0.13um工艺中钴硅化物的缺陷分析与改善

在半导体器件的制造过程中,尤其是在0.18um及其以下的制造工艺中,自对准金属硅化物(Salicide,Self-Aligned Sili-cide)工艺是一项极其关键,同时也涉及到复杂工艺整合的工艺技术。它直接决定了所制造的半导体器件能否达到EDR(Electrical Design Rule)所规定的电学性能,同时还决定了半导体产品中几千万个器件的均一性和可靠性。本文主要通过分析半导体WAT(Wafer Acceptance Test)测试中P型器件饱和电流Idsat不稳定的现象,借助FA(Failure Analysis)手段,提出了造成这一现象的失效模型,最后通过合理的实验设计和分析,从工艺整合的角度,提出了在0.13um逻辑产品制造工艺中,形成均一稳定的低电阻金属钴硅化物(Co-Salicide)的具体解决方法。