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动力学阿尔芬波湍流下自洽的反常α粒子扩散模拟
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作者 于亭焱 《核聚变与等离子体物理》 CSCD 北大核心 1997年第2期31-36,共6页
本文用阿尔芬波湍流理论预言的反常α粒子扩散模型,结合快α粒子慢化、扩散的多能群求解方法,进行了反常α粒子扩散的输运模拟,得到了饱和情形下快α粒子密度na及反常扩散系数D^ana的自洽空间分布,并讨论了结果。
关键词 反常α粒子扩散 阿尔芬波湍流 自洽模拟
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量子点接触器件电势准3D数值模型和模拟方法
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作者 康宇 杜磊 +1 位作者 陈华 孙亚杰 《电子科技》 2010年第5期12-14,共3页
采用三维泊松方程和二维薛定谔方程自洽求解方法,建立量子点接触器件(QPC)内的电势分布和二维电子气层的电子密度分布的准三维模型及模拟方法,并将模拟结果与传统的Buttiker鞍型电势分布进行比较。结果表明,器件中的电势分布随结构和偏... 采用三维泊松方程和二维薛定谔方程自洽求解方法,建立量子点接触器件(QPC)内的电势分布和二维电子气层的电子密度分布的准三维模型及模拟方法,并将模拟结果与传统的Buttiker鞍型电势分布进行比较。结果表明,器件中的电势分布随结构和偏置对传统鞍型电势有所偏离,并讨论了栅极结构和外加偏压对电势分布影响的规律,对QPC传感器设计具有指导作用。 展开更多
关键词 QPC 自洽模拟 三维泊松方程 电势分布
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静电场对SmC~﹡相液晶作用的计算研究 被引量:1
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作者 钱祥忠 《计算物理》 CSCD 北大核心 1999年第3期316-320,共5页
采用自洽模拟方法,计算研究了分子层面内的静电场对SmC相液晶螺旋结构和铁电特性的影响。结果表明,SmC相液晶的螺距和极化强度平均值随场强增大而增大,且越接近阈值电场增大越快;指向矢倾斜角和分子取向序参量随场强增大... 采用自洽模拟方法,计算研究了分子层面内的静电场对SmC相液晶螺旋结构和铁电特性的影响。结果表明,SmC相液晶的螺距和极化强度平均值随场强增大而增大,且越接近阈值电场增大越快;指向矢倾斜角和分子取向序参量随场强增大而缓慢增大;阈值电场与液晶的本征螺距和自发极化强度有关,并随温度升高而减小。 展开更多
关键词 SmC^*相 液晶 静电场 自洽模拟 物理模型 计算
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高效率976nm激光器材料 被引量:5
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作者 田秀伟 陈宏泰 +8 位作者 车相辉 林琳 王晶 张世祖 徐会武 刘会民 王晓燕 杨红伟 安振峰 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第1期29-32,共4页
使用自洽二维数字模拟软件优化半导体激光器的外延结构,对GaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱结构进行了模拟,研究了包层和波导层的Al组分对工作电压的影响。根据模拟结果,采用金属有机化学淀积(MOCVD)技术,外延生长了单量子阱976nm... 使用自洽二维数字模拟软件优化半导体激光器的外延结构,对GaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱结构进行了模拟,研究了包层和波导层的Al组分对工作电压的影响。根据模拟结果,采用金属有机化学淀积(MOCVD)技术,外延生长了单量子阱976nm激光器材料。利用该材料制作成2mm腔长的连续(CW)单管器件,采用C-mount载体标准封装,并进行了测试。测试结果表明,模拟与实验的结论一致,降低优化包层和波导层的Al组分可以减小工作电压,从而提高了976nm半导体激光器的转换效率。室温下,当工作电流为500A/cm2时,包层和波导层Al组分分别为0.35和0.15时,激光器的工作电压降低为1.63V,使得电光转换效率达到67%。 展开更多
关键词 金属有机化学淀积 压应变 转换效率 自洽二维数字模拟 工作电压 AL组分
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胆甾相液晶双轴特性的计算
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作者 章维全 《液晶与显示》 CAS CSCD 1999年第2期105-109,共5页
采用自洽模拟方法计算了胆甾相液晶双轴序参数随温度和分子手征作用强度的变化,并与实验进行了比较。结果表明,双轴特性与液晶物质和温度有关,但主要产生于胆甾相液晶的螺旋结构。
