储能含氟聚合物的相容性较好,常被用来改善后者的力学和击穿性能,但市售的PMMA存在本征介质损耗过高的问题。为了降低PMMA的介质损耗,本文用甲基丙烯酸甲酯(MMA)与苯乙烯(St)合成MMA-St共聚物(MS),将不同比例的MS掺入本体聚合的PMMA中形成复合体系,并研究复合体系的介电特性、储能特性及绝缘特性。结果表明:该复合体系可以显著降低PMMA的介质损耗,相较于PMMA更适合作为高储能聚合物的改性材料。其中复合10%MS的介质膜在5 500 kV/cm电场下获得了5 J/cm^(3)的放电能量密度,充放电效率达到83%。

介质表面颗粒膜介电常数分析

假设材料表面极性棒状分子为取向分布,采用取向序参数,考虑局域场对有极分子、固有偶极矩的作用及基底材料表面和分子之间相互作用能,计算了材料表面颗粒膜的介电常数。计算结果表明:颗粒膜的介电常数依赖于基底材料相对介电常数和棒状分子之间的距离;在分子面积和分子临界面积接近的范围内,分子和材料表面之间的相互作用能使之成为单一的贡献。反之,分子面积与分子临界面积相差较大时,局域场的相互作用是主要的贡献。

多层超薄薄膜介质光热辐射的三维理论研究

在柱坐标系下,以热传导方程及边界条件为基础,通过Hankel变换及逆变换,得到多层热单介质膜中的温度场.以特殊参数为例,对膜层为三层时的特殊情况进行讨论,得知对于高热扩散率的薄膜材料,纵向和横向的热导率比值越大,相位的变化也越大.低热扩散率薄膜材料,不同的纵向和横向的热导率比对光热信号的影响很小.同时,光吸收系数越小,频率变化对相位影响越明显.

PECVD生长氮化硅介质膜的工艺研究

对PECVD生长氮化硅介质膜的工艺条件进行了实验研究 ,获得了生长氮化硅介质膜的最佳工艺条件 ,制作出了高质量的氮化硅介质膜。对样品进行了湿法腐蚀和超声实验 ,在显微镜下观察无膜脱落现象发生。阐述了几种工艺参数对介质膜生长的影响。

Ta_2O_5介质膜性能对液体钽电容器性能的影响

叙述了钽电解电容器阳极Ta2O5介质膜的形成过程,分析了电解液闪火与氧化膜击穿的微观过程。利用扫描电子显微镜(SEM)分析了阳极氧化后及产品失效后阳极钽芯表面介质膜的微观结构,并对液钽电容器失效机理进行了探讨。结果表明,介质膜内杂质或缺陷处O2-放电产生的电子发射是电解液闪火和氧化膜击穿的前驱点;在高电场或高温度的作用下,介质膜的场致晶化和热致晶化是液体钽电解电容器失效的主要模式。

介质膜光栅槽形无损检测方法的研究

为了从理论上探究介质膜基底光刻胶光栅掩模槽形的检测方法,对此种光栅掩模建立了以C方法为理论基础的衍射效率理论计算的数学模型,并将从实际光栅掩模的SEM照片得出的光栅槽形参数带入到该模型中,得到了一系列-1级衍射光的光谱分布曲线,这些曲线的变化趋势与一定光栅槽形相对应,提出了通过测量衍射光的光谱分布曲线判断光栅槽形的无损检测方法。分析表明,该方法在光栅槽形的检测过程中,可以较为有效地判断光刻胶是否到底,而这一点在掩模的制作工艺中至关重要。

用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜

提出在单片微波集成电路 (MMIC)中用多孔硅 /氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜 .研究了厚度为 70μm的多孔硅 /氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成 ,这层厚膜增加了衬底的电阻率 ,减少了微波的有效介质损耗 .通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性 ,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线 (CPW)

单发大口径光束下介质膜损伤阈值测试

针对传统的激光诱导损伤阈值测试中存在的耗时问题,提出了一种利用单发次、大口径光束的介质膜损伤阈值的快速测定方法。该方法以图像处理为基础,通过坐标变换和栅格压缩,建立了样品辐照区域内损伤分布与光斑强度分布之间的精确对应关系。基于对大口径光斑辐照区域内损伤信息的快速提取和统计方法,通过单次激光辐照,获取了待测区域的损伤阈值。根据此方法搭建了单发大口径光束损伤阈值测试平台,并对HfO2/SiO2高反射膜损伤阈值进行了单发次测定的验证。

一维光子晶体与光学多层介质膜

本文阐述了一维光子晶体和光子禁带的概念，对比了一维光子晶体与光学多层介质膜在结构和特性方面的联系和差别，运用薄膜光学的理论和方法讨论了多层介质膜的高反射带与光子禁带和膜系结构参量的关系.