取代基团对吡唑硼-亚铁体系自旋交叉配合物性能的影响

通过不同取代基对吡唑环配体进行修饰,制备了6种基于吡唑硼-亚铁的自旋交叉配合物,研究了取代基对自旋转变性能的影响。实验发现,吡唑硼-亚铁配合物均具有渐变型的自旋转变特性。吸电子取代基可以降低吡唑环的电子云密度,有利于低自旋态稳定,使得自旋转变温度升高;供电子取代基则增加了吡唑环的电子云密度,有利于高自旋态稳定,使得自旋转变温度降低;此外,具有较大空间位阻的取代基会抑制Fe-N键的增长,有利于低自旋态的稳定,使得自旋转变温度升高。本研究表明自旋交叉配合物的自旋转变温度可以通过配体修饰实现有效调控。

自旋交叉配合物[Fe(dpq)_2(NCS)_2]·1.5H_2O的合成和磁性研究

自旋交叉配合物的研究是分子磁化学中的一个重要领域,并已引起人们的普遍关注。近期我们合成了一个新的配体dpq(dpq=dipyrazine犤2,3f:2,3h犦quinoxaline)和新的自旋交叉配合物犤Fe(dpq)2(NCS)2犦·1.5H2O。通过元素分析、红外光谱、质谱、核磁共振、紫外光谱等方法对其结构进行了表征。变温磁化率和穆斯堡尔谱学的研究表明标题化合物是一个新颖的自旋交叉配合物,而且显示出不常见的15K回滞宽度,在降温时伴有一小台阶。通过对比发现,配体的共轭性在自旋交叉配合物中的影响是非常重要的。

自旋交叉配合物[Fe(ttd)_2(NCS)_2]·H_2O的合成和磁性研究

The ligand ttd(ttd=1,4,8,9-Tetraaza-triphenylene-2,3-dicarbonitrile) and a novel spin crossover complex [Fe(ttd)2(NCS)2]·H2O were synthesized, and charac terized by elemental analysis, IR, MS, and UV-vis spectroscopy. The temperature dependence of magnetic susceptibility shows that there are a little break betwe en 150～190K and an unusual step transition with a 50K width between 190～240K. Compared with the other complexes with the resemble structure, it can be found t hat the influence of ligand is very notable.

高温自旋交叉配合物Fe(mtt)_2(NCS)_2·2.5H_2O的合成和磁性研究

自旋交叉配合物的研究是分子磁化学中的一个重要领域 ,已引起人们的普遍关注 .近期我们设计、制备了配体 2 methyl 1,4,8,9 tetraaza triphenylene (mtt) ,并以此配体合成了一个新的高温自旋交叉配合物 [Fe(mtt) 2 (NCS) 2 ]·2 5H2 O .通过元素分析、核磁共振、红外光谱、电喷雾质谱和紫外光谱等方法对该配体和配合物进行了表征 .变温磁化率研究发现该配合物的自旋转换温度为Tc↑ =3 47K ,Tc↓ =3 43K ,回滞宽度 4K ,是体系 [Fe(L) 2 (NCS) 2 ]中自旋转换温度最高的 .与同体系其它配合物比较 。

自旋交叉配合物[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的研究进展

自旋交叉配合物[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)在室温附近表现出较宽的温度磁滞现象,在光热开光、信息显示以及数据存储等方面具有潜在的应用,是目前自旋交叉领域最值得关注的配合物之一。本文主要从材料合成方法、性能影响因素以及器件应用等方面对[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)分子材料近十年来的研究进展进行了系统的介绍。[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的合成方法主要有简单混合和反相胶束法,此外为了消除合成过程中的分子团聚,通常在反应体系中引入具有较大比表面积的分散基质,比如介孔二氧化硅、氧化石墨烯等;自旋交叉性能的影响因素主要包括表面活性剂、分子内的结晶水、外部压强、热退火以及机械球磨等;器件应用方面主要从[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)分子薄膜的制备出发,讨论了相关的器件应用进展。最后,本文对[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的最新研究进展进行了总结,并对[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的未来发展趋势进行了展望。而[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的新型薄膜制备工艺可以为相关器件制备打下扎实的基础,从而推动自旋交叉配合物的应用发展。

可蒸镀自旋交叉配合物的薄膜与器件

自旋交叉配合物在温度、压力、光照和磁场等刺激下可以发生高低自旋态之间的可逆转变,通常还伴随着颜色、体积和电导率变化以及热滞等效应,因此这类材料在光热开关、传感器、显示和存储等领域具有潜在的应用.由于可以获得高质量的超洁净薄膜,高真空蒸镀工艺常用于分子电子学与分子磁学等的器件制备,目前报道的可蒸镀自旋交叉配合物种类较少,大大限制了自旋交叉配合物的器件应用.针对可蒸镀自旋交叉配合物的薄膜与器件进行了系统的综述,介绍了几种主要的适于高真空蒸镀的自旋交叉配合物,结合不同的表征手段分析了衬底对分子薄膜自旋转变特性的影响,并针对相关的概念性器件进行了讨论,最后对自旋交叉配合物在器件应用中存在的难点和未来的发展趋势进行了展望和评述,希望能够为自旋交叉领域的器件应用提供一些借鉴.

自旋交叉配合现象与分子电子器件

自旋交叉配合物在热、压力或光诱导自旋交叉现象的同时会伴随着其它一些协同效应 ,比如配合物颜色的改变、存在着大的热滞后效应等 ,这些协同效应是单个分子或分子集合体作为热开关、光开关和信息存储元件材料的基础。因此 ,自旋交叉配合物是开发新型的热开关、光开关和信息存储元件材料的理想分子体系。本文概述了自旋交叉现象的研究历史、现状和未来的发展趋势。讨论了影响配合物自旋交叉性质的各种内在的和外部的因素 ,总结了目前用于研究自旋交叉现象的各种现代测试技术。最后 ,展望了自旋交叉配合物在分子电子器件方面的应用前景。

磁性分子自旋态检测与调控的STM研究

单分子自旋态检测与可逆调控是目前物理、化学及信息技术等领域的研究热点.本文综述了扫描隧道显微镜在该领域的研究进展,着重论述了酞菁类磁性分子在金属单晶表面或绝缘层薄膜上磁性的检测;自旋交叉配合物分子自旋双稳态的检测与可逆调控;单分子磁体的表面制备及输运性质的检测.