关键词 胆甾相 液晶 自洽模拟 双轴特性 物理模型
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聚变反应堆方案中辐射极限的研究
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作者 Becker,G 俊林 《国外核聚变》 2001年第1期46-57,共12页
本文用一个特殊版本的1.5维BALDUR预言性输运代码,自洽模拟探索了在可点火ITER装置的最终设计报告(FDR)中植入氩和氖的辐射罩方案。计算使用经验输运系数并在本体和刮削层(SOL)中进行。与来自主室、闭合通量面和刮削层的辐射功率... 本文用一个特殊版本的1.5维BALDUR预言性输运代码,自洽模拟探索了在可点火ITER装置的最终设计报告(FDR)中植入氩和氖的辐射罩方案。计算使用经验输运系数并在本体和刮削层(SOL)中进行。与来自主室、闭合通量面和刮削层的辐射功率损失上限有关的运行已被发现。功率平衡的模拟和解析研究部显示出这些极限是由辐射分布和刮削层中交叉场的热传导决定的。在给定的加热功率下,通过分界面的传导热通量和到偏滤器的能量也被限定。对于高的边缘密度,辐射极限时所要求的热能约束时间在氩方案中为4.4s、在氖方案中为4.0s。通过使用反常向内漂移下新的定标关系进行的模拟支持整个等离子体平密度分布和没有内向箍缩的假定。研究了辐射极限与分界面密度的关系,并提供了与功率极限相关的公式。 展开更多
关键词 ITER装置 自洽模拟 辐射极限 能量约束时间 聚变反应堆
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Zr-4合金压缩形变行为的研究 被引量:3
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作者 李洪佳 孙光爱 +6 位作者 龚建 陈波 王虹 李建 庞蓓蓓 张莹 彭述明 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第23期232-238,共7页
密排六方结构的Zr呈现弹塑性各向异性,轧制工艺会使材料内部产生晶间应力.准确地评估Zr合金内部的晶间应力分布并明确其微观形变机制,对其服役能力和使用寿命的准确评判具有重要的科学意义和应用价值.利用中子原位衍射技术结合弹塑性自... 密排六方结构的Zr呈现弹塑性各向异性,轧制工艺会使材料内部产生晶间应力.准确地评估Zr合金内部的晶间应力分布并明确其微观形变机制,对其服役能力和使用寿命的准确评判具有重要的科学意义和应用价值.利用中子原位衍射技术结合弹塑性自洽(EPSC)模拟分析了Zr-4合金的压缩形变行为,加载方式为沿轧板厚度方向压缩.研究中辅以非原位的背散射电子衍射测试进行织构演化分析及透射电镜(TEM)测试分析缺陷形态.EPSC模拟可以定量地给出不同形变量下的形变机制,并且计算结果可由TEM实验佐证.研究表明:当形变量较小(<0.55%)时,柱面{10ˉ10}?11ˉ20?(?a?型)滑移起主导作用;随着塑性形变量的增加,锥面滑移的作用增强,且锥面{10ˉ11}?11ˉ23?(?c+a?型)滑移的作用大于柱面{10ˉ10}?11ˉ20?(?a?型)滑移,少量的锥面{10ˉ11}?11ˉ20?(?a?型)和{10ˉ12}?11ˉ20?(?a?型)滑移也存在. 展开更多
关键词 锆合金 中子原位衍射 弹塑性自洽模拟 形变机理
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锆合金热变形过程中的织构演变(英文) 被引量:5
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作者 曾庆辉 栾佰峰 +1 位作者 Chapuis Adrien 刘庆 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期2393-2399,共7页
选取了一种热轧退火态的锆合金板材沿着其板材法向(0°样品)及横向(90°样品)在700℃下以1 s-1应变速率进行压缩试验。利用电子背散射衍射(EBSD)技术对变形后样品的微观组织及织构进行表征,并利用粘塑性自洽模型(VPSC)确定了在... 选取了一种热轧退火态的锆合金板材沿着其板材法向(0°样品)及横向(90°样品)在700℃下以1 s-1应变速率进行压缩试验。利用电子背散射衍射(EBSD)技术对变形后样品的微观组织及织构进行表征,并利用粘塑性自洽模型(VPSC)确定了在低应变条件下的各滑移系及孪晶的相对开启量。微观组织揭示了在2种样品中均有动态再结晶的发生。再结晶晶粒的织构变化与变形晶粒的织构变化相似,表明再结晶过程中的优先形核及长大过程不会影响织构的形成及变化。在0°样品中,基面滑移、柱面滑移和锥面<c+a>滑移在变形初期阶段同时开启,但是在90°样品中,只有少量的锥面<c+a>滑移在变形初期阶段开启。在90°样品中存在的高强度1010//RD织构组分是由大量开启的柱面滑移造成的。此外,700℃下大量基面滑移的开启对织构形成起重要作用。 展开更多
关键词 锆合金 热变形 织构 粘塑性自洽模拟 基面滑移
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