计算机编程控制CVD金刚石膜生长系统的研制与应用

在863"九五”计划期间,我们研制成功"计算机编程控制CVD金刚石膜生长系统”,并用此设备在无人值守的情况下,生长出毫米级金刚石和金刚石/硅碳氮多层膜,证明该设备安全可靠,性能优良.

金刚石膜生长法中石墨的纳米微团运动模型初探

利用扫描电镜分别观察了经高温高压处理后石墨在Ni70Mn25Co5合金和金刚石包膜中的形貌特征，分析了各种石墨形貌形成的原因，初步探索了金刚石膜生长法中石墨的纳米微团运动模型，为进一步研究金刚石生成机理提供了新的线索。

高温超导Bi_2Sr_(1.6)La_(0.6)CuO_6外延薄膜生长模式的AFM研究

利用ＡＦＭ对在（１００）和与（１００）有６°切偏角的ＳｒＴｉＯ３基片上用射频溅射方法制备的高温超导Ｂｉ２Ｓｒ１．６Ｌａ０．４ＣｕＯ６＋δ（Ｂｉ２２０１）薄膜的生长模式进行了系统地研究。对应以上两类不同切割的基片，实验观察到两种不同的薄膜生长模式。对切偏角小于０．４°的（１００）ＳｒＴｉＯ３基片，本征的生长模式是梯田岛模式（Ｖｏｌｍｅｒ－Ｗｅｂｅｒ模式），每层的厚度为ｃ／２（１．２５ｎｍ）；在切偏角为６°的衬底上沉积的Ｂｉ２２０１薄膜则以台阶流模式（Ｓｔｅｐ－ｆｌｏｗｍｏｄｅ）生长。Ｂｉ系高温超导体的本征的二维特性决定了薄膜的生长模式。

2024铝合金硬质阳极氧化电参数对膜生长规律的影响

至今,还未见铝合金硬质阳极氧化膜生长规律的研究报道。考察了电参数(电流密度、脉冲频率、占空比及脉冲幅值)对2024铝合金硬质阳极氧化膜生长规律的影响,通过SEM及XRD分析了氧化膜的表面形貌及组成结构。结果表明:在不同的氧化体系和电参数条件下,硬质阳极氧化膜向基体内生长的厚度均大于向外生长,并占到总厚度的51%～64%;不同氧化体系和电参数对氧化膜生长规律没有明显的影响,电参数的变化不会改变氧化膜的非晶结构。

大芯片电源器件用量产型SiC晶体膜生长装置

日本罗姆（口一ム）公司将京都大学和东京电子（东京工しクト口ソ）公司共同开发的外延膜（晶体膜）生长装置的量产型试制装置用于硅碳化物（SiC）的研究开发用样品制作中。能够生长品质稳定的膜，因而，以往公司外供给困难的大芯片面积的电源器件的试制成为可能。

调节生物膜生长的方法和组合物

本发明涉及用于促进微生物生物膜的分散或防止微生物生物膜形成的方法，其包括：将生物膜暴露于有效量的一氧化氮或有效量的至少一种产生或释放一氧化氮的试剂；使用有效量的一氧化氮或有效量的至少一种产生或释放一氧化氮的试剂处理易于形成生物膜的表面或介质；将有效量的一氧化氮或有效量的至少一种产生或释放一氧化氮的试剂结合易于形成生物膜的表面或介质；

耐热钢蒸汽氧化膜生长和剥落的预测方法研究

通过建立基于Larson-Miller参数法(LMP)的氧化膜生长预测模型和基于Armitt图的氧化膜剥落模型,研究了蒸汽氧化膜的生长和剥落特性,为材料的服役应用和寿命管理提供参考。结果表明:奥氏体钢中的Sanicro25、喷丸S30432、喷丸TP347H、HR3C和SP2215基于蒸汽氧化的使用温度上限为680℃,S30432、TP347H和TP347HFG基于蒸汽氧化的使用温度上限为650℃;铁素体钢中的T/P91和T/P92基于蒸汽氧化的使用温度上限为600℃,VM12和T122基于蒸汽氧化的使用温度上限为650℃。

利用多层膜生长技术制备纳米印章模板

在纳米印章技术中,为克服电子束刻蚀制备50nm以下线条的技术难点,利用等离子增强化学气相沉积技术制备了a-Si/SiNx多层膜,再利用选择性湿法腐蚀或干法腐蚀在横截面上制备出浮雕型一维纳米级模板.多层膜子层之间界面清晰陡峭,可以在纳米量级对子层厚度进行控制,得到了侧壁在纳米尺度上平滑的模板.通过控制多层膜子层的生长时间,制备出线条宽度和槽状宽度均为20nm的等间距模板,品质优于电子束刻蚀技术制备的模板.

