卤化银微晶中光电子衰减谱的特性

光电子在卤化银材料潜影形成过程中发挥着重要的作用 ,光电子衰减行为在很大程度上决定于卤化银的晶体结构。采用光学与微波双共振技术 ,测量了自由光电子和浅俘获光电子的衰减谱 ,得到了卤化银中电子陷阱的密度和深度分布。以自由光电子寿命为纽带 ,通过分析掺杂卤化银晶体中电子陷阱的分布情况 ,可以确定浅电子陷阱掺杂剂的最佳掺杂浓度。

卤化银晶体中的光电子特性

本文采用微波吸收相敏检测技术 ,得到了卤化银微晶的自由光电子与浅束缚光电子的产生与衰减曲线 ,对比光电子产生量与激发光强之间的关系 ,验证了Gurney Mott理论的光吸收过程 ,分析了不同类型卤化银材料中光电子的衰减特性 ,讨论了卤化银微晶中光电子行为对其感光性能的影响。

染料吸附条件对氯化银微晶光电子特性的影响

利用微波吸收介电谱检测技术,测量了不同染料吸附条件下立方体氯化银乳剂的自由光电子衰减曲线,发现增感乳剂比未增感乳剂的自由光电子衰减变快,这是由于染料吸附增加了氯化银中的Agi+.对于增感乳剂,自由光电子衰减越快,说明染料吸附效果越好,相应的增感效果也就越佳.通过分析自由光电子衰减时间和寿命随染料吸附浓度和时间的变化关系,确定出了感绿染料增感立方体氯化银乳剂的最佳吸附质量比和时间的组合为8/40 000和10 min.

卤化银微晶中浅电子陷阱的阈值效应

依据描述卤化银微晶中光生载流子的微观动力学过程的基本模型 ,分析了自由光电子衰减时间随浅电子陷阱深度和密度的变化情况 ,从而对浅电子陷阱的阈值效应进行了讨论 ,给出了确定卤化银乳剂中浅电子陷阱最佳掺杂条件的依据。

立方体AgBrCl硫增感光的电子行为

本文利用微波吸收相敏检测技术 ,同时获得了立方体AgBrCl乳剂中 ,在增感温度增加的条件下 ,自由光电子和浅束缚光电子的时间衰减曲线 ,分析了不同的硫增感产物随增感温度增加所起的陷阱效应。结果表明 ,在立方体AgBrCl乳剂中 ,硫增感初始阶段的增感产物主要是作为浅电子陷阱存在 ;随着增感温度增加至5 5℃时 ,增感产物浅电子陷阱效果最佳 ;如增感温度进一步增加 ,硫增感中心又变为深电子陷阱。文中还讨论了浅电子陷阱中浅束缚光电子衰减时间与阱深的依存关系。

AgBrI微晶上硫增感中心Ag_2S分子团簇的陷阱效应分析

利用微波吸收相敏技术检测了硫增感条件下的卤化银光电子衰减行为,获得了硫增感乳剂的自由光电子和浅俘获光电子的时间分辨谱信号.分析了AgBrI T颗粒乳剂硫增感产物的陷阱效应与增感时间和增感温度的关系.确定了硫增感产物的陷阱效应随增感时间和增感温度的变化趋势,其变化顺序依次是空穴陷阱、浅电子陷阱和深电子陷阱.