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SOT-MRAM单元结构的改进及其低功耗写电路设计
被引量:
1
1
作者
颜思岑
袁磊
+1 位作者
王少昊
黄继伟
《中国集成电路》
2021年第12期20-25,共6页
本文提出了在典型2T1MTJ自旋轨道扭矩-磁随机存储器(SOT-MRAM)阵列的源极线上增加平衡晶体管的新结构,有效解决对一个存储单元进行同时读写操作时读、写电流不对称的问题。该方案还与自终止写电路设计相结合,进一步降低了SOT-MRAM整体...
本文提出了在典型2T1MTJ自旋轨道扭矩-磁随机存储器(SOT-MRAM)阵列的源极线上增加平衡晶体管的新结构,有效解决对一个存储单元进行同时读写操作时读、写电流不对称的问题。该方案还与自终止写电路设计相结合,进一步降低了SOT-MRAM整体功耗。仿真结果表明,与典型SOT-MRAM写电路方案相比,本文的方案有效降低了77.35%的写入功耗。
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关键词
自旋
轨道
扭
矩
-
磁
随机
存储器
(
sot-mram
)
磁
隧道结
低功耗
自终止
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职称材料
题名
SOT-MRAM单元结构的改进及其低功耗写电路设计
被引量:
1
1
作者
颜思岑
袁磊
王少昊
黄继伟
机构
福州大学物理与信息工程学院
出处
《中国集成电路》
2021年第12期20-25,共6页
基金
国家重点基础研究发展计划(2018YFB0407603)。
文摘
本文提出了在典型2T1MTJ自旋轨道扭矩-磁随机存储器(SOT-MRAM)阵列的源极线上增加平衡晶体管的新结构,有效解决对一个存储单元进行同时读写操作时读、写电流不对称的问题。该方案还与自终止写电路设计相结合,进一步降低了SOT-MRAM整体功耗。仿真结果表明,与典型SOT-MRAM写电路方案相比,本文的方案有效降低了77.35%的写入功耗。
关键词
自旋
轨道
扭
矩
-
磁
随机
存储器
(
sot-mram
)
磁
隧道结
低功耗
自终止
Keywords
Spin orbit torque
-
magnetic random access memory(
sot-mram
)
magnetic tunnel junction
low power consumption
self
-
terminating
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SOT-MRAM单元结构的改进及其低功耗写电路设计
颜思岑
袁磊
王少昊
黄继伟
《中国集成电路》
2021
1
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