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OTFT开关比对有源层厚度、杂质浓度间制约关系的影响研究
被引量:
1
1
作者
陈金伙
李文剑
程树英
《贵州大学学报(自然科学版)》
2012年第4期71-76,共6页
本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源...
本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源层厚度、有效杂质浓度对OTFT开关比的影响。接着根据模拟分析的结果,提出一种有效且简易的判断OTFT是否逼近开关比极限的方法,并分别论证在逼近/远离开关比极限的情况下,降低NA和dS对开关比提升的有效性,及不同情况的OTFT应采取的优化措施。最后,文中给出了一定开关比约束下有效掺杂浓度/有源层厚度的临界关系曲线,它具有重要的实用意义,且进一步约束了OTFT中有源层厚度和有效杂质浓度的所允许的上限值。
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关键词
OTFT
IV方程
开关比
杂质浓度
上限
膜层厚度上限
下载PDF
职称材料
题名
OTFT开关比对有源层厚度、杂质浓度间制约关系的影响研究
被引量:
1
1
作者
陈金伙
李文剑
程树英
机构
福州大学物理与信息工程学院
出处
《贵州大学学报(自然科学版)》
2012年第4期71-76,共6页
基金
福建省自然科学基金(2009J05146)
文摘
本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源层厚度、有效杂质浓度对OTFT开关比的影响。接着根据模拟分析的结果,提出一种有效且简易的判断OTFT是否逼近开关比极限的方法,并分别论证在逼近/远离开关比极限的情况下,降低NA和dS对开关比提升的有效性,及不同情况的OTFT应采取的优化措施。最后,文中给出了一定开关比约束下有效掺杂浓度/有源层厚度的临界关系曲线,它具有重要的实用意义,且进一步约束了OTFT中有源层厚度和有效杂质浓度的所允许的上限值。
关键词
OTFT
IV方程
开关比
杂质浓度
上限
膜层厚度上限
Keywords
OTFT, Ion/Ioff ratio
the maximum permissible value
impurity concentration
organic semicon- ductor film thickness
分类号
TN386.6 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
OTFT开关比对有源层厚度、杂质浓度间制约关系的影响研究
陈金伙
李文剑
程树英
《贵州大学学报(自然科学版)》
2012
1
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