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用DLTS和ODLTS技术研究ZnSe晶体中与Ga有关的深能级
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作者 彭星国 黄波 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1989年第2期105-110,共6页
本文应用深能级瞬态谱(DLTS)和光深能级瞬态谱(ODLTS)技术研究了掺Ga的ZnSe晶体中的深能级.发现ZnSe:Ga晶体中有一个与Ga有关的施主能级位于导带底下0.17eV处,两个与Ga有关的受主能级分别位于价带顶上0.65eV和0.72eV处.文中还对这些能... 本文应用深能级瞬态谱(DLTS)和光深能级瞬态谱(ODLTS)技术研究了掺Ga的ZnSe晶体中的深能级.发现ZnSe:Ga晶体中有一个与Ga有关的施主能级位于导带底下0.17eV处,两个与Ga有关的受主能级分别位于价带顶上0.65eV和0.72eV处.文中还对这些能级的起源进行了讨论. 展开更多
关键词 深能级瞬态谱 光深能级瞬态谱 锌空位 络合体 自激活中心
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