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双脉冲电源参数对电铸金刚石-镍复合膜品质的影响 被引量:3
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作者 张洋 方莉俐 刘士国 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2011年第3期5-10,共6页
采用电铸法制备了金刚石-镍复合膜,研究了平均电流密度、正向脉冲频率、正向脉冲占空比、反向脉冲占空比等双脉冲电源参数对镀层厚度的均匀性、沉积速率、硬度、表面形貌的影响。结果表明:随着平均电流密度的增加,沉积速率增大并趋于稳... 采用电铸法制备了金刚石-镍复合膜,研究了平均电流密度、正向脉冲频率、正向脉冲占空比、反向脉冲占空比等双脉冲电源参数对镀层厚度的均匀性、沉积速率、硬度、表面形貌的影响。结果表明:随着平均电流密度的增加,沉积速率增大并趋于稳定,复合膜硬度先增大后减小,厚度的均匀性变差;随着正向脉冲频率的增加,沉积速率和硬度都增大,厚度的均匀性变化不大;随着正向占空比的增加,复合膜的沉积速率先增大后变小,硬度减小,厚度的均匀性变差;随着反向占空比增大,复合膜沉积速率变化不大,硬度增加,厚度均匀性变得更好;平均电流密度对复合膜表面形貌影响很大,大的电流密度使复合膜产生针孔、镍瘤等,而反向脉冲可以消除针孔、镍瘤,改善复合膜表面形貌,提高金刚石-镍复合膜品质。 展开更多
关键词 双脉冲电镀 金刚石-镍复合 脉冲参数 复合膜品质
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旋转阴极对金刚石—镍复合膜品质的影响
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作者 张洋 方莉俐 刘士国 《中原工学院学报》 CAS 2011年第5期20-22,44,共4页
自行设计并制作了阴极旋转装置,将其应用于实验,通过电铸法制备了金刚石—镍复合膜.研究了阴极旋转速度和放置倾角对复合膜品质的影响,利用电感测微仪、维氏硬度计和扫描电子显微镜对复合膜进行检测.结果表明:当阴极基体转速为30r/min... 自行设计并制作了阴极旋转装置,将其应用于实验,通过电铸法制备了金刚石—镍复合膜.研究了阴极旋转速度和放置倾角对复合膜品质的影响,利用电感测微仪、维氏硬度计和扫描电子显微镜对复合膜进行检测.结果表明:当阴极基体转速为30r/min、施镀面与水平面夹角为45°时,复合膜品质最佳;与无阴极旋转条件下对比,金刚石—镍复合膜的品质有很大提高. 展开更多
关键词 金刚石—镍复合 阴极倾角 阴极旋转 复合膜品质
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壳聚糖涂膜对鸡蛋品质的影响 被引量:11
3
作者 陈常秀 《食品科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第24期453-456,共4页
通过对新鲜鸡蛋涂擦不同质量浓度的壳聚糖溶液,旨在研究壳聚糖对鸡蛋品质的影响。试验将300枚新鲜鸡蛋随机分成6组,分别涂上0、0.5、1.0、1.5、2.0g/100mL和2.5g/100mL壳聚糖溶液,25℃条件下贮存5周。每周从每个处理中取10枚鸡蛋测定鸡... 通过对新鲜鸡蛋涂擦不同质量浓度的壳聚糖溶液,旨在研究壳聚糖对鸡蛋品质的影响。试验将300枚新鲜鸡蛋随机分成6组,分别涂上0、0.5、1.0、1.5、2.0g/100mL和2.5g/100mL壳聚糖溶液,25℃条件下贮存5周。每周从每个处理中取10枚鸡蛋测定鸡蛋失重率、哈夫单位、蛋黄指数和蛋清pH值。结果表明,第5周与第1周相比,不涂壳聚糖的鸡蛋失重率和蛋清pH值显著升高(P<0.05)、哈夫单位和蛋黄指数显著降低(P<0.05)。5周时,与不涂壳聚糖的鸡蛋相比,所有涂壳聚糖的鸡蛋失重率显著降低(P<0.05),蛋黄指数显著升高(P<0.05);涂1.0、1.5、2.0g/100mL和2.5g/100mL壳聚糖的鸡蛋哈夫单位显著升高(P<0.05),蛋清pH值显著降低(P<0.05);涂1.5、2.0g/100mL和2.5g/100mL壳聚糖的鸡蛋间比较,蛋质量损失率、哈夫单位、蛋黄指数和蛋清pH值差异均不显著(P>0.05)。用0.5g/100mL壳聚糖涂擦的鸡蛋5周时降到C级,相当于不涂壳聚糖的鸡蛋3周时的级别;用1.0、1.5、2.0g/100mL和2.5g/100mL壳聚糖处理的鸡蛋5周时降到B级,相当于不用壳聚糖处理的鸡蛋2周时的级别。该实验证明壳聚糖能够延长鸡蛋货架期。 展开更多
关键词 壳聚糖 鸡蛋品质 哈夫单位 蛋黄指数 蛋清pH值
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用EA-CVD方法制备的大尺寸金刚石厚膜的品质和膜厚均匀性的研究 被引量:3
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作者 吕宪义 金曾孙 杨广亮 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期270-273,共4页
