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(AlAs)_3(GeGe)_3(001)超晶格体内的自建电场
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作者 王仁智 黄美纯 郑永梅 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期290-294,共5页
在(AlAs)_3(GeGe)_1(001)超晶格的LMTO-ASA能带计算的基础上,采用“冻结势方法”,计算了超晶格中各个分子层的平均键能E_和价带边E_,揭示了超晶格体内自建电场与界面电荷的关系。
关键词 超晶格 自建电场 界面电荷 半导体
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双极型晶体管非理想效应的Gummel-Poon模型分析及其在IC中的应用
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作者 朱世欣 王贵锋 《自动化与仪器仪表》 2013年第1期101-103,106,共4页
主要研究双极结型晶体管BJT(Bipolar Junction Transistor)的Gummel-Poon模型在集成电路设计中的应用。用Gummel-Poon模型对BJT的一些非理想效应进行定量分析,包括基区非均匀掺杂,基区宽度调制效应,大注入效应,产生-复合作用等。从BJT... 主要研究双极结型晶体管BJT(Bipolar Junction Transistor)的Gummel-Poon模型在集成电路设计中的应用。用Gummel-Poon模型对BJT的一些非理想效应进行定量分析,包括基区非均匀掺杂,基区宽度调制效应,大注入效应,产生-复合作用等。从BJT的基本电流用方程出发,用Gummel-Poon建立起器件性能与材料、结构和工艺参数之间的联系。分析基区多数载流子电荷的作用,建立起器件性能与基区多数载流子电荷的联系。论文中将该模型与现代BJT的典型结构参数和工艺参数结合起来,应用于现代BJT的理论分析之中,通过具体计算给出了应用实例。 展开更多
关键词 双极型晶体管 Gummel-Poon模型 基区Gummel数 大注入 自建电场
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长波长InGaAs扩散结PIN光电二极管正面入光结构的理论分析
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作者 张崇仁 《固体电子学研究与进展》 CAS 1987年第2期118-126,共9页
本文指出,对扩散pn结的正面入光结构,突变结理论有一定局限性。由于p^+区内杂质浓度的分布,在扩散区中存在十分强的自建漂移场,因而光生载流子将在自建场的作用下漂移进pn结内。由于载流子的漂移速度V_d远大于扩散速度V_f,因此可制得性... 本文指出,对扩散pn结的正面入光结构,突变结理论有一定局限性。由于p^+区内杂质浓度的分布,在扩散区中存在十分强的自建漂移场,因而光生载流子将在自建场的作用下漂移进pn结内。由于载流子的漂移速度V_d远大于扩散速度V_f,因此可制得性能优异的PIN光电二极管,制作工艺比背面入光结构简单。已制得光电响应时间低达80ps的正面入光PIN二极管。 展开更多
关键词 光电二极管 自建电场 INGAAS PIN 正面 理论分析
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双外延基区4H-SiC BJTs的建模与仿真(英文)
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作者 张倩 张玉明 张义门 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2010年第5期771-778,共8页
基于4H-SiC的材料特性,对具有双外延基区结构的4H-SiC双极晶体管进行研究.通过分析该结构在基区内部形成的自建电场以及基区渡越时间,利用正交试验的方法,基于各种器件二维模型,对该器件结构进行数值计算,并进行平均极差分析.计算结果表... 基于4H-SiC的材料特性,对具有双外延基区结构的4H-SiC双极晶体管进行研究.通过分析该结构在基区内部形成的自建电场以及基区渡越时间,利用正交试验的方法,基于各种器件二维模型,对该器件结构进行数值计算,并进行平均极差分析.计算结果表明,该器件的共发射结电流增益最高可达72,具有负温度系数,并且在一个很宽的集电极电流范围内该特性保持不变. 展开更多
关键词 4H—SiC 双极晶体管 基区自建电场 基区渡越时间
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背照式EMCCD背端处理技术研究
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作者 周福虎 丁继洪 朱小燕 《安徽电子信息职业技术学院学报》 2016年第5期15-17,共3页
为了消除EMCCD芯片背面平坦抛光光敏区的物理机械缺陷、可动电荷、硅表面界面不连续等产生的电荷态,降低器件暗电流和光电转换效率。采用带介质低能硼注入及激光退火工艺技术,建立一个由P_指向P+的内建场;成功的将硼杂质激活,且结深小于... 为了消除EMCCD芯片背面平坦抛光光敏区的物理机械缺陷、可动电荷、硅表面界面不连续等产生的电荷态,降低器件暗电流和光电转换效率。采用带介质低能硼注入及激光退火工艺技术,建立一个由P_指向P+的内建场;成功的将硼杂质激活,且结深小于0.1μm,形成了P+/P-型光敏区自建电场,满足BE背端处理的要求。 展开更多
关键词 激光退火 自建电场 结深 金属引线完整性 参考芯片
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Ultrasensitive polarized-light photodetectors based on 2D hybrid perovskite ferroelectric crystals with a low detection limit 被引量:8
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作者 Jiaqi Wang Yi Liu +6 位作者 Shiguo Han Yu Ma Yaobin Li Zhiyun Xu Junhua Luo Maochun Hong Zhihua Sun 《Science Bulletin》 SCIE EI CSCD 2021年第2期158-163,M0004,共7页
Polarized-light photodetectors are the indispensable elements for practical optical and optoelectronic device applications.Two-dimensional(2D)hybrid perovskite ferroelectrics,in which the coupling of spontaneous polar... Polarized-light photodetectors are the indispensable elements for practical optical and optoelectronic device applications.Two-dimensional(2D)hybrid perovskite ferroelectrics,in which the coupling of spontaneous polarization(P_(s))and light favors the dissociation of photo-induced carriers,have taken a booming position within this portfolio.However,polarized-light photodetectors with a low detectionlimit remain unexplored in this 2D ferroelectric family.In this work,the high-quality individual crystals of a 2D perovskite ferroelectric,BA_(2)CsPb_(2)Br_(7)(1,where BA^(+)is n-butylammonium),were used to fabricate ultrasensitive polarized-light detectors.Its unique bilayered structural motif results in quite strong electric and optical anisotropy with a large absorption ratio of a_(c)/α_(a)≈3.2(λ=405 nm).Besides,the presence of ferroelectric Psalso endows high built-in electric field along the polar c-axis that favors photoelectric activities.Under an extremely low detectable limit of 40 n W/cm^(2),the detector of 1 exhibits a notable dichroism ratio(I_(ph)^(c)/I_(ph)^(a)≈1.5),a large responsivity of~39.5 m A/W and a specific detectivity of~1.2×10^(12)Jones.Moreover,crystal-based devices of 1 also exhibit a fast response speed(~300μs)and excellent anti-fatigue merits.This work highlights great potentials of hybrid perovskite ferroelectrics toward polarized-light photodetection. 展开更多
关键词 FERROELECTRIC Hybrid perovskite Polarized-light detection Low detection limit
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