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基于自注入耦合技术的超低相位噪声QVCO
1
作者
戚玉华
何如龙
《雷达科学与技术》
北大核心
2017年第2期198-202,共5页
基于标准0.18μm CMOS工艺,提出并验证了一种改进的用于多相位振荡器的耦合方法。将一种先进的自注入耦合(SIC)技术,用于耦合两个电流复用差分压控振荡器(VCO)。相比较于传统的并联耦合正交VCO(QVCO)而言,所提出的采用SIC技术的QVCO在...
基于标准0.18μm CMOS工艺,提出并验证了一种改进的用于多相位振荡器的耦合方法。将一种先进的自注入耦合(SIC)技术,用于耦合两个电流复用差分压控振荡器(VCO)。相比较于传统的并联耦合正交VCO(QVCO)而言,所提出的采用SIC技术的QVCO在没有增加功耗的前提下,表现出了更低的相位噪声。所提出的SIC-QVCO在16.41GHz振荡频率下,相位噪声为-119.7dBc/Hz@1MHz,并且调谐范围高达1.66GHz,直流电源电压和电流分别为1.8V和5.28mA,芯片尺寸为0.3mm×0.9mm。
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关键词
相位噪声
自注入耦合
正交压控振荡器
振幅误差
相位误差
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职称材料
题名
基于自注入耦合技术的超低相位噪声QVCO
1
作者
戚玉华
何如龙
机构
海军工程大学电子工程学院
出处
《雷达科学与技术》
北大核心
2017年第2期198-202,共5页
文摘
基于标准0.18μm CMOS工艺,提出并验证了一种改进的用于多相位振荡器的耦合方法。将一种先进的自注入耦合(SIC)技术,用于耦合两个电流复用差分压控振荡器(VCO)。相比较于传统的并联耦合正交VCO(QVCO)而言,所提出的采用SIC技术的QVCO在没有增加功耗的前提下,表现出了更低的相位噪声。所提出的SIC-QVCO在16.41GHz振荡频率下,相位噪声为-119.7dBc/Hz@1MHz,并且调谐范围高达1.66GHz,直流电源电压和电流分别为1.8V和5.28mA,芯片尺寸为0.3mm×0.9mm。
关键词
相位噪声
自注入耦合
正交压控振荡器
振幅误差
相位误差
Keywords
phase noise
self-injection-coupling
quadrature voltage-controlled oscillator
amplitude error
phase error
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
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1
基于自注入耦合技术的超低相位噪声QVCO
戚玉华
何如龙
《雷达科学与技术》
北大核心
2017
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