根据金刚石厚膜的实际应用要求,建立了EA-CVD(E lectron Assisted Chem ical Vapor Deposition)方法,制备出直径为80mm,膜厚为1mm以上的大尺寸高品质的均匀金刚石厚膜,其膜厚不均匀性小于5%,热导率不均匀性小于10%,膜片中部和边缘磨耗... 根据金刚石厚膜的实际应用要求,建立了EA-CVD(E lectron Assisted Chem ical Vapor Deposition)方法,制备出直径为80mm,膜厚为1mm以上的大尺寸高品质的均匀金刚石厚膜,其膜厚不均匀性小于5%,热导率不均匀性小于10%,膜片中部和边缘磨耗比基本相同,大约在1.5×105左右。同时研究了制备参数对膜的品质和膜厚均匀性的影响。结果表明:甲烷浓度、工作气压、偏流、灯丝与基片间距等参数对金刚石厚膜的品质和膜厚均匀性都产生影响。辉光等离子体的状态对膜的均匀生长作用明显,较低的工作气压,较大的偏流和较大的灯丝与基片间距有利于气体分解和辉光等离子体的发散,从而导致大面积金刚石厚膜不同位置的品质和膜厚趋于均匀。 展开更多
关键词 EA—CVD 金刚石厚 品质厚均匀性
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高品质金刚石膜微波等离子体CVD技术的发展现状 被引量:11
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作者 唐伟忠 于盛旺 +3 位作者 范朋伟 李义锋 苏静杰 刘艳青 《中国材料进展》 CAS CSCD 2012年第8期33-39,共7页
金刚石膜拥有许多优异的性能。在制备金刚石膜的各种方法之中,高功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法因其产生的等离子体密度高,同时金刚石膜沉积过程的可控性和洁净性好,因而一直是制备高品质金刚石膜的首选方法。在世界范围内,美... 金刚石膜拥有许多优异的性能。在制备金刚石膜的各种方法之中,高功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法因其产生的等离子体密度高,同时金刚石膜沉积过程的可控性和洁净性好,因而一直是制备高品质金刚石膜的首选方法。在世界范围内,美、英、德、日、法等先进国家均已掌握了以高功率MPCVD法沉积高品质金刚石膜的技术。但在我国国内,高功率MPCVD装备落后一直是困扰我国高品质金刚石膜制备技术发展的主要障碍。首先综述国际上高功率MPCVD装备和高品质金刚石膜制备技术的发展现状,包括各种高功率MPCVD装置的特点。其后,回顾了我国金刚石膜MPCVD技术的发展历史,并介绍北京科技大学近年来在发展高功率MPCVD装备和高品质金刚石膜制备技术方面取得的新进展。 展开更多
关键词 MPCVD金刚石沉积技术 品质金刚石
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彩色显像管用电子枪G_1膜孔品质问题探讨
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作者 刘自英 《真空电子技术》 2000年第4期43-46,共4页
本文介绍了彩色显像管用电子枪的基本原理 ,显像管的重要参数——截止电压 ,及在生产过程中我们怎样解决电子枪 G1 膜孔变形 ,以保证截止电压参数 ,提高生产效率。
关键词 电子枪 G1品质 彩色显像管
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金刚石膜的氮掺杂行为 被引量:3
7
作者 李明吉 吕宪义 +3 位作者 孙宝茹 李春燕 李博 金曾孙 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期183-187,共5页
采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD)制备了氮掺杂金刚石膜,用SEM、Raman光谱、XPS、EPR等测试手段研究了金刚石薄膜的品质和膜中的氮杂质状态。结果表明,随着氮气流量的增加,金刚石膜的形貌从完整的晶面逐渐变为与(100)面共存的“菜花... 采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD)制备了氮掺杂金刚石膜,用SEM、Raman光谱、XPS、EPR等测试手段研究了金刚石薄膜的品质和膜中的氮杂质状态。结果表明,随着氮气流量的增加,金刚石膜的形貌从完整的晶面逐渐变为与(100)面共存的“菜花状”,且非晶碳的含量增加,品质下降。金刚石膜中氮以Ns0、[N—V]0和[N—V]-1的形式存在,在较低氮气流量下[N—V]0和[N—V]-1的含量较多,Ns0氮杂质的质量分数在1.50×10-5~4.83×10-4之间变化。 展开更多
关键词 金刚石 EA-CVD方法 膜品质 氮杂质
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氮掺杂金刚石膜的生长特性 被引量:2
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作者 李明吉 杨保和 +2 位作者 孙大智 吕宪义 金曾孙 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1152-1155,共4页
