厚膜应变电阻的导电机理研究

制备了不同表面电阻率的Ｒｕ基厚膜应变电阻浆料，研究了厚膜应变电阻的表面电阻率与电阻应变系数之间的关系，并对其导电机理与特性进行了分析。

纳米Al_2O_3掺杂对厚膜应变电阻性能的影响

采用粒子尺寸为８ｎｍ的纳米Ａｌ２Ｏ３作为掺杂改性剂，通过选择合适粒径和配比的导电相、玻璃相及烧结工艺，得到了一种ＧＦ为１３、电阻温度系数小、稳定性良好的钌基厚膜应变电阻，并从厚膜电阻导电机理和纳米材料特性出发，讨论了纳米氧化铝掺杂对厚膜应变电阻应变系数、温度系数、稳定性的影响及其机理。

烧结过程中毛细作用对钌基厚膜应变电阻的影响(英文)

通过应用毛细作用的的基本公式得到钉基厚膜应变电阻烧结阶段的模型。用Bi_2O_3和RuO_2合成Bi_2Ru_2O_7并进行试验,发现方阻随烧结时间和导电相粒径的增大而增大。用该模型解释了该现象,同时解释了导电相不同的体系,应尽导电相含量一样,但方阻不同,以及方阻随玻璃粘度增大而减小。

毛细作用钌基厚膜应变电阻烧结过程中的作用和影响

本文将毛细作用的基本公式应用于钌基厚膜应变电阻的烧结过程,建立厚膜应变电阻玻璃扩散、渗透的数学模型,并用该模型对一些试验现象进行了分析,较好地解释和探讨了导电相粒径、烧结时间等对方阻的影响。

钌基厚膜应变电阻力敏模型的初始讨论(英文)

通过分析钌基厚膜应变电阻的隧道势垒模型,提出力敏模型。用Bi_2O_3和RuO_2合成Bi_2Ru_2O_7并进行试验,发现应变系数随导电相粒径的增大而增大。用力敏模型解释了这一现象,并解释了其他力敏现象,诸如应变系数随势垒高度的增大而增大。

厚膜应变计与传感器

厚膜应变计与箔式应变计、薄膜应变计及半导体应变计共同构成现代力敏传感器的四大关键敏感元件,其发展前景引起了人们极大关注,本文主要就厚膜应变计的导电机理、一般性能,以及它在力(称重)、压力传感器方面的应用情况,加以简要介绍.

厚膜电阻材料的物化特性对钌系厚膜电阻应变系数的影响

通过对厚膜电阻导电相、玻璃相的粒径控制、粒径比搭配以及在导电相、玻璃相中掺杂，研制成一种厚膜力敏电阻浆料，其应变系数GF可达15～17、工作温度可达150℃。介绍了厚膜力敏应变系数的测量方法，研究了厚膜电阻材料的物化特性对钌系厚膜电阻应变系数的影响，探讨了提高应变系数的技术途径，同时，对其导电机理作了简要的阐述。

新型应变式厚膜力传感器及其应用

介绍一种可用于称重与测力的电阻应变式厚膜力传感器.其弹性体采用95%Al_2O_3陶瓷双孔梁、应变电阻为钌酸盐厚膜应变电阻,并运用厚膜工艺将应变电阻直接印刷、烧结在弹性体上而形成整体.它的量程最高达500N,精度为0.05%,工作温度达-40～+120℃.

TiN附着膜的应力-应变关系

利用等离子体辅助化学气相沉积法(PACVD)在60Mn钢基片上沉积2.5μm厚的TiN膜,借助X射线应力分析技术和微拉伸设备,测量该附着膜纵向(加载方向)应力和横向应力及外载应变,进而求其等效应力-等效单轴应变关系,并由此算得它的条件屈服点σ_(0.1)和σ_(0.2)分别为4.2和4.4 GPa,加工硬化指数为0.36,用纳米压痕仪测得其硬度为25 GPa,弹性模量为420 GPa,TiN膜在拉伸过程中发生了塑性变形。

多晶硅应变膜压力传感器

本文研究了多晶硅应变膜压力传感器制作技术,提出了防止多晶硅应变膜变形的工艺条件,研制出了多晶硅应变膜压力传感器。这一技术简单、与IC工艺较为兼容,适合研制集成压力传感器。

应变膜在盾构隧道施工监测中的应用

对应变膜原理作了分析,采用应变膜技术对盾构隧道管片在施工过程中进行了监测,相比于其他传统监测技术,应变膜能够实现面区域监测且价格相对较低,能提高监测的全面性和可靠性,结论表明,利用应变膜技术监测盾构隧道管片具有很好的效果。