硅基平面光波导氧化硅厚膜（〉10μm）新型生长技术

率先开展了使用TEOS和H2O混合物进行PECVD形成的SiO2膜的研究工作，制备出了几乎不含有机成份的氧化硅膜。氧化硅折射率分布在1．43±0．001的范围，且随偏离中心距离基本不变。薄膜厚度是中央大，边沿薄，其厚度相对变化不超过±1．5％（2英寸衬底）。首次利用TEOSPECVD设备，并结合退火技术，已摸索出适当的厚膜氧化硅生长工艺，已成功地在硅衬底上生长出厚度达超过10微米氧化硅厚膜。

超临界机组的合金管蒸汽侧氧化膜生长与剥落研究进展

超临界机组高温合金管氧化膜剥落问题是困扰机组安全与经济运行的难题,严重制约了机组蒸汽参数和效率的提高。特别是,在超临界机组采用给水加氧处理方式(OT)后,奥氏体不锈钢管内壁氧化膜大面积剥落事故屡见不鲜,尤以TP347H合金管为甚。本文总结了近年来国内外针对超临界机组合金管氧化膜研究的进展及相关成果,首先介绍了超临界蒸汽环境中合金管氧化机理和原子迁移机制,综述了铁素体和奥氏体合金表面氧化膜的形貌特征,分析了蒸汽溶氧对氧化膜生长速率、形貌和缺陷的影响。氧化膜完整性是决定合金抗腐蚀性能的重要因素,但在机组运行过程中氧化膜应力破坏了氧化膜完整性。进一步总结了国内外氧化膜应力和剥落研究的数值分析及实验研究情况,为我国超临界机组氧化膜剥落故障诊断研究提供参考。

人口腔黏膜上皮细胞的培养及其在PLGA膜上生长的初步实验

目的 :探讨人口腔黏膜上皮细胞的原代培养和体外生长方法。方法 :采用美国DispaseⅡ试剂获取人体正常口腔黏膜上皮的原代细胞 ,将其种植在PLGA膜上 ,通过光学显微镜形态学检查、扫描电镜和免疫组织化学进行细胞定性。结果 :采用DispaseⅡ可成功地分离出口腔黏膜上皮层和上皮下层 ,通过进一步处理后可获取口腔黏膜上皮细胞的原代细胞 ,将其植入PLAG膜上 ,细胞获得很快生长 ,5d时细胞出现分化 ,8d时可以长到 5层左右。结论 :本方法可较好地获取口腔黏膜原代细胞 ,获取的口腔黏膜原代上皮细胞种植在PLAG膜上可获得良好的生长。

复方表皮生长因子膜治疗家兔口腔溃疡的实验研究

目的 研制治疗口腔粘膜溃疡的膜性制剂 ,观察其疗效。方法 以表皮生长因子 (EGF)为主药制成EGF膜 ,通过治疗家兔口腔溃疡 ,观察其病理改变及愈合时间。结果 EGF膜组溃疡愈合时间较对照组明显缩短 (P <0 .0 1) ,EGF膜组溃疡愈合程度明显好于对照组。

AZ91D镁合金α、β相上微弧氧化膜的生长特点

在硅酸盐体系电解液中,在不同电压下对AZ91D镁合金进行微弧氧化处理,研究微弧氧化过程中基体中所含α-Mg和β-Mg17Al12相组成物上微弧氧化膜的生长特点.分析了膜层的微观结构、元素分布及相组成.结果表明:微弧氧化膜形成初期,尽管β相上先于α相生成无击穿微孔的氧化膜,但击穿却首先在α相表面发生,使得有击穿微孔的微弧氧化膜首先在α相表面形成,再逐渐扩展到整个基体表面.基体α、β相上Mg、Al元素摩尔分数的差异,使得所成微弧氧化膜中Mg、Al、O在膜层表面的分布都不均匀,但随着膜层厚度的逐步增大,3种元素的分布逐渐均匀化,而Si、F元素的分布始终比较均匀.因此,基体中不同的相组成物主要影响微弧氧化的初期成膜过程,而对膜层形成后的长大过程影响不大,当工作电压为250V时,获得了表面元素分布较为均匀的膜层.

