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自旋太赫兹源发展及其在生物医学的应用前景分析 被引量:1
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作者 杨晴 田祺云 +9 位作者 李竞 聂天晓 王海宇 寻璐璐 黄炎 张帆 许涌 温良恭 吴晓君 赵巍胜 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2021年第12期948-962,共15页
太赫兹(terahertz,THz)辐射的光子能量极低,不会对分子、晶格造成有害的电离,且生物大分子的振动和转动频率均在THz波段,因而THz在生物医学上的应用引起了广泛的关注。然而,目前的商用THz源无法兼顾室温工作、低成本、小型化等生物医学... 太赫兹(terahertz,THz)辐射的光子能量极低,不会对分子、晶格造成有害的电离,且生物大分子的振动和转动频率均在THz波段,因而THz在生物医学上的应用引起了广泛的关注。然而,目前的商用THz源无法兼顾室温工作、低成本、小型化等生物医学应用方面的需求。自旋THz源辐射效率高,可实现THz偏振调谐,有望打破生物医学领域的应用瓶颈。为系统全面地对自旋THz源的发射机理和调控方式进行研究,并对THz源在生物医学方面的应用展开分析,从光电流的来源入手梳理了THz产生机制并总结了其发射机理。根据生物医学的应用需求,分别从材料、生长条件等角度分析了多种自旋材料中的THz发射优化方式,揭示了THz发射与材料性质、外界环境等因素的依赖关系,探究了自旋THz源的优势和调控手段。结合生物医学检测的需求与特点,以铁磁/非铁磁金属异质结和铁磁/拓扑绝缘体异质结两种发射源为例介绍了自旋THz源在生物医学领域的初步探索,并对其未来的应用前景和发展方向做出展望。 展开更多
关键词 太赫兹(THz)源 自旋THz 生物医学 THz发射机理 自旋材料 应用
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半导体信息功能材料与器件的研究新进展 被引量:11
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作者 王占国 《中国材料进展》 CAS CSCD 2009年第1期26-30,共5页
首先简要地介绍了作为现代信息社会基础的半导体材料和器件极其重要的地位,进而回顾了近年来半导体光电信息功能材料,包括半导体微电子、光电子材料,宽带隙半导体材料,自旋电子材料和有机光电子材料等的研究进展,最后对半导体信息功能... 首先简要地介绍了作为现代信息社会基础的半导体材料和器件极其重要的地位,进而回顾了近年来半导体光电信息功能材料,包括半导体微电子、光电子材料,宽带隙半导体材料,自旋电子材料和有机光电子材料等的研究进展,最后对半导体信息功能材料的发展趋势做了评述。 展开更多
关键词 半导体微电子 光电子材料 宽带隙半导体材料 自旋电子材料 有机光电子材料
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半金属Fe_3O_4薄膜的制备工艺探索 被引量:9
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作者 唐晓莉 张怀武 +1 位作者 苏桦 钟智勇 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期741-746,共6页
半金属材料Fe3O4是一种新型的功能自旋电子材料,由于其具有百分之百的自旋极化率而备受关注.但由于铁元素存在多种价态的氧化物,使得制备单一成分的Fe3O4非常困难, 因而本文着重对磁控反应溅射制备单一成分的Fe3O4薄膜进行了研究,探索... 半金属材料Fe3O4是一种新型的功能自旋电子材料,由于其具有百分之百的自旋极化率而备受关注.但由于铁元素存在多种价态的氧化物,使得制备单一成分的Fe3O4非常困难, 因而本文着重对磁控反应溅射制备单一成分的Fe3O4薄膜进行了研究,探索了晶化温度对薄膜结构的影响,并通过引入缓冲层Ta对其性能进行改善,得到了反应溅射制备半金属Fe3O4 的最优条件.另外,通过对所制备的Fe3O4薄膜磁电阻效应的测试,发现多晶Fe3O4具有同单晶Fe3O4薄膜类似的负磁电阻效应,因此有望将其应用到自旋电子器件中. 展开更多
关键词 半金属材料 自旋电子材料 Fe3O4薄膜
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分子视角下的电子自旋——自旋化学开拓合成化学科学前沿
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作者 蒋尚达 高松 付雪峰 《中国科学:化学》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期277-286,共10页
本文从化学过程和分子材料的自旋效应、分子自旋材料新物态、分子自旋诊疗药物以及自旋化学理论计算等方面介绍了自旋化学的概念和研究领域,并对自旋化学面临的挑战和未来的重点研究方向进行了讨论.
