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题名GTR自保护驱动电路保护死区短路功耗计算
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作者
甘正佳
张颖
成新明
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机构
长沙电力学院现代教育技术中心
中南大学
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出处
《测控技术》
CSCD
2002年第11期66-68,共3页
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文摘
GTR大都采用自保护驱动电路 ,但采用这种电路存在一个保护死区 ,在保护死区内短路功耗的大小决定了自保护驱动电路能否可靠地对GTR进行保护。本文提出了GTR短路时的数学模型 ,并应用这一模型对GTR自保护驱动电路保护死区短路功耗进行了计算。
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关键词
GTR
自保护驱动电路
保护死区
短路功耗
计算
第二代功率半导体器件
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Keywords
GTR
mathematical model
protection dead zone
short circuit power consumption
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分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
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题名一种实用的GTR自保护驱动电路
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作者
成新明
叶涛
肖雁鸿
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机构
长沙铁道学院机电院
(长沙)湖南大学电气与信息工程学院
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出处
《测控技术》
CSCD
2000年第10期60-61,63,共3页
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文摘
介绍了一种实用的GTR自保护驱动电路的原理及设计方法 ,并对该电路的退饱和保护功能进行了测试。实验表明 ,在无任何附加保护措施的情况下 ,该电路能成功地对GTR进行短路保护。
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关键词
逆变器
GTR
自保护驱动电路
PWM
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Keywords
GTR,drive circuit,self protection
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分类号
TM464
[电气工程—电器]
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题名一种适用于MOSFET的自保护驱动电路
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作者
王生德
翟玉
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机构
郑州大学电子工程系
河南省交通学校
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出处
《郑州大学学报(自然科学版)》
CAS
1999年第3期59-61,共3页
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基金
河南省教委科技攻关项目
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文摘
提出一种 M O S F E T 高频载波桥式整流驱动电路.该电路不须悬浮电源,实现高低压隔离,具有频率响应快、线路简单可靠、控制灵活等特点,在故障状态下具有自保护功能.
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关键词
电力半导体器件
MOSFET
自保护驱动电路
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Keywords
power semiconductor devices
driving circuits
power MOSFET
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
TM76-39
[电气工程—电力系统及自动化]
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