神经纤毛蛋白-1与膜相关转化生长因子-β共表达对调节性T细胞免疫抑制功能的影响

目的探讨神经纤毛蛋白-1（Nrp-1）与膜相关转化生长因子-β（TGF-β）共表达对CD4＋CD25＋调节性T细胞（CD4＋CD25＋Treg）免疫抑制功能的影响。方法体外培养Balb/c小鼠CD4＋CD25＋Treg细胞，在抗CD3/CD28和脂多糖（LPS）诱导下，给予不同浓度的抗Nrp-1抗体（Ab-Nrp-1）封闭24 h后收集细胞，采用流式细胞分析仪检测细胞表面Nrp-1与膜相关TGF-β表达。分别将不同浓度Ab-Nrp-1封闭1 h后的Treg与小鼠正常CD4＋CD25-T淋巴细胞共培养，观察抗CD3/CD28和LPS诱导下12、24和48 h后对CD4＋CD25-T淋巴细胞增殖能力的影响。结果在抗CD3/CD28和LPS诱导下，Treg表面Nrp-1与膜相关TGF-β表达率明显增加（均P＜0.05），Treg膜相关TGF-β表达随着Ab-Nrp-1浓度的增加逐渐降低，呈明显的浓度依赖性（P＜0.05）；正常Treg与CD4＋CD25-T淋巴细胞共培养后，能显著抑制CD4＋CD25-T淋巴细胞增殖功能（P＜0.05），而不同浓度Ab-Nrp-1处理能逆转抑制作用，其中5μg/ml已达最大效应（P＜0.05），且24 h后作用最强，具有明显的浓度-时间依赖性（P＜0.05）。结论 Treg通过膜相关TGF-β发挥免疫抑制功能，共表达Nrp-1能够明显增强其免疫抑制作用。

磁头表面含氟三氯硅烷自组装膜的生长机理

在磁头表面制备了1H,1H,2H,2H-四氢全氟辛烷基三氯硅烷(FOTS)自组装膜,采用X射线光电子能谱仪 (XPS)、时间飞行二次离子质谱仪(TOF-SIMS)、接触角测量仪和原子力显微镜(AFM)对FOTS自组装膜进行表征,研究了自组装膜的生长机理．结果表明,FOTS自组装膜的生长经过了亚单层膜的低等覆盖、亚单层膜的中等覆盖、团聚和聚结四个阶段．其中第一层和第二层自组装膜的亚单层膜形态和生长方式不同,第一层的亚单层膜呈岛状,岛的生长是自身向外扩展;第二层的亚单层膜呈簇状,簇通过数量增加来实现生长．超薄完整的单层FOTS自组装膜(膜厚为0．8 nm、Ra为0．125 nm)能使磁头表面的接触角值增加,疏水性能提高．

二棕榈酰磷脂酰胆碱LB膜诱导下草酸钙晶体生长的SEM研究

目的 :利用二棕榈酰磷脂酰胆碱 (DPPC)的Langmiur -Blodgett膜 (简称LB膜 )作为模板诱导草酸钙晶体的生长 ,进而模拟生物体内尿结石的形成和抑制 方法 :采用扫描电子显微镜(SEM) ,对磷脂DPPC的LB膜诱导过饱和溶液中生长的草酸钙晶体进行图像分析 结果 :在膜压很小 (π =1mN/m)时 ,几乎没有草酸钙晶体 ,随着膜压增大 ,草酸钙晶体的密度增加、尺寸增大 .但当膜压增加到 35mN/m时 ,晶体却特别稀少 .结论 :作为模板的DPPC的LB膜的膜压不同时 ,可以诱导生成具有不同形状、不同密度和尺寸的CaC2 O4 晶体 LB膜中DPPC分子间的距离与CaC2 O4 晶体的结构相匹配是CaC2 O4

