Reissner-Nordstrm几何中自旋场的统计熵

用brick wall模型计算了Reissner Nordstr¨om几何中的引力场、电磁场和中微子场的统计熵 .结果表明玻色场的主项熵是标量场主项熵的整数倍 ,其倍数等于自旋态引起的简并度 ,有理由推测费密场也应有类似的性质 ,其中中微子场的熵为最小 .

自旋场对Barriola-Vilenkin黑洞熵的量子修正

用砖墙模型的方法 ,讨论了无源电磁、中微子场对 Barriola- Vilenkin黑洞熵的量子修正 .计算表明 ,量子修正应该包含两部分 :其中一部分与视界面积成正比 ,在视界附近与紫外截断因子∈是平方反比发散的 ;另一部分是两个对数发散项 ,这部分除了与黑洞的本身特征性质有关以外 ,还与自旋场的自旋有关 .结果与标量场引起的量子修正具有完全不同的形式 .

高自旋场对Reissner-Nordstrom黑洞熵的贡献

利用改进后的brick-wall模型研究具有高自旋的引力场对Reissner-Nordstrom黑洞熵的贡献.结果表明:当选择与标量场相同的截断因子时,其熵为标量场的两倍,为Dirac场的七分之四.

缘于任意自旋场的Vaidya黑洞的熵(英文)

用在brick模型基础上发展起来的membrane模型 ,计算了缘于任意自旋场的非静态黑洞———Vaidya黑洞的自由能和熵。结果表明 ,玻色子场 (自旋s =1,2 )和费米子场 (自旋s =1/2 )的熵都恰好与黑洞的视界面积成正比 ,这与静态和稳态的情况相同。而且 ,玻色子和费米子场的熵具有相同的形式 。

Planck尺度下Anti-de Sitter时空视界附近自旋场的热力学量

在Planck尺度下,采用WKB近似方法计算了Anti-de Sitter时空视界附近自旋为1/2,1,2等自旋场的熵密度、压强和能量密度.结果表明,Anti-de Sitter时空附近的热力学量不仅依赖于黑洞的特征和纯时空效应,还依赖于粒子的自旋效应和最小距离的尺度.

静态球对称黑洞引力自旋场的辐出度

利用静态球对称黑洞引力自旋场的统计熵,导出静态球对称黑洞引力自旋场的辐出度,得到了黑洞的辐出度与黑洞视界温度的四次方成正比的结论.发现Stefan—Boltzmann系数不同于平直时空的值,并且在不同时空度规中该系数有不同的值.

3/2自旋场方程的U(1)规范不变性

讨论了３／２自旋场的Ｕ（１）规范不变性，给出了Ｕ（１）规范不变的三级旋量场方程和守恒流，并证明了场方程的洛伦兹协变性。

高自旋场对Vaidya-Bonner黑洞熵的贡献

利用改进的brick-wall模型推导出自旋为2的引力场对动态Vaidya-Bonner黑洞熵的贡献,在自然单位制中其值为A/2;这表明,当选择与标量场相同的截断因子时,其熵为标量场的2倍,为Dirac场的4/7.

高自旋场对静态球对称黑洞熵的贡献

利用改进后的brick wall模型 ,研究具有高自旋的引力场对静态球对称黑洞熵的贡献 .结果表明 :在静态球对称黑洞中 ,自旋为 2的引力场的量子熵仍与视界面积成正比 .当选择与标量场相同的截断因子时 ,其量子熵为标量场的两倍 ,为Dirac场的 4 7.

自旋场对Barriola-vilenkin黑洞熵的量子修正

用砖墙模型的方法 ,讨论了无源引力场对Barriola Vilenkin黑洞熵的量子修正 .计算表明 ,量子修正应该包含两部分 :其中一部分与视界面积成正比 ,在视界附近与紫外截断因子是平方反比发散的 ;另一部分是两个对数发散项 ,这部分除了与黑洞的本身特征性质 (M ,η)有关以外 ,还与自旋场的自旋有关 .

Taub-NUT时空视界附近自旋场的热力学量

利用Wentzel-Kramers-Brillouin近似计算了Taub-NUT时空事件视界附近自旋为1/2,1,3/2,2等无质量场的熵密度、压强和能量密度.结果表明,自旋场附近的热力学量不仅具有与平直时空相同的主导项,还多了两项自旋依赖的附加项.

