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碲镉汞红外焦平面器件表面复合膜层钝化技术
被引量:
5
1
作者
韩福忠
耿松
+4 位作者
史琪
袁授章
杨伟声
蒋俊
汤金春
《红外技术》
CSCD
北大核心
2015年第10期864-867,共4页
碲镉汞(Hg1-xCdxTe)红外器件的制备过程中,表面钝化工艺对于器件性能具有很大影响。通过实验,研究了溅射功率、靶基距、基片摆动角度等工艺参数对碲镉汞衬底上制备的CdTe/ZnS复合钝化膜层质量的影响。实验结果表明,当CdTe与ZnS溅射靶功...
碲镉汞(Hg1-xCdxTe)红外器件的制备过程中,表面钝化工艺对于器件性能具有很大影响。通过实验,研究了溅射功率、靶基距、基片摆动角度等工艺参数对碲镉汞衬底上制备的CdTe/ZnS复合钝化膜层质量的影响。实验结果表明,当CdTe与ZnS溅射靶功率分布为140 W与350 W,靶基距为40cm,基片摆动角度为±30°时,中心2英寸区域膜层非均匀性达到±3%以内,同时钝化膜层表面粗糙度与附着能力获得了较大改善。
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关键词
碲镉汞
红外探测器
表面钝化
膜层非均匀性
下载PDF
职称材料
题名
碲镉汞红外焦平面器件表面复合膜层钝化技术
被引量:
5
1
作者
韩福忠
耿松
史琪
袁授章
杨伟声
蒋俊
汤金春
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2015年第10期864-867,共4页
基金
国防基础科研项目
文摘
碲镉汞(Hg1-xCdxTe)红外器件的制备过程中,表面钝化工艺对于器件性能具有很大影响。通过实验,研究了溅射功率、靶基距、基片摆动角度等工艺参数对碲镉汞衬底上制备的CdTe/ZnS复合钝化膜层质量的影响。实验结果表明,当CdTe与ZnS溅射靶功率分布为140 W与350 W,靶基距为40cm,基片摆动角度为±30°时,中心2英寸区域膜层非均匀性达到±3%以内,同时钝化膜层表面粗糙度与附着能力获得了较大改善。
关键词
碲镉汞
红外探测器
表面钝化
膜层非均匀性
Keywords
HgCdTe
infrared detectors
surface passivation
film uniformity
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
碲镉汞红外焦平面器件表面复合膜层钝化技术
韩福忠
耿松
史琪
袁授章
杨伟声
蒋俊
汤金春
《红外技术》
CSCD
北大核心
2015
5
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参考文献
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