自截止腐蚀制备Si平面薄膜中的B杂质分析

以重掺杂自截止腐蚀工艺制备的厚度为 3～ 4μm的自支撑Si平面薄膜已在X光激光和惯性约束聚变分解实验中得到应用。制备过程中 ,重掺杂B杂质的引入会对获得的Si平面薄膜的应用带来影响。本工作研究采用次级离子质谱 (SIMS)测量Si平面薄膜中B杂质的浓度分布 ,结合在软X光波段下同步辐射直接测得的Si薄膜的透过率结果 。

激光印痕研究中的硅平面薄膜和刻蚀膜

研制了用于激光印痕研究的Si平面薄膜和刻蚀膜。膜制备的主要工艺采用氧化、扩散、光刻等现代半导体技术 ,并结合自截止腐蚀技术。Si平面膜厚度为 3～ 4 μm ,表面粗糙度为几十nm。采用离子束刻蚀工艺 ,在Si膜表面引入 2 5μm× 2 5μm的网格图形或线宽为 5μm的条状图形 ,获得了相应图形的Si刻蚀膜。探讨了扩散、氧化、腐蚀工艺对自支撑Si平面薄膜的表面粗糙度的影响 。