关键词 交叉学科 自旋化学 分子磁性 自旋效应 自旋材料
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自旋电子材料
5
作者 梅良模 《中国基础科学》 2000年第5期23-26,共4页
固体中的电子既是电荷的载体,又是自旋的载体。现有的信息技术分别利用半导体的电子电荷特性制造微电子器件,进行信息处理和运算;利用铁磁材料的电子自旋来进行信息存储。自旋电子材料提供了同时利用电子的电荷和自旋两种特性的可能。... 固体中的电子既是电荷的载体,又是自旋的载体。现有的信息技术分别利用半导体的电子电荷特性制造微电子器件,进行信息处理和运算;利用铁磁材料的电子自旋来进行信息存储。自旋电子材料提供了同时利用电子的电荷和自旋两种特性的可能。利用自旋电子材料,可能会实现运算与存储同时进行,这将大大提高工作速度和效率。自旋电子材料提供了优良的自旋量子相干特性,是实行量子计算的很有希望的一种模式,也有可能存在某些新的物理效应。此外,还可能存在与纳米电子材料、分子电子材料相结合的重大发展空间。 展开更多
关键词 自旋电子材料 半导体铁磁性化 铁磁材料
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物理所等在Pt薄膜磁近邻效应研究中取得新进展
6
《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期29-29,共1页
自旋电子学的发展依赖于对电子自旋状态进行有效调控。除传统的磁场调控手段外,自旋极化电流、自旋流产生的自旋转移力矩效应是对自旋电子材料的自旋动力学行为进行调控的重要手段,尤其是后者,因为不产生焦耳热,是发展未来自旋电子... 自旋电子学的发展依赖于对电子自旋状态进行有效调控。除传统的磁场调控手段外,自旋极化电流、自旋流产生的自旋转移力矩效应是对自旋电子材料的自旋动力学行为进行调控的重要手段,尤其是后者,因为不产生焦耳热,是发展未来自旋电子器件的关键技术之一。 展开更多
关键词 Pt薄膜 自旋电子学 自旋状态 物理 自旋电子材料 自旋电子器件 动力学行为 极化电流
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Critical Behavior of the Gaussian Model with Periodic Interactions on Diamond—Type Hierarchical Lattices in External Magnetic Fields
7
作者 LINZhen-Quan KONGXiang-Min 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2001年第3期347-354,共8页
The Gaussian spin model with periodic interactions on the diamond-type hierarchical lattices is constructed by generalizing that with uniform interactions on translationally invariant lattices according to a class of ... The Gaussian spin model with periodic interactions on the diamond-type hierarchical lattices is constructed by generalizing that with uniform interactions on translationally invariant lattices according to a class of substitution sequences. The Gaussian distribution constants and imposed external magnetic fields are also periodic depending on the periodic characteristic of the interaction bonds. The critical behaviors of this generalized Gaussian model in external magnetic fields are studied by the exact renormalization-group approach and spin rescaling method. The critical points and all the critical exponents are obtained. The critical behaviors are found to be determined by the Gaussian distribution constants and the fractal dimensions of the lattices. When all the Gaussian distribution constants are the same, the dependence of the critical exponents on the dimensions of the lattices is the same as that of the Gaussian model with uniform interactions on translationally invariant lattices. 展开更多
关键词 Gaussian model critical phenomena periodic interactions Gaussian distribution constants diamond-type hierarchical lattices renormalization group
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Novel Mn-doped Ge: From Basis to Application
8
作者 Dang Duc Dung Nguyen Thi Mua +1 位作者 Hoang Vu Chung Sunglae Cho 《材料科学与工程(中英文A版)》 2012年第2期248-271,共24页
关键词 MN掺杂 应用 磁性半导体 基础 自旋电子材料 半金属材料 加工技术 能带结构
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Hole and/or Electron Mediated Ferromagnetism in Diluted Magnetic Semiconductor?