采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD),在含氮气氛中制备出金刚石膜,利用SEM、Raman光谱、EPR测试手段研究了氮气对金刚石膜品质的影响及氮掺杂特性.结果表明,在950℃基片温度下,沉积气氛中掺入氮气后,金刚石膜晶形变为"菜花状&quo... 采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD),在含氮气氛中制备出金刚石膜,利用SEM、Raman光谱、EPR测试手段研究了氮气对金刚石膜品质的影响及氮掺杂特性.结果表明,在950℃基片温度下,沉积气氛中掺入氮气后,金刚石膜晶形变为"菜花状",非金刚石碳的含量增加,膜的品质下降.在800℃基片温度下,沉积气氛中掺入氮气后,孪晶和二次成核减少,金刚石膜的结晶形貌得到改善.通过Raman光谱和EPR分析发现,在金刚石膜中氮杂质主要以Ns0,[N-V]0和[N-V]-1的形式存在,而且随着氮气流量的增加,Ns0的含量增加,[N-V]0含量减少,[N-V]-1含量变化不明显. 展开更多
关键词 金刚石 EA-CVD方法 膜品质 氮杂质
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氮气流量对金刚石膜生长的影响研究
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作者 李明吉 吕宪义 +1 位作者 孙宝茹 金曾孙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期2146-2148,2156,共4页
采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD)制备掺氮金刚石薄膜,研究了不同氮气流量对金刚石膜的生长速率、表面形貌和膜品质的影响.实验发现,在较低的氮气流量下,金刚石膜的生长速率增加,在较高的氮气流量下生长速率减小.利用SEM、Raman光谱... 采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD)制备掺氮金刚石薄膜,研究了不同氮气流量对金刚石膜的生长速率、表面形貌和膜品质的影响.实验发现,在较低的氮气流量下,金刚石膜的生长速率增加,在较高的氮气流量下生长速率减小.利用SEM、Raman光谱、XPS等测试手段对样品的表面形貌及品质进行了表征.结果表明,当氮气流量为4sccm时金刚石膜的结晶比较完整;当氮气流量为8sccm时生成与(100)面共存的"菜花状".氮气流量的进一步增加,"菜花"表面(100)晶面显露的数量明显降低,非金刚石碳含量和氮杂质含量增加,金刚石膜的品质明显下降. 展开更多
关键词 金刚石 氮气 生长速率 表面形貌 膜品质 EA-CVD方法
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如何让覆膜工艺永葆生机
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作者 王尚伟 《今日印刷》 2008年第1期26-27,共2页
在书籍封皮或其他印刷品上进行上光,覆膜,烫箔,压凹凸、压痕,模切或其他装饰加工处理.叫做表面整饰(finishing)。表面整饰加工,不仅提高了印刷品的艺术效果,而且具有保护印刷品的作用.覆膜工艺便属于其中一个很重要的方面。... 在书籍封皮或其他印刷品上进行上光,覆膜,烫箔,压凹凸、压痕,模切或其他装饰加工处理.叫做表面整饰(finishing)。表面整饰加工,不仅提高了印刷品的艺术效果,而且具有保护印刷品的作用.覆膜工艺便属于其中一个很重要的方面。覆膜(1aminating)就是将聚丙烯等塑料薄膜.覆盖于印刷品表面,并采用黏合剂经加热,加压使之粘合在一起的加工过程。覆膜技术诞生于上世纪50年代.首先为美国陆军所采用。我国覆膜工艺是于上世纪60年代中期由日本年历卡而得到启发.从而在印刷品上试验成功.并很快得以广泛应用。 展开更多
关键词 工艺 品质 检验方法 处理措施
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EFFECT OF HIGH-LIPID DIET ON GLOMERULAR MESANGIAL MATRIX IN ADRIAMYCIN-INDUCED NEPHROTIC RATS
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作者 宋红梅 李学旺 +1 位作者 魏珉 朱传酉 《Chinese Medical Sciences Journal》 CAS CSCD 2002年第3期134-139,共6页
OBJECTIVE: To determine the effect of hypercholsterolemia induced by a high-lipid diet on glomerulosclerosis. METHODS: Twenty nephrotic syndrome (NS) Wistar rats administrated adriamycin (ADR) with a single intravenou... OBJECTIVE: To determine the effect of hypercholsterolemia induced by a high-lipid diet on glomerulosclerosis. METHODS: Twenty nephrotic syndrome (NS) Wistar rats administrated adriamycin (ADR) with a single intravenous dose of 5 mg/kg body weight, were divided into the standard and high-lipid chow groups. Another 20 weight-matched non-NS rats that received a vehicle