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GTR自保护驱动电路保护死区短路功耗计算
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作者 甘正佳 张颖 成新明 《测控技术》 CSCD 2002年第11期66-68,共3页
GTR大都采用自保护驱动电路 ,但采用这种电路存在一个保护死区 ,在保护死区内短路功耗的大小决定了自保护驱动电路能否可靠地对GTR进行保护。本文提出了GTR短路时的数学模型 ,并应用这一模型对GTR自保护驱动电路保护死区短路功耗进行了... GTR大都采用自保护驱动电路 ,但采用这种电路存在一个保护死区 ,在保护死区内短路功耗的大小决定了自保护驱动电路能否可靠地对GTR进行保护。本文提出了GTR短路时的数学模型 ,并应用这一模型对GTR自保护驱动电路保护死区短路功耗进行了计算。 展开更多
关键词 GTR 自保护驱动电路 保护死区 功耗 计算 第二代功率半导体器件
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一种实用的GTR自保护驱动电路
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作者 成新明 叶涛 肖雁鸿 《测控技术》 CSCD 2000年第10期60-61,63,共3页
介绍了一种实用的GTR自保护驱动电路的原理及设计方法 ,并对该电路的退饱和保护功能进行了测试。实验表明 ,在无任何附加保护措施的情况下 ,该电路能成功地对GTR进行短路保护。
关键词 逆变器 GTR 自保护驱动电路 PWM
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一种适用于MOSFET的自保护驱动电路
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作者 王生德 翟玉 《郑州大学学报(自然科学版)》 CAS 1999年第3期59-61,共3页
提出一种 M O S F E T 高频载波桥式整流驱动电路.该电路不须悬浮电源,实现高低压隔离,具有频率响应快、线路简单可靠、控制灵活等特点,在故障状态下具有自保护功能.
关键词 力半导体器件 MOSFET 自保护驱动电路
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