GaN薄膜在自持金刚石衬底上的ECR—PEMOCVD法的生长研究

利用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,采用三甲基镓(TMGa)和氮气(N2)作为实验反应源,改变不同的沉积温度,在自支持金刚石衬底上沉积制备了高择优取向的GaN薄膜。利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)等测试方式,研究了沉积温度的变化对GaN薄膜的结晶性和表面形貌的影响。