9
作者 Dang Duc Dung Nguyen Thi Mua +1 位作者 Nguyen Van Quyet Sunglae Cho 《材料科学与工程(中英文B版)》 2012年第4期317-323,共7页
关键词 自旋电子材料 稀磁半导体 铁磁性 介导 MN掺杂 居里温度 掺杂浓度 理论预测
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新型半导体自旋电子材料的可控制备与多场调控
10
《中国科技成果》 2017年第23期19-20,共2页
社会经济的飞速发展所产生的信息量呈指数型增长。高速度、低功耗和大容量的信息存储、处理和通讯成为人类不断追求的目标。然而,基于电子电荷的传统微纳电子学正逐渐逼近其能力极限,
关键词 自旋电子材料 可控制备 半导体 调控 社会经济 信息存储 纳电子学 电子电荷
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Realization of Spin Switch in a Triple-Terminal Double-Quantum-Dot Structure
11
作者 江翠 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2010年第1期185-189,共5页
Electron transport through a triple-terminal double-quantum-dot structure is theoretically studied. By adjusting the chemical potential in leads, two channels in this system are created, and in the presence of magneti... Electron transport through a triple-terminal double-quantum-dot structure is theoretically studied. By adjusting the chemical potential in leads, two channels in this system are created, and in the presence of magnetic flux the conductances for the two channels present remarkable difference from each other. When the quantum dots are made of ferromagnetic materials, the levels of quantum dots are spin dependent, then spin polarization comes about in the two channels. Furthermore, in some regions spin polarization in the different channels are opposite. We consider that this model can be a device prototype for spin filtering and spin separation. 展开更多
关键词 quantum dot CONDUCTANCE spin switch
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意大利纳米科技进上海
12
《新材料产业》 2004年第4期67-68,共2页
关键词 意大利 上海 纳米科技 纳米自旋电子材料
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Effects of Transverse Field on Internal Energy and Specific Heat of a Molecular-Based Materials
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作者 JIANG Wei YU Gui-Hong ZHANG Fan WANG Wei JIANG Yuan 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2009年第11期965-968,共4页
The molecular-based magnetic materials AFe11 Fe111(C2O4)3 have a honeycomb structure in which FeII (S = 2) and FeIH (S= 5/2) occupy sites alternately. They can be described as mixed spin-2 and spin-5/2 Ising mod... The molecular-based magnetic materials AFe11 Fe111(C2O4)3 have a honeycomb structure in which FeII (S = 2) and FeIH (S= 5/2) occupy sites