油气管道上凹痕应变计算方法

针对管道上的凹痕缺陷,深度准则已不能满足油气工业的需要,因此提出了基于应变的凹痕评价体系.在经典的板壳理论中,弯曲应变能够通过凹痕深度值计算得到,但膜应变无法直接计算得到.为获得所需的膜应变值,分别采用弧长法、多项式、能量法以及根据弯曲应变计算膜应变的方法来模拟和计算凹痕管道的真实膜应变,并与有限元结果进行对比.通过分析和比较可知,根据弯曲应变计算得到的膜应变更加贴近真实值,对于运用应变准则评价凹痕管道完整性具有很重要的意义.

陶瓷厚膜力敏传感器

介绍采用厚膜工艺技术制作陶瓷力敏传感器,详细叙述圆膜片式压力传感器和陶瓷双孔梁式力传感器的工作原理、主要性能、结构设计、制作工艺,展望其应用前景.

广义协调三角形扁壳元

三角形曲面壳元在单元交界处的切线是连续的，能更真实地反映结构的几何形状，本文利用广义协调三角形板单元ＴＧＣ－ ９的法向位移场与三角形线性膜元位移场相结合，通过假设膜应变的方法构造了一个广义协调三角形扁壳元，数值算例表明该单元具有精度高且收敛快的优点。

硅微微压传感器的设计

电容式硅微微压传感器具有灵敏度高、稳定性好、加工复杂程度适中等优点,适用于硅微微压传感器的信号转换。采用ANSYS软件对电容式硅微微压力传感器的核心部件进行有限元模拟,即对周边固支的各种结构类型的应变膜进行均布压力作用下的小挠度和大挠度静力学分析。对比各种结构类型的应变膜的挠度特性发现:圆形带岛波纹薄膜因其岛部位移的一致性提高了感测电容的灵敏度,其良好的线性降低了后续检测电路的复杂程度,是电容式硅微微压传感器的较好选择。

体外细胞周期拉伸力加载系统的研制及工作性能测试

目的由于拉伸应力是一种重要的机械应力刺激形式,为了研究拉伸应力对骨组织形成和骨细胞功能的影响,构建了一套体外细胞周期拉伸力加载系统。方法首先,自主设计并构建加载系统,通过真空吸附柔性硅胶膜的方式,系统能够产生可控大小和频率的机械牵张应力;其次,分析不同减压阀设定值下膜应变值与梯度拉伸应力间的关系,并对膜应变的线性进行测试;最后,分析硅胶膜上感兴趣区内同一加载应力下不同方向以及不同循环加载次数后的膜应变值,并对膜应变的各向同性和膜的顺应性进行测试。结果自主设计构建的机械牵张应力加载装置能够在硅胶膜上感兴趣区内施加线性、各向同性且可重复的拉伸应变。结论通过对加载系统的性能测试,证明了使用本装置施加双轴牵张应力刺激的可行性和可靠性,为日后研究拉伸应力对其他各种细胞的生物学效应提供了良好的硬件基础。

碳化硅压力传感器结构仿真及优化

SiC半导体材料因具备较大的禁带宽度、高临界电场强度、高热导率和高载流子饱和漂移速度而成为制作高温、高压、大功率及耐辐射电子器件的极有希望的材料。本文首先介绍了分析薄膜应变所用的弹性力学和板壳理论。

ETFE气枕平面充气成形过程的非线性结构性能分析

对基于平面裁切的乙烯-四氟乙烯（ethylene-tetrafluoroethylene,ETFE）气枕进行充气成形试验,利用激光位移计测量气枕矢高,基于三维摄影测量得到的形状,分析了气枕膜面应力分布。采用Peirce模型模拟ETFE膜材的材料力学非线性并进行相同充气过程的数值模拟,对比分析数值模拟与实测的气枕矢高和应力分布。结果表明：Peirce模型仅在反映ETFE两个屈服点之间的应力-应变关系上有所偏差;气枕充气完成后矢高约为172 mm,气枕膜面应力最大值集中于气枕中心与各边中点的连线区域;不同内压下的气枕矢高,膜面应力、应变的数值模拟结果与实测结果相对误差均在10%以内。此外,Peirce模型数值模拟结果表明,内压为2 k Pa时气枕膜面出现塑性应变;膜面总应变与塑性应变最大值集中于气枕中心与各边中点连线区域。