InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫

利用分子束外延制备了三种类型量子点样品,它们分别是:未掺杂样品、n型Si调制掺杂样品和p型Be调制掺杂样品。在5K温度下,采用共聚焦显微镜系统,测量了单量子点的光致发光谱和时间分辨光谱,研究了单量子点中三种类型激子(本征激子、负电荷激子和正电荷激子)的电子/空穴自旋翻转时间。它们的自旋翻转时间常数分别为:本征激子的自旋翻转时间约16ns,正电荷激子中电子的自旋翻转时间约2ns,负电荷激子中空穴的自旋翻转时间约50ps。