alone were grouped as control. Urinary protein excretion and serum cholesterol were assayed; image analysis and techniques of pathology, immunohistochemistry, and molecular biology were used to determine morphological changes in glomeruli and the production of glomerular mesangial matrices in different groups. RESULTS: The serum total cholesterol level was significantly higher in rats with high-lipid chow in both non-NS [(2.2 +/- 0.3) g/L vs. (0.9 +/- 0.1) g/L, P 展开更多
关键词 adriamycin induced nephrosis high lipid diet glomerular mesangial matrixObjective. To determine the effect of hypercholesterolemia induced by a high-lipid diet on glomerulosclerosis. Methods. Twenty nephrotic syndrome (NS) Wistar rats admin
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High-Quality Single-Layer Graphene via Reparative Reduction of Graphene Oxide 被引量:10
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作者 Boya Dai Lei Fu +4 位作者 Lei Liao Nan Liu Kai Yan Yongsheng Chen Zhongfan Liu 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第5期434-439,共6页
Reduction of graphene oxide (GO) is a promising low-cost synthetic approach to bulk graphene, which offers an accessible route to transparent conducting films and flexible electronics. Unfortunately, the release of ... Reduction of graphene oxide (GO) is a promising low-cost synthetic approach to bulk graphene, which offers an accessible route to transparent conducting films and flexible electronics. Unfortunately, the release of oxygen-containing functional groups inevitably leaves behind vacancies and topological defects on the reduced GO sheet, and its low electrical conductivity hinders the development of practical applications. Here, we present a strategy for real-time repair of the newborn vacancies with carbon radicals produced by thermal decomposition of a suitable precursor. The sheet conductivity of thus-obtained single-layer graphene was raised more than six-fold to 350-410 S/cm (whilst retaining 〉96% transparency). X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Raman spectroscopy revealed that the conductivity enhancement can be attributed to the formation of additional sp2-C structures. This method provides a simple and efficient process for obtaining highly conductive transparent graphene films. 展开更多
关键词 GRAPHENE graphene oxide reparative reduction transparent flexible electrode
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