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外延淀积过程中的自掺杂抑制
被引量:
11
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作者
李智囊
侯宇
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期118-120,123,共4页
外延层杂质浓度是影响器件电学性能的重要参数。文章对外延淀积过程中自掺杂的产生过程进行了分析,提出了在外延淀积过程中可以通过改变气流、温度及采用背封技术、二步外延等方法来解决外延自掺杂,从而改善器件的特性参数。
关键词
外延淀积
自掺杂抑制
杂质浓度
杂质扩散
半导体器件
下载PDF
职称材料
题名
外延淀积过程中的自掺杂抑制
被引量:
11
1
作者
李智囊
侯宇
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期118-120,123,共4页
文摘
外延层杂质浓度是影响器件电学性能的重要参数。文章对外延淀积过程中自掺杂的产生过程进行了分析,提出了在外延淀积过程中可以通过改变气流、温度及采用背封技术、二步外延等方法来解决外延自掺杂,从而改善器件的特性参数。
关键词
外延淀积
自掺杂抑制
杂质浓度
杂质扩散
半导体器件
Keywords
Epitaxial deposition
Self-doping
Impurity concentration
Impurity diffusion
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
外延淀积过程中的自掺杂抑制
李智囊
侯宇
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2003
11
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