自旋转矩纳米振荡器的研究进展

自旋转矩纳米振荡器(STNO)是利用自旋极化电流引起多层磁性纳米结构中的自由磁性层的磁矩进动,并结合磁电阻效应而得到微波输出的一种新型微波振荡器,它具有体积小,振荡频率可电流调控,品质因素高和低功耗等优点。本文介绍了STNO的工作原理,综述了STNO的国内外研究现状和发展趋势,并展望其应用前景。

巨磁电阻效应及其应用和发展

瑞典皇家科学院2007年10月3日宣布，将该年诺贝尔物理学奖授予法国科学家费尔（A．Fen）及德国科学家格林贝格（P．Grünberg），以表彰他们在1988年发现巨磁电阻效应（giant magnetoresistance，GMR）的重大贡献。这次诺贝尔物理学奖的一个显著特点是该科学发现所产生的巨大价值正改善着我们每个人的生活质量，

磁阻随机存取存储器(MRAM)的原理与研究进展

磁阻式随机存取存储器(MRAM)已被公认为一种前景非常广阔的存储器。本文综述了MRAM的概念和原理,以及它和目前常见的静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)、闪存(FLASH)等类型的存储器的差别。实用型MRAM主要利用隧道磁阻(TMR)效应,所以目前MRAM的研究重点之一就是如何提高传统的TMR材料的性能。MRAM的另外一个研究方向是发展新原理和新结构的MRAM。本文重点介绍了目前2种主要的MRAM,即toggle-MRAM和SST-MRAM的发展情况。