alternately. They can be described as mixed spin-2 and spin-5/2 Ising model with ferrimagnetic interlayer coupling. The influences of the transverse field on the internal energy and the specific heat of the molecalar-based magnetic system have been studied numerically by using the effective-field theory with self-spin correlations and the differential operator technique. 展开更多
关键词 transverse field molecular-based magnet internal energy specific heat
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走向自旋的未来信息时代 被引量:4
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作者 韩伟 吴镝 +5 位作者 罗锋 武晓君 肖江 刘恩克 程智刚 戴亚飞 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2022年第6期1-11,共11页
随着电子器件的微型化不断接近物理极限,后摩尔时代的新原理器件成为研究热点.自旋电子学器件利用电子的自旋属性实现更高效率的信息存储、传递和处理,有望打破或者规避传统器件的热壁垒和量子壁垒,因此自旋电子学是未来信息技术发展的... 随着电子器件的微型化不断接近物理极限,后摩尔时代的新原理器件成为研究热点.自旋电子学器件利用电子的自旋属性实现更高效率的信息存储、传递和处理,有望打破或者规避传统器件的热壁垒和量子壁垒,因此自旋电子学是未来信息技术发展的重要方向之一.在这样的大背景下,国家自然科学基金委员会召开了“走向自旋的未来信息时代”的第285期双清论坛.本文基于本次论坛所讨论的内容,回顾了近年来自旋电子学研究所取得的主要进展和成就,总结了未来信息时代我国自旋电子学研究所面临的重大机遇与挑战,凝炼了该领域未来5–10年的重大关键科学问题,为国家自然科学基金委员会对于自旋电子学领域的资助战略提出了建议. 展开更多
关键词 自旋电子学 自旋信息技术 自旋材料 自旋探测 基础研究
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磁性材料新近进展 被引量:32
15
作者 都有为 《物理》 CAS 北大核心 2006年第9期730-739,共10页
磁性材料是应用广泛、品种繁多的一类重要的功能材料,20世纪90年代以后发展十分迅速.稀土-3d过渡族磁性合金材料,如稀土永磁、巨磁致收缩材料、巨磁热效应材料,磁光效应材料等,以及非晶,纳米微晶磁性材料相继问世.1988年巨磁电阻效应的... 磁性材料是应用广泛、品种繁多的一类重要的功能材料,20世纪90年代以后发展十分迅速.稀土-3d过渡族磁性合金材料,如稀土永磁、巨磁致收缩材料、巨磁热效应材料,磁光效应材料等,以及非晶,纳米微晶磁性材料相继问世.1988年巨磁电阻效应的发现已获广泛应用,如读出磁头、传感器以及磁随机存储器等,并发展成为自旋电子学的新学科.文章简要介绍了近年来磁性材料的一些新进展. 展开更多
关键词 磁性材料 永磁 软磁 纳米磁性材料 自旋电子学材料
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中子散射技术在功能性材料中的应用 被引量:1
16
作者 王国华 焦金龙 马杰 《物理》 CAS 北大核心 2019年第11期715-725,共11页
中子散射技术能够有效探测物质微观尺度的特性,尤其是在磁性探测方面具有独特的优势,因而在科学研究方面应用越来越广泛。文章结合作者的研究领域,介绍了中子散射技术在研究一些功能性材料中的应用及成果。包括铁电材料BiFeO3中自旋,声... 中子散射技术能够有效探测物质微观尺度的特性,尤其是在磁性探测方面具有独特的优势,因而在科学研究方面应用越来越广泛。文章结合作者的研究领域,介绍了中子散射技术在研究一些功能性材料中的应用及成果。包括铁电材料BiFeO3中自旋,声子的激发谱,热电材料PeTe中声子特殊的动态行为,以及磁性材料Mn1-xCoxV2O4中自旋波的特性,并分析了材料中自旋、电子、晶格、轨道的相互耦合作用。 展开更多
关键词 中子散射 铁电材料 热电材料 自旋阻挫材料 磁激发 声子谱
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Cr_(75)Fe_(16)Mn_9合金的低频内耗 被引量:3
17
作者 吴柏枚 杨东升 +2 位作者 盛松 刘卫 徐未名 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第8期1503-1508,共6页