利用原子-腔场的Raman相互作用制备类自旋多腔场纠缠态

提出了一种利用Λ型三能级原子与相干态腔场的Raman相互作用制备类自旋多腔场纠缠态的方案。

In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱二维电子气的零场自旋分裂

用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)方法在半绝缘InP衬底上生长In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱样品。在In0.52Al0.48As势垒层中进行元素Si的δ掺杂,元素Si电离的电子转移到量子阱中,在量子阱中形成二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)。对该样品在低温下进行了磁输运测试,得到了2DEG纵向电阻(磁电阻)和横向电阻(Hall电阻)在不同温度下随磁场的变化曲线。观察到磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡和由零场自旋分裂引起的SdH振荡在低场下的拍频效应。也观察到Hall电阻出现量子Hall效应所特有的Hall平台。对Hall电阻在低场部分的直线拟合获得2DEG的Hall浓度,并根据Hall浓度和零场电导获得2DEG的Hall迁移率。对磁电阻曲线的快速傅立叶变换(fast Fourier trans-form,FFT)分析获得的2DEG浓度与Hall浓度一致。对拍频节点进行分析,获得了2DEG的自旋轨道耦合常数,并由此得到了零场自旋分裂能、自旋弛豫时间、自旋进动长度等实现自旋器件的相关参数。

In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱二维电子气中的零场自旋分裂与塞曼分裂

利用变角度磁输运方法研究了高迁移率、高浓度、宽度为20 nm、单边δ掺杂的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱,根据量子阱平面与磁场不同夹角时SdH振荡的拍频节点移动,提取了其自旋分裂能Δ0和有效g因子|g*|,发现Δ0随浓度增加而增大,|g*|随浓度增加而减小.进一步的分析和计算表明,|g*|减小是由量子阱能带结构的非抛物性作用引起的.

非对称In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱的零场自旋分裂能与高场g因子（英文）

研究了非对称In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中二维电子气的磁输运性质,所测量的样品的径向磁阻R_(xx)的Shubinikov-de Haas振荡没有呈现出拍频的特征。通过测量样品的反弱局域效应提取了其零场自旋分裂能并通过对自旋分裂的R_(xx)双峰间距随倾斜角度θ的依赖关系的拟合提取了高场下的有效g因子。样品的Dingle plot图呈现非线性的特征。

类场STT对非共线磁隧道结动态特性的影响

研究了类场自旋转移力矩(STT)和极化层磁矩偏角对CoFeB-MgO-CoFeB磁隧道结中阈值电流密度以及翻转时间的影响。基于Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski(LLGS)方程,运用微磁模拟的方法研究了非共线磁性多层膜结构中的STT效应,着重考察了Slonczewski项和类场STT的影响情况。结果表明,在给极化层磁矩一个小的偏角时,阈值电流密度会大幅减小,减小幅度可达37%。而且类场STT和Slonczewski项对阈值电流密度和翻转时间有着重要影响。分析表明,类场STT和Slonczewski项在一定条件下可以明显地改善磁隧道结的翻转特性,此时类场STT有效地促进了自由层磁矩翻转的进程,从而使阈值电流密度减小,翻转时间进一步缩短。

动态黑洞的量子新效应

The generalized Teukolsky- type mater equation is discussed. The result shows that the non- stationary black holes should have some new quantum effects which are unknown as yet.

黑洞附近修正的Stefan-Boltzmann定律

该文在一般球对称静态黑洞背景下,用WKB近似法得到黑洞附近修正的StefanBoltzmann定律.发现在黑洞事件视界附近,由于场自旋的存在,结果中除了类似于平直时空的主导项外,多了一个和局域温度二次方成正比的附加项.该项的出现暗示黑洞的辐射可能不是精确热的.

量子场论中的自旋算符(英文)

从量子场论的角度对相对论粒子的运动自旋概念作了进一步深入研究 .构造了场量子自旋以及场系统运动自旋两个新算符 .给出了场量子自旋动量空间的显式表达式以及用Poincar啨群生成元表示的场系统运动自旋的显式表达式 .借助这两个算符 ,可以干净地解决有关场自旋的问题 。

锐钛矿中填隙V^(4+)的EPR参量的理论研究

采用离子簇模型,通过分析配体轨道和旋轨耦合作用的贡献,建立了改进的3d1离子在四角畸变八面体中电子顺磁共振(EPR)参量的微扰公式,能级间距可由重叠模型和局部结构数据给出。将该公式应用于锐钛矿(TiO2)中填隙V4+离子的EPR谱,讨论了配体轨道和旋轨耦合作用以及共价效应对EPR参量的贡献。理论结果与实验符合得很好,且比前人的计算,尤其是g∥和A∥有明显的改进,说明对这类共价性较强的体系,配体轨道和旋轨耦合作用的贡献不能忽略。