电子束蒸发法制备Co/Ru多层膜的微观结构与磁电阻

采用电子束蒸发法制备具有不同Co层厚度的Co/Ru多层膜。采用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、扫描电镜(TEM)等对多层膜的微观结构进行观察与分析,研究多层膜微观结构对多层膜磁阻性能的影响,并探讨多层膜磁阻的产生机理。结果表明:Co层的厚度tCo对于薄膜的微观结构和磁阻性能有很大影响,当tCo≥0.8 nm时Co/Ru多层膜以层状方式连续生长,且tCo越大,薄膜结晶越完整,薄膜呈现负磁阻效应;当tCo=0.5 nm时,Co/Ru多层膜为岛状生长,Co/Ru界面的不对称性使得薄膜出现正磁阻效应。

离子束混合过程中Au/Fe磁性膜的巨磁电阻效应在线研究

在离子束混合和强磁场条件下,在线研究了Au/Fe磁性膜的巨磁电阻效应,发现了不同磁场强度下的离子束混合对巨磁电阻效应影响的规律,以及不同注入条件对样品饱和磁场的影响。讨论了样品由磁性多层膜逐渐向磁性纳米颗粒膜的转变,以及与此相关的纳米磁性颗粒在磁场作用下的非各向同性生长,并通过高分辨透射电镜(TEM)观察证实了磁性膜样品中磁性纳米Fe颗粒存在各向异性生长现象。通过对室温放置了一年以上的磁性纳米颗粒膜样品的电磁物性测量,证明利用离子束混合技术制备的纳米颗粒膜在室温具有良好的热稳定性和时间稳定性。

以RuO_2为基的厚膜电阻器中电子传导与温度的关系

本文研究了两种同属RuO_2为基的厚膜电阻器中阻值与温度的关系。两种电阻器的成分(重量百分比,下同)分别为:80%玻璃料(其中:63%pbO-25%B_2O_3-12%SiO_2,称作G_1)-20%RuO_2和80%玻璃料(其中:55.5%pbO-22%B_2O_3-10.5%SiO_2-12%Al_2O_3,称作G_2)-20%RuO_2.成分为80%G_1-20%RuO_2的电阻器在850℃下烧结后,当温度从100K到～400K上升时方阻变小,并在400K到～690K之间保持一个最小值,然后随温度的进一步升高而变大.在100K～500K时获得的负温度系数为～480ppm/℃;当温度再升高时,电阻温度系数(TCR)变得更小. 本文使用厚膜电阻器导电机理的三种传导方式解释了实验结果;用一种改进的传导方式(包详隧道传导和并联传导两种方式),说明了阻值-温度反比曲线的坡度变化和阻值与温度的关系;另外还用一个等效电路模式阐述了厚膜电阻器的电性能.

超高真空陶瓷管内壁镀膜的方块电阻测量

使用一种新的感应线圈方法对超高真空陶瓷管内壁导电膜的方块电阻进行了测量 ,其优点在于 :不用直接接触膜层就能测量到管内深处不易放置探针的地方的方块电阻 ;可进行在线测量而不破坏管内真空。解决了应用中的难题 。

磁性金属多层膜的新颖特性-巨磁电阻效应

介绍了磁性金属多层膜中巨磁电阻效应的发现过程、特点和成因 。

厚膜电阻浆料有机载体的改进

厚膜电阻浆料有机载体的改进李同泉（昆明贵金属研究所昆明６５０２２１）ＩｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｏｆＯｒｇａｎｉｃＣａｒｉｅｒｆｏｒＴｈｉｃｋ－ｆｉｌｍＬｉＴｏｎｇｑｕａｎ（ＫｕｎｍｉｎｇＮｏｂｌｅＭｅｔａｌＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，Ｋｕｎｍｉｎｇ，６５０２２１...

颗粒膜中的巨磁电阻效应

纳米颗粒构成的颗粒膜具有巨磁电阻效应 ,其中的组元互不固溶 ,颗粒膜中的巨磁电阻效应与电子自旋相关散射有关 ,以界面散射的贡献为最大 ,并受到颗粒尺寸、体积百分数、退火时间及温度的影响。由于颗粒膜制备工艺简便 ,巨磁电阻效应在信息储存技术中有巨大应用前景 ,颗粒膜中的巨磁电阻效应引起了人们极大的兴趣。