测量了自旋密度波材料 Cr75 Fe16 Mn9 的低频内耗,实验温区为100 —600 K,测量频率低于10 Hz .在高于 Néel 温度的顺磁相中观察到450 K 附近的内耗峰和相应的总模量的跳变,反映了合金中各组... 测量了自旋密度波材料 Cr75 Fe16 Mn9 的低频内耗,实验温区为100 —600 K,测量频率低于10 Hz .在高于 Néel 温度的顺磁相中观察到450 K 附近的内耗峰和相应的总模量的跳变,反映了合金中各组分的自旋状态在微区内的无序有序转变.在200 —300 K 之间观察到一个宽的内耗峰区,它是由280 K 的单峰和270 —220 K 延展的宽峰组成,其相对应的总模量表现为宽范围的少量减小.此宽峰可能与该合金中自旋密度波反铁磁转变以及磁多相共存有关.实验表明,内耗在探测固体中包括电子结构在内的微结构的改变中将是灵敏和有效的. 展开更多
关键词 铬铁锰合金 自旋密度波材料 低频内耗
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外磁场方向和注入电流密度对Co/Cu/Fe三明治结输出的影响 被引量:1
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作者 陈延学 王守国 +6 位作者 王智河 陈强 陈敬林 沈鸿烈 刘宜华 解士杰 梅良模 《中国科学(A辑)》 CSCD 北大核心 2001年第9期845-850,共6页
利用电子束蒸发设备和光刻工艺制备了 5μm× 5μm的Co/Cu/Fe三明治结 .在 77K温度下对三明治结自旋相关的输运特性进行了研究 ,测得了 μV量级的双极输出信号 .研究了外加磁场方向和注入电流大小对输出信号的影响 ,并对结果进行了... 利用电子束蒸发设备和光刻工艺制备了 5μm× 5μm的Co/Cu/Fe三明治结 .在 77K温度下对三明治结自旋相关的输运特性进行了研究 ,测得了 μV量级的双极输出信号 .研究了外加磁场方向和注入电流大小对输出信号的影响 ,并对结果进行了详细的讨论 . 展开更多
关键词 自旋注入 三明治结 双极输出 磁场方向 电流密度 隧道电流 自旋电子材料
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CuHg_2Ti型Ti_2Cr基合金的电子结构、能隙起源和磁性研究
19
作者 贾红英 代学芳 +7 位作者 王立英 刘然 王啸天 李朋朋 崔玉亭 王文洪 吴光恒 刘国栋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期350-359,共10页
利用第一性原理计算方法,研究了CuHg2Ti结构下Ti2CrK(K=Sb,Ge,Sn,Sb,Bi)系列合金的电子结构、能隙起源和磁性.研究发现:Ti2CrK(K=Si,Ge)合金是普通半导体材料;Ti2CrK(K=Si,Bi)合金是亚铁磁性半金属材料,其半金属性能隙受到Sb和Bi原子s... 利用第一性原理计算方法,研究了CuHg2Ti结构下Ti2CrK(K=Sb,Ge,Sn,Sb,Bi)系列合金的电子结构、能隙起源和磁性.研究发现:Ti2CrK(K=Si,Ge)合金是普通半导体材料;Ti2CrK(K=Si,Bi)合金是亚铁磁性半金属材料,其半金属性能隙受到Sb和Bi原子s态的直接影响;Ti2CrSn合金是完全补偿的亚铁磁性半导体.基于Ti2CrSn合金两个自旋方向上的能隙起源不同,通过Si和Ge替换掺杂同族Sn元素调制能隙的宽度,获得了完全补偿亚铁磁性自旋无能隙材料;通过Fe和Mn替换掺杂过渡族Cr元素获得了一系列半金属材料.Ti2Cr1-xFexSn和Ti2Cr1-xMnxSn合金都具有亚铁磁性.所研究的这些半金属性合金的分子磁矩Mtotal与总的价电子数Zt服从Mtotal=Zt-18规则. 展开更多
关键词 HEUSLER合金 半金属材料 自旋无能隙材料
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过渡族与主族元素对Mn_2CoGa能带结构的双调控作用
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作者 盘如静 常月华 +2 位作者 斯宇豪 王立英 崔玉亭 《重庆师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期137-141,共5页
通过第一性原理计算,研究了Mn和Sn双替位掺杂对Heusler结构Mn_2CoGa合金的能带调控作用。结果发现过渡族Mn替换Co元素掺入合金后,对两个自旋方向中的能隙有不同的影响,它能够有效的打开材料中自旋向上能带中的能隙,而对自旋向下能带中... 通过第一性原理计算,研究了Mn和Sn双替位掺杂对Heusler结构Mn_2CoGa合金的能带调控作用。结果发现过渡族Mn替换Co元素掺入合金后,对两个自旋方向中的能隙有不同的影响,它能够有效的打开材料中自旋向上能带中的能隙,而对自旋向下能带中的能隙影响较小。主族Sn替换Ga元素掺入后能够极好地调整费米面的位置,并引起材料中原子自旋劈裂的变化。引入Sn元素造成的晶格膨胀则轻微地影响材料中的能隙宽度。通过成分调整,最终在Mn_(2.25)Co_(0.75)Ga_(0.5)Sn_(0.5)成分中,成功发现了自旋无带隙特性。 展开更多
关键词 第一性原理 HEUSLER合金 半金属材料 自旋无带隙材料
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