H扩散掺杂源漏的自对准顶栅a-IGZO TFT制备工艺研究

采用氢(H)扩散掺杂源漏的方法对自对准顶栅a-IGZO TFT的制备工艺进行了研究。氢的扩散掺杂通过PECVD生长SiNx钝化层而实现。实验结果显示,在栅电极图形化后,是否继续进行栅介质刻蚀对器件性能有较大影响。对刻蚀了SiO_2栅介质层的器件,发现其泄漏电流较大,这可能是由于有源层侧壁的刻蚀残留物导致的;短沟道器件阈值电压偏负且在经过退火后迁移率减小,则是由于严重的H横向扩散导致的。对未刻蚀SiO_2栅介质层的器件,发现其阈值电压相对偏正,应该是因为SiO_2栅介质对H的掺杂有一定的阻挡作用,导致H的横向扩散得到了抑制;器件在经过退火后迁移率上升,开态电流增大,应该是因为未刻蚀栅介质中的H热扩散到下方的源漏区域,降低了源漏电阻。

基于a-IGZO型OLED的顶栅自对准TFT结构中遮光层的研究

顶栅自对准(Top-gate self aligned)结构的a-IGZO TFT器件具有较小的寄生电容,适用于驱动OLED(Organic light emitting diode)显示器。为了增加TFT器件在光照条件下的稳定性,驱动OLED的TFT(Thin film transistors)器件通常需要加入遮光层。文章对遮光层的作用、遮光层信号连接方式、缓冲层厚度以及遮光层尺寸的选择进行了探究。结果表明:(1)遮光层可以有效降低TFT因为光照射造成的阈值电压负偏;(2)遮光层连接电讯号电性会更稳定,并且信号连接到源极,驱动电流更容易饱和,最适合驱动OLED;(3)缓冲层厚度选择400μm的器件性能较好;(4)在设计允许的情况下,遮光层应尽可能多的遮挡IGZO,以改善器件的稳定性。