GaAs MESFET自升温效应的分析

分析了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ由于沟道电流功耗而引起的器件自升温效应。以基本的Ｐｏｉｓｏｎ方程、电流方程及热流方程为基础，采用二维数值分析法，确定了器件内部自升温效应下的温度分布特点，以及决定器件自升温幅度的主要因素。

自升温效应下的GaAsMESFET大信号模型

分析了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在自升温效应下的升温幅度，结合器件电学参数随温度变化的特点，对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。

自升温效应下的GaAs MESFET大信号模型

本文首先分析GaAsMESFET在自升温效应下的升温幅度，然后结合器件电学参数随温度变化的特点，对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。修正后的模型更准确地反映了器件的工作特性，应用于GaAsMESFET功率MMICCAD中能进一步提高电路的设计精度。