预成型钛网联合浓缩生长因子膜修复31例前牙种植区骨量不足的疗效分析

目的:探讨预成型钛网联合浓缩生长因子(CGF)膜修复前牙种植区骨量不足的疗效。方法:选择2017年1月—2020年2月就诊的前牙区骨量不足患者62例,依照电脑数字表法将其分为实验组(31例)与对照组(31例)。2组均采用种植修复,对照组种植后将预成型钛网覆盖于骨缺损区,实验组种植后将预成型钛网与CGF膜覆盖于骨缺损区。随访12个月,统计2组种植成功率,比较2组牙槽嵴高度、骨增量、牙槽骨骨密度、骨厚度、红色美学指数(PES)以及术后6个月内并发症发生情况。采用SPSS 19.0软件包进行统计学分析。结果:随访12个月,2组种植成功率均为100%,无种植体松动、脱落等现象。2组术前牙槽嵴高度相比差异无统计学意义(P>0.05),实验组术后牙槽嵴提升高度、骨增量显著高于对照组(P<0.05)。2组术前牙槽骨骨密度与骨厚度相比差异无统计学意义(P>0.05),术后6个月、12个月的牙槽骨骨密度与骨厚度均显著低于术前(P<0.05),术后6个月的牙槽骨骨密度均显著低于术后12个月(P<0.05),术后6个月牙槽骨骨厚度均显著高于术后12个月(P<0.05),且实验组术后6个月、12个月的牙槽骨骨密度与骨厚度均显著高于对照组(P<0.05)。实验组术后PES评分显著高于对照组(P<0.05)。术后6个月,2组并发症发生率相比无统计学差异(P>0.05)。结论:预成型钛网联合CGF膜用于前牙区骨量不足患者种植修复,疗效确切,可提升种植修复的美容效果,改善术后骨代谢,安全可靠。

结肠癌患者血浆外泌体表面膜结合型转化生长因子β_1表达及其生物学作用

目的观察结肠癌患者血浆外泌体(exosomes)表面膜结合型转化生长因子β_1(m TGF-β_1)表达,探讨其生物学作用。方法选取结肠癌患者20例(观察组),同期体检健康者10例(对照组),提取两组血浆exosomes,采用流式细胞仪分析exosomes表面m TGF-β_1表达。从结肠癌患者肝素抗凝全血中分离外周血单个核细胞(PBMCs),分选获得纯化的CD4^+T细胞,采用CD3、CD28诱导细胞增殖,将细胞随机分为三组,A组加入TGF-β_1阻断性单抗处理的结肠癌患者血浆exosomes(1μg/m L),B组加入Ig G1同型对照抗体处理的结肠癌患者血浆exosomes(1μg/m L),C组加入健康人血浆exosomes(1μg/m L),培养3天时进行台盼蓝染色计数活细胞数;采用ELISA法检测细胞培养上清液中TNF-α和IFN-γ水平。结果观察组血浆exosomes表面m TGF-β_1表达阳性率为36.52%±4.26%,高于对照组的9.23%±3.77%(P<0.01)。与C组比较,B组CD4^+T细胞数量及其分泌的TNF-α、IFN-γ水平均降低(P均<0.05);与B组比较,A组CD4^+T细胞数量及其分泌的TNF-α、IFN-γ水平均增加(P均<0.05)。结论结肠癌患者血浆exosomes表面高表达m TGF-β_1,m TGF-β_1表达增加可能是构成结肠癌免疫抑制环境的重要因素,可促进结肠癌的发生、发展。

TiO_2微弧氧化膜的生长过程及特性变化

为了进一步研究钛材表面TiO_2微弧氧化膜的生长过程和生长模式,采用物理分析技术分析了其微弧氧化过程中不同放电阶段膜表面的形貌、膜层厚度、相成分、表面粗糙度和硬度的变化。结果表明:TiO_2多孔膜最初以孤立的岛状生长模式生长,随微弧氧化反应的进行,孤立的岛状氧化膜彼此相连接,膜表面形貌和厚度逐渐趋于一致,氧化膜的孔径、厚度、粗糙度和硬度均有增加;膜的相成分由亚稳的锐钛矿向高温下更加稳定的金红石转变,羟基磷灰石(HA)的量逐渐增加;TiO_2膜所呈现的特性与微弧氧化过程中不同阶段的放电特性密切相关。

米非司酮抗早孕子宫蜕膜表皮生长因子的测定

目的:了解米非司酮对蜕膜中表皮生长因子(EGF)的影响。方法:应用放射免疫法测定米非司酮加米索组、米非司酮组、对照组各15例蜕膜中EGF水平。结果:3组蜕膜中EGF水平分别为11.055±12.893ng/mg蛋白质,9.528±8.102ng/mg蛋白质,12.667±8.598ng/mg蛋白质,无显著性差异(P>0.05)。结论:米非司酮对蜕膜中EGF水平无影响。