1
|
亚50nm自对准双栅场效应晶体管的量子和短沟道效应的研究 |
胡伟达
陈效双
全知觉
周旭昌
陆卫
|
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
3
|
|
2
|
12 GHz GaAs/InGaAs异质结双栅功率场效应晶体管 |
王玉林
吴仲华
徐中仓
陈效建
|
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
|
1997 |
1
|
|
3
|
双底栅双壁碳纳米管场效应晶体管的构建和特性研究 |
张振宇
王胜
梁学磊
陈清
|
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
2
|
|
4
|
双栅无结型场效应晶体管的设计与优化 |
李为民
梁仁荣
王敬
|
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
|
2014 |
1
|
|
5
|
一个圆柱形双栅场效应晶体管的物理模型 |
刘佳文
姚若河
刘玉荣
耿魁伟
|
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2021 |
0 |
|
6
|
Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管TCAD仿真研究 |
王菡滨
刘梦新
毕津顺
李伟
|
《微电子学》
CAS
北大核心
|
2021 |
0 |
|
7
|
一种带有斜向扩展源的双栅隧穿场效应晶体管 |
熊承诚
孙亚宾
石艳玲
|
《半导体技术》
CAS
北大核心
|
2022 |
0 |
|
8
|
平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的设计与制作 |
肖德元
陈国庆
李若加
卢普生
陈良成
刘永
沈其昌
|
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2007 |
1
|
|
9
|
硅双栅场效应晶体管 |
王英强
|
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
1990 |
0 |
|
10
|
双栅场效应晶体管及其应用 |
吴雄
|
《电子与仪表》
|
1995 |
0 |
|
11
|
双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管有源层厚度对电学性能的影响 |
蔡旻熹
姚若河
|
《华南理工大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2016 |
3
|
|
12
|
一种新型源电极的DMDG隧穿场效应晶体管 |
柯亚威
施敏
|
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
2018 |
0 |
|
13
|
双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降 |
甘学温
王旭社
张兴
|
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2001 |
5
|
|
14
|
双栅MOSFET'S的短沟道效应 |
方凯
|
《微处理机》
|
1989 |
0 |
|
15
|
栅对准误差对双栅MOSFET性能影响的分析 |
钱莉
李伟华
|
《电子器件》
CAS
|
2002 |
0 |
|
16
|
槽栅IGBT硅化物自对准技术研究 |
袁寿财
朱长纯
刘君华
|
《电子器件》
CAS
|
2002 |
2
|
|
17
|
IGBT全自对准栅挖槽工艺研究 |
袁寿财
汪李明
祝咏晨
|
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
|
2004 |
1
|
|
18
|
微波场效应晶体管的研制 |
Michacl.C.Drirer
东邵
晓白
|
《微纳电子技术》
|
1975 |
0 |
|
19
|
双栅动态阈值SOI nMOSFET数值模拟(英文) |
毕津顺
吴峻峰
海潮和
|
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
0 |
|
20
|
全自对准槽栅IGBT设计 |
袁寿财
朱长纯
|
《中国集成电路》
|
2003 |
0 |
|