某电源模块厚膜电阻硫化机理及防护对策

针对本单位某型电子产品内主板的电源模块上的厚膜电阻首次出现硫化的问题,开展了行业现状调研,研究了厚膜电阻硫化机理,分析了电源模块上厚膜电阻硫化的原因。从器件选型、设计优化、工艺改进三个方面提出了提升电源模块抗硫化能力的防护措施。重点论述了涂覆三防漆的改善措施,且经工艺验证可行,能够起到提升电源模块防硫化能力的作用。

RMK片式膜电阻在真空下的过电特性研究

为了提高小卫星的供电效率,越来越多的微小卫星的电源使用集中二次供电方式。为防止单机产品电源短路后出现大电流,影响同一母线上其他单机,使用限流电阻替代熔断器已成为集中供电模式下单机供电安全的发展方向。文中将理论与试验相结合,在真空环境条件下,通过开展RMK片式膜电阻的过电应力试验,研究该类型小阻值电阻通过的电流超出额定值时的阻抗特性。结果表明,当片式膜电阻的过电流值为额定电流的6倍以上时,该大电流在1 s内可以使电阻从几欧姆的阻值急剧上升至几千欧姆,从而达到保护卫星供配电系统的目的。另外,降低产品短路大电流的过流时间,可以防止电路板严重烧毁,避免引起其他类型的二次故障。

片式厚膜电阻的硫化防护

片式厚膜电阻在电子产品中的应用非常广泛,但是传统的厚膜电阻的电极中含银,在运行环境比较恶劣,含硫污染物较多的情况下,银非常容易同硫发生反应,生成电导率低的硫化银,从而使电阻的阻值变大甚至开路。开展了多种电阻工艺方案、工艺材料的耐硫化环境试验。通过对比,提出了片式厚膜电阻防硫化的可靠性技术解决方案。

片式厚膜电阻器用电阻功能浆料研制技术分析

电阻浆料是片式电阻器的核心原材料。当前该材料在国内的研发还有待提高。为了能够研发出符合要求的电阻浆料,为国内高端电子元件打下良好的基础。文中在明确了电阻浆料研制目标的基础上,主要从研制目标、需要解决的关键问题以及关键技术攻关这几个方面就针对片式厚膜电阻器用电阻功能浆料的研制经验进行总结,希望可以对电阻功能浆料的进一步研发提供一定的借鉴。

厚、薄膜电阻激光快速微调技术

详细介绍了激光微调厚薄膜电阻的基理、激光调阻系统的构成、激光器选择、光束定位扫描系统及实时检测原理,并给出了调阻过程中各种相关参数.

印制电路板内埋薄膜电阻和聚合厚膜电阻的可靠性初步评估

多层印制板内埋无源元件,可以节省有源元件安装面积,减小印制板尺寸,提高设备功能、提升安全性,并降低制造成本。由于制作完成后内埋式无源元件不可替换,元件是否拥有长期稳定性和可靠性是制造商最关心的方面。文章给出了内埋NiP薄膜电阻和聚合厚膜电阻持续作业的可靠性测试结果,讨论了无铅焊接模拟和温度循环测试(-40℃^+85℃)的温度对阻值的影响。

厚膜电阻的研究现状及发展趋势

首先描述了厚膜电阻的基本结构,介绍了制作厚膜电阻的各种材料,然后详细地阐述了厚膜电阻的制备工艺,探讨了厚膜电阻的导电机理和近年来的发展趋势。

钌系厚膜电阻重烧变化特性的研究

采用高温熔融-水淬法制备玻璃相,固相法制备导电相Bi2Ru2O7、CaRuO3和BaRuO3,水浴溶解法制备有机载体,配制成电阻浆料后印制成电阻,经烘干、烧结后测算其重烧变化率。研究了玻璃组成中硼硅比例B2O3/SiO2、混合玻璃粉比例以及导电相对重烧变化率的影响。提出了改善电阻重烧变化率的几种办法。制备出的几种电阻浆料重烧变化率较小,可满足使用要求。