Si/Co/Cu/Co多层膜中巨磁电阻效应及与微结构的关系

用超高真空电子束蒸发方法在S i(100)衬底上制备了S i/Co/Cu/Co多层膜。发现当S i层厚度达到0.9 nm时,多层膜中开始出现较强的平面内各向异性巨磁电阻效应。在S i 1.5 nm/Co 5 nm/Cu 3 nm/Co 5 nm多层膜中,作者在其易轴上得到了5.5%的巨磁电阻值和0.7%/O e的磁场灵敏度。用X射线衍射和透射电镜研究了S i/Co界面之间的相互扩散,发现在S i层与Co层间形成了Co-S i化合物层,这个硅化物界面层诱导了其上的Co/Cu/Co三明治膜中的平面内磁各向异性乃至整个多层膜的平面内各向异性巨磁电阻效应。原子力显微镜表面形貌分析表明,随S i层厚度增大,Co/Cu/Co三明治膜的界面平整度得到改善,从而使巨磁电阻值增大。

磁性金属多层膜的新颖特性——巨磁电阻效应的发现

本文回顾了磁性金属多层膜巨磁电阻效应的发现和对其成因的微观解释的发展历程.

膜厚对不锈钢基厚膜电阻电性能的影响

为提高不锈钢基厚膜电阻浆料的重烧稳定性,采用丝网印刷、高温烧成等厚膜工艺制备了不锈钢基厚膜电阻,研究和分析了烧成膜厚度对方阻、电阻温度系数和重烧稳定性的影响规律和机理。结果表明,随着膜厚的增加,厚膜的方阻减小,电阻温度系数略有增大;当烧成Ag-Pd膜厚约为12μm时,厚膜电阻的重烧稳定性最佳,其方阻重烧变化率小于3%。

国内厚膜电子浆料的发展与应用

介绍了厚膜电子浆料发展概况及主要厂家，列出了目前国内较流行的２０种厚膜浆料产品的主要性能指标（如：ＲＳ、α、ＳＴＯＬ、ＣＲＶ、ＥＳＤ、环境稳定性、激光稳定性等）、用途以及配套浆料。指出了国内厚膜电子浆料工业与国外的差距。

高阻碳膜电阻膜层TCR的改进

基于碳膜固有的负电阻温度特性，在从工艺角度解决高阻碳膜电阻膜层ＴＣＲ偏高问题的同时，通过对物质的电导率形成机理的分析，提出了以硼置换碳的改性方案，为彻底实现高阻材料国产化提供了理论和实践的依据。

基于Si纳米膜的差分结构矢量水听器工艺研究

通过关键工艺步骤,将硅(Si)纳米膜制备在差分结构水听器上作为压敏电阻,利用Si纳米膜的巨压阻效应来提高水听器的灵敏度;利用深Si刻蚀,将Si柱与芯片一体化,减少了差分结构的对准误差,同时抑制海洋洋流带来的振动干扰。设计了相对应的光刻掩模版和整套工艺流程,通过MEMS工艺,成功加工出Si纳米膜作为压敏电阻,实现矢量水听器芯片与Si柱集成化。对制备好的芯片进行观测与测试,使用激光共聚焦显微镜和扫描电子显微镜(SEM)设备观察芯片形貌良好,尺寸与设计基本一致;通过半导体分析仪测量得到压敏电阻器的阻值为15.3×10^(4)Ω,线性度良好,符合矢量水听器功能需求。

Vishay推出通过IECQ-CECC认证的无铅和含铅厚膜片式电阻

Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出通过IECQ-CECC认证的无铅和舍铅厚膜片式电阻。两种器件均提供两种版本：通过EN 140401-802认证的版本A满足工业电子行业的要求：通过EN 140401-802认证的版本E适用于军工、航空和航天应用。版本E器件的失效率水平达到E6．可靠性更有保证。

电热器的电阻与电子技术中的小型电阻元件

电阻是电路中对电流通过有阻碍作用并且造成能量消耗的部分，常用R表示。

风华高科车规薄膜电阻器获得AEC-Q200认证

近期，风华高科下属端华分公司继2016年推出车规厚膜片式固定电阻器后，2017年最新研发推出的车规薄膜片式闭定电阻器，成功通过汽车电子工业标准AEC—Q200第三方试验认证。本次认证成功，标志着风华高科车规片阻产品系列更加完备，为全面进军汽车电子市场打下坚实基础。

片式厚膜电阻器用电阻功能浆料研制技术分析

电阻浆料是片式电阻器的核心原材料。当前该材料在国内的研发还有待提高。为了能够研发出符合要求的电阻浆料,为国内高端电子元件打下良好的基础。文中在明确了电阻浆料研制目标的基础上,主要从研制目标、需要解决的关键问题以及关键技术攻关这几个方面就针对片式厚膜电阻器用电阻功能浆料的研制经验进行总结,希望可以对电阻功能浆料的进一步研发提供一定的借鉴。