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外延淀积过程中的自掺杂抑制 被引量:11
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作者 李智囊 侯宇 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期118-120,123,共4页
 外延层杂质浓度是影响器件电学性能的重要参数。文章对外延淀积过程中自掺杂的产生过程进行了分析,提出了在外延淀积过程中可以通过改变气流、温度及采用背封技术、二步外延等方法来解决外延自掺杂,从而改善器件的特性参数。
关键词 外延淀积 自掺杂抑制 杂质浓度 杂质扩散 半导体器件
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