烧结温度对厚膜电阻的影响研究

以钌系R-2200厚膜电阻浆料作为研究对象,探讨了烧结温度、保温时间和升温速率工艺因素对其阻值及电阻温度系数(TCR)的影响。利用导电机理模型和液相烧结模型,说明了烧结工艺对钌系厚膜电阻性能的影响。实验数据与SEM表明:厚膜浆料烧结温度在875℃时,结构均匀且致密性好;烧结温度过低时,结构不稳定,功能相没有形成导电网络;而烧结温度过高时,RuO2晶粒异常长大,导电链断裂,势垒升高。

阿魏酸钠对大鼠脑微血管内皮跨膜电阻的影响

目的 :观察阿魏酸钠对组胺引起的脑软膜微血管通透性增加的抑制作用。方法 :脑软膜微血管通透性用跨脑软膜微血管内皮的电阻表示 ,跨脑软膜微血管内皮的电阻通过将微电极插入微血管腔内记录 ,并用电缆公式计算获得。结果 :脑软膜微血管经灌流人工脑脊液 ,测得的跨内皮电阻大约为 2 5 0 0Ω·cm2 ,说明微血管内皮是具有较低通透性的致密屏障 ,在人工脑脊液中加入 10 4 mol·L 1组胺引起跨内皮电阻快速的和可逆性的下降。在配对实验中 ,10 4 mol·L 1组胺引起跨内皮电阻的下降能够被在人工脑脊液中加入 10 5mol·L 1阿魏酸钠所抑制。结论 :结果表明组胺能够引起脑微血管通透性增加 。

用激光微细熔覆法直写电阻浆料制备厚膜电阻

介绍了一种激光微细熔覆法直写电阻浆料制备厚膜电阻的新技术,并利用该技术在陶瓷基板上制备出厚膜电阻。文章中展示了部分实验结果,并分析了其附着机理。由于激光微细熔覆直写电阻技术具有无需掩模、图形由计算机控制、分辨率高、柔性化制造程度高等优点,显示该技术在电子工业中将具有广阔的应用前景。

BaPbO_3/Ag复合体系大功率厚膜电阻浆料的研究

提出以BaPbO3/Ag复合体系作为功能相制备低成本大功率厚膜电阻浆料的思想,研究Ag含量、峰值烧结温度对厚膜电阻电性能和热稳定性的影响,并从导电机理方面对实验结果进行了分析讨论。

锌污染对藻细胞膜电位和膜电阻的影响

运用细胞表面技术和电化学方法,构建一种非创伤性藻细胞膜电位传感系统,研究了Zn2+对大型轮藻(Nitellaflexi-lis)膜电位和膜电阻的影响。结果表明,膜电位和膜电阻能快速而灵敏反映过量Zn2+对藻细胞的毒性影响,响应时间均控制在30min内,响应最低摩尔浓度为0.05mmol/L。本实验浓度范围内,低摩尔浓度(0.05mmol/L)Zn2+引起藻细胞膜电阻增大,膜电位无明显变化;而高摩尔浓度(0.10～1.00mmol/L)Zn2+则导致藻细胞明显去极化,膜电阻减小。而且,低浓度Zn2+对藻细胞膜电位、膜电阻的影响具有可逆性;而高浓度Zn2+对其的影响不可逆。此外,藻细胞膜电位、膜电阻与时间呈显著的直线线性关系。上述特征不仅为水中Zn2+的快速生物检测提供了理论依据,亦为Zn2+的定量检测提供了新思路。

钉基厚膜电阻中钽钌酸铅颗粒尺寸效应的研究

本文研究了钌基厚膜电阻导电相图钌酸铅(Pb_2(Ta_x,Ru_(2-x))O_σ+σ)(δ=0.1)颗粒尺寸对其阻值和电阻温度系数(TCR)的影响。发现适当控制颗粒度大小,可获得具有稳定阻值和TCR的厚膜电阻。

