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一维介观环中自旋─轨道耦合诱发的持续电流
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作者 曾柱石 《广东第二师范学院学报》 1995年第2期36-41,共6页
本文证明了一堆介观环中由非对称禁闭势导致的自旋一轨道(SO)耦合等效于一个与电子动量相关的有效磁场,并进而研究了该等效磁场下的绝热近似和持续电流。结果表明,由SO耦合产生的持续电流与纯AB磁通产生的电流在零温情况下可... 本文证明了一堆介观环中由非对称禁闭势导致的自旋一轨道(SO)耦合等效于一个与电子动量相关的有效磁场,并进而研究了该等效磁场下的绝热近似和持续电流。结果表明,由SO耦合产生的持续电流与纯AB磁通产生的电流在零温情况下可以解除耦合;并且SO耦合产生的持续电流的方向取决于SO的参数,方向不同时,既可促进也可抑制总电流。 展开更多
关键词 持续电流 等效磁场 自旋一轨道耦合 AB磁通
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碘代乙烷分子光解离的自旋轨道从头计算理论研究 被引量:1
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作者 艾瑞波 张存华 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期6-10,共5页
采用从头计算二阶-自旋轨道多组态准简并微扰理论计算了碘代乙烷C_2H_5Ⅰ分子与基态Ⅰ(~2P_(3/2))原子和激发态Ⅰ~*(~2P_(1/2))原子解离限相关联的势能曲线.C_2H_5Ⅰ分子的势能曲线表明除了~2Q_0+(3~3A")态外几个低激发态都为排斥... 采用从头计算二阶-自旋轨道多组态准简并微扰理论计算了碘代乙烷C_2H_5Ⅰ分子与基态Ⅰ(~2P_(3/2))原子和激发态Ⅰ~*(~2P_(1/2))原子解离限相关联的势能曲线.C_2H_5Ⅰ分子的势能曲线表明除了~2Q_0+(3~3A")态外几个低激发态都为排斥态,~3Q_0+电子态在R_(c-1)=0.346 nm处有337 cm^(-1)的一个浅势阱,~3Q_0+(3~3A")和~1Q_1(2~1A',1~1A")电子态的垂直激发能计算表明C_2H_5Ⅰ分子的A带吸收谱的波长区间为33478 cm^(-1)~44150 cm^(-1)(226 nm~299 nm),这与实验给出的(243 nm~285 nm)波长区间吻合较好. 展开更多
关键词 C2H5I分子 自旋一轨道耦合 垂直激发能
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四端介观量子网络中电子的相干输运性质 被引量:1
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作者 王会娴 熊诗杰 《新乡学院学报》 2008年第3期48-51,共4页
采用解线性方程组的方法研究了同时存在磁通和Rashba自旋一轨道耦合的四端介观量子网络中电子的相干输运性质.计算结果表明,该量子网络中电子的相干输运是量子干涉和自旋进动的联合效应。这种四端多通道结构为调制电子的相干输运提供... 采用解线性方程组的方法研究了同时存在磁通和Rashba自旋一轨道耦合的四端介观量子网络中电子的相干输运性质.计算结果表明,该量子网络中电子的相干输运是量子干涉和自旋进动的联合效应。这种四端多通道结构为调制电子的相干输运提供了更多的选择。 展开更多
关键词 四端网络 相干输运 自旋一轨道耦合 阻塞 退阻塞
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反常霍尔效应理论的研究进展 被引量:12
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作者 梁拥成 张英 +2 位作者 郭万林 姚裕贵 方忠 《物理》 CAS 北大核心 2007年第5期385-390,共6页
文章介绍了在铁磁性材料中反常霍尔效应的发现及其机制研究的历史;阐述了反常霍尔效应理论研究最近取得的重大进展,即倒空间中布洛赫态的贝里曲率(规范场)特性决定了霍尔电导率;同时指出,建立系统地解释反常霍尔效应机制的理论仍然是一... 文章介绍了在铁磁性材料中反常霍尔效应的发现及其机制研究的历史;阐述了反常霍尔效应理论研究最近取得的重大进展,即倒空间中布洛赫态的贝里曲率(规范场)特性决定了霍尔电导率;同时指出,建立系统地解释反常霍尔效应机制的理论仍然是一个挑战性的任务. 展开更多
关键词 反常霍尔效应 第一性原理计算 铁磁性 自旋一轨道耦合 贝里曲率
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Heusler型X2RuPb(X=LU,Y)合金的反带结构和拓扑绝缘性 被引量:5
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作者 王啸天 代学芳 +8 位作者 贾红英 王立英 刘然 李勇 刘笑闯 张小明 王文洪 吴光恒 刘国栋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期88-94,共7页
采用第一性原理的计算方法,在不同条件下对Heusler型X2RuPb(X=Lu,Y)体系的电子结构展开研究.计算结果表明,这些合金在适当晶格变形或掺杂条件下,能够具有真正的拓扑绝缘体特性.杂化作用和自旋-轨道耦合作用都对材料产生"反带"... 采用第一性原理的计算方法,在不同条件下对Heusler型X2RuPb(X=Lu,Y)体系的电子结构展开研究.计算结果表明,这些合金在适当晶格变形或掺杂条件下,能够具有真正的拓扑绝缘体特性.杂化作用和自旋-轨道耦合作用都对材料产生"反带"结构发挥作用.但是针对不同成分所构成的材料,它们各自所起作用的程度有所不同,二者可以相辅相成.利用替换掺杂和四角变形双重调控方式可以更理想地进行"反带"结构调控进而获得理想的拓扑绝缘体,这对于材料的实际制备具有重要意义. 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 自旋一轨道耦合作用 HEUSLER合金 第一性原理计算
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