平面纳米自开关器件灵敏度的研究

运用二维系宗蒙特卡罗方法,模拟了平面纳米自开关器件的工作特性。结果表明,平面纳米自开关器件在加正向电压时是导通的,加负电压时是关闭的。但是在负偏压情况下并不是完全没有电流通过而是存在一不随电压变化的恒定漏电流。这使得电流电压关系曲线在零电压附近具有很强的非线性特性,因此可以把该器件运用于电磁波探测。通过多项式拟合方法获得了电流电压关系曲线的解析表达式,从而求得该器件的灵敏度。进一步分析表明通过改变表面态密度能够改变漏电流的大小,而小的漏电流有利于获得高的灵敏度。

纳米级自开关二极管的电学特性研究

纳米级自开关二极管是一种通过破坏器件表面对称性来实现整流特性的纳米级新型晶体管。首先通过建立In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As纳米级自开关二极管的二维器件模型,采用蒙特卡罗方法,模拟了自开关器件的电子输运特性,根据该器件模型研究了在不同几何结构参数条件下的自开关器件的电学特性,并对影响器件电学特性的结构参数进行了仿真分析。结果表明,器件的I-V特性强烈地受到导电沟道宽度、沟槽宽度、沟道长度和表面态密度的影响,通过优化器件的结构参数可使器件获得更优越的整流特性。