膜电阻对自组装膜修饰电极电化学行为的影响

应用循环伏安和交流阻抗技术研究了 16烷基硫醇自组装膜修饰的金电极在Fe(CN) 63 - /Fe(CN) 64 - 溶液中的电化学行为 .无“针孔”缺陷的自组装膜对溶液与基底间的界面电子转移具有强烈的阻碍作用 ,当过电位较大时 ,In(I/ η)对 η1/2 之间具有良好的线性关系 .通过对Au/SAM /Hg模拟体系的电流———电压曲线进行测定 ,得到了自组装膜膜电阻的特征 .指出由于膜电阻的存在 ,自组装膜修饰电极在Fe(CN) 63 - /Fe(CN) 64 -

厚膜电阻浆料有机载体的改进

厚膜电阻浆料有机载体的改进李同泉（昆明贵金属研究所昆明６５０２２１）ＩｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｏｆＯｒｇａｎｉｃＣａｒｉｅｒｆｏｒＴｈｉｃｋ－ｆｉｌｍＬｉＴｏｎｇｑｕａｎ（ＫｕｎｍｉｎｇＮｏｂｌｅＭｅｔａｌＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，Ｋｕｎｍｉｎｇ，６５０２２１...

一种新型NTC厚膜电阻的制备及电性能研究

以新型BaCoⅡ 0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3材料为基体,以CuO为烧结助剂,在790、800、810℃烧结4h制备了NTC厚膜电阻。借助XRD、SEM和阻温特性测试仪,研究了CuO含量对电阻相组成、微观结构及电性能的影响。结果表明：烧结温度为800℃的NTC厚膜电阻主要物相为具有复合立方钙钛矿结构的BaCoⅡ0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3,并有少量Bi2O3剩余;该组电阻表面颗粒均匀细小,致密性随CuO含量的增加而趋于增加。对烧结温度为790℃的电阻来说,其室温电阻R25和B25/85随CuO含量的增加而逐渐降低;该电阻的R25、B25/85及活化能Ea分别为0.98-13.40kΩ、931-1855K和0.08-0.16eV。

高性能钌系低阻值厚膜电阻浆料的研究

通过在钌系电阻浆料配方中加入多种金属及金属氧化物粉末的大量实验，推出了制备高性能钌系低阻值（≤１０Ω／□）厚膜电阻浆料的方法。

MCM-C基板上的多层互连及厚膜电阻的可靠性研究

重点研究了MCM-C基板中多层互连和厚膜电阻的可靠性.试验采用温度应力和电应力的双应力加速寿命试验.试验发现,温度小于180℃时互连失效在MCM-C基板失效中占主要地位,膜电阻失效相对互连失效可忽略不计.在温度高于180℃时膜电阻失效将起较大作用,即膜电阻比互连温度加速系数要大.重点计算了膜电阻和互连寿命分布及加速系数.

TiB_2掺杂对316L不锈钢厚膜电阻抗氧化性能的影响

目的厚膜电阻在电热膜方面的应用越来越广,而对于多孔陶瓷基体表面的厚膜电阻抗氧化性能的研究尚不多见。方法通过恒温氧化实验研究了TiB_2掺杂对不锈钢厚膜电阻在400、500、600、700℃下抗氧化性能的影响,采用XRD、SEM和EDS等方法分析了未掺杂及TiB_2掺杂两种厚膜电阻的相组成和显微组织。结果两种厚膜电阻的氧化动力学曲线均符合类抛物线模型,即(Δw)n=kt。在400℃下,两种厚膜电阻的指数n均为4,掺杂TiB_2电阻膜的氧化速率常数K1为1955.8 g4/(m8·h),而未掺杂TiB_2电阻膜的氧化速率常数K2为4694.9 g4/(m8·h),这是由于掺杂TiB_2厚膜电阻的致密度较高,使得厚膜电阻的抗氧化性能得以提高。高于500℃时,两种厚膜电阻的指数n均为2,掺杂TiB_2厚膜电阻的氧化速率常数大于未掺杂厚膜电阻。这是由于TiB_2氧化致使膜层内部出现间隙,膜层内部氧化严重(氧化产物主要为TiO_2、B_2O_3、Fe_2O_3以及(Fe_(0.6)Cr_(0.4))_2O_3),厚膜电阻抗氧化性能降低。结论不锈钢厚膜电阻中掺杂TiB_2可在400℃下提高膜层的抗氧化性能,而在500℃以上的高温环境下却有损于膜层的抗氧化性能。