超薄栅介质MOSFET直接隧穿电流自洽解模型

采用自洽解方法求解一维薛定谔方程和二维泊松方程,得到电子的量子化能级和相应的浓度分布,利用MWKB方法计算电子隧穿几率,从而得到不同栅偏置下超薄栅介质MOSFET的直接隧穿电流模型。一维模拟结果与实验数据十分吻合,表明了模型的准确性和实用性。二维模拟结果表明,低栅压下,沟道边缘隧穿电流远大于沟道中心隧穿电流,沟道各处的隧穿电流均大于一维模拟结果;高栅压下,隧穿电流在沟道的分布趋于一致,且逼近一维模拟结果。

泊松方程自洽解的快速计算方法

分析了泊松方程自洽解中使用过的各种计算方法，发现存在着一个共同的问题，即计算时间过长，建立在这种方法基础上的优化过程，在微机上往往需要很多天，缺乏实用性，从基本理论出发，建立了一个正确的计算方法，大大减少了计算一次自洽解所需的时间，计算速度可提高很多倍，如将这种方法推广到三维场的计算中，速度可提高得更多。建立的方法还可推广到其它领域中去。

强流脉冲束在轴对称静电场中传输的自洽计算

为计算强流脉冲束在轴对称静电场六维相空间中的传输,设计了一个计算程序。此程序可以计算由漂浮空间、三圆单筒透镜、三膜片单透镜、双圆筒透镜、静电加速管组成的离子光学系统。为了得到强流束传输的自洽解,程序采用了迭代过程。用此程序计算了300kV强流脉冲束加速器的光路,所得结果合理。

AlGaN/GaN一维模型自洽求解和二维电子气特性研究

实现了一维Poisson-Schrodinger方程的自洽求解,在此基础上求出了AlGaN/GaN异质结导带结构和二维电子气分布。计算结果表明极化效应是形成高浓度电子面密度的主要因素。研究了AlGaN/GaN系统中隔离层厚度对二维电子气浓度的影响,并对计算结果进行了分析。

InGaAsSb/AlGaAsSb长波长多量子阱激光器有源区的优化设计

系统地研究了波长为 2 7μm的InGaAsSb AlGaAsSb多量子阱激光器中有源区的优化设计 .分别用含应变势的 6带KP模型和抛物带模型计算价带和导带的能带结构 ,并得到薛定谔方程和泊松方程的自洽解 ,由此计算量子阱在载流子注入时的增益谱 .研究表明制约量子阱增益的主要因素不是跃迁矩阵元 ,而是粒子数反转程度 ,尤其是空穴填充HH1子带的概率 .增加压应变或减小阱宽都会提高量子阱增益 .前者降低了价带HH1子带空穴的平面内有效质量 ;后者拉大了价带子带间距 ,尽管它同时略微增加了空穴有效质量 .这两种因素都导致价带顶空穴态密度的降低 ,提高了空穴在HH1子带的填充概率 ,最终提高了量子阱的增益 .所得结论与已有的实验报道相符 .

格林函数法解静电场第二类边值问题的方法

目前,用格林函数理论求解数理方程中的第一类边值问题的文章较多,方法日臻完善。但用格林函数理论求解第二类边值问题的论述较少。本文对用格林函数法解静电场第二类边值值问题以及在自治条件下用格林函数求解静电场第二类达值问题的两种等效的方法进